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No 114249
標題(和) ショットキーインプレーンゲートおよびラップゲート構造を用いた化合物半導体量子デバイスとその機能集積回路応用
標題(英) Compound Semiconductor-Based Quantum Devices Utilizing Schottky In-Plane-Gate and Wrap-Gate Structures and Their Application to Functional Integrated Circuits
研究会名(和) ソサイエティ大会
研究会名(英) Society Conference
開催年月日 2000-09-30
終了年月日 2000-10-03
会議種別コード 1
共催団体名(和)
資料番号 SC-9-9
抄録(和) III-V族化合物半導体ショットキーインプレーンゲートおよびラップゲート構造を用い、量子細線トランジスタや単電子トランジスタなどの量子デバイスを試作評価した。いずれも強い電子閉じこめによる明瞭な特性を示した。また、工学的応用のために、動作特性とその制御について検討した。さらに、これら量子デバイスの単電子メモリやインバータ回路などへの応用を試み、動作を検証した。
抄録(英)
収録資料名(和) 2000年電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集(分冊1〜6)
収録資料の巻号
ページ開始
ページ終了
キーワード(和) 単電子トランジスタ
キーワード(英) single electron transistor
本文の言語 JPN
著者(和) 長谷川英機
著者(ヨミ) ハセガワヒデキ
著者(英) Hasegawa Hideki
所属機関(和) 北海道大学
所属機関(英) Hokkaido University
著者(和) 湯元美樹
著者(ヨミ) ユモトミキ
著者(英) Yumoto Miki
所属機関(和) 北海道大学
所属機関(英) Hokkaido University
著者(和) 岩谷将伸
著者(ヨミ) イワヤマサノブ
著者(英) Iwaya Masanobu
所属機関(和) 北海道大学
所属機関(英) Hokkaido University
著者(和) 岡田浩
著者(ヨミ) オカダヒロシ
著者(英) Okada Hiroshi
所属機関(和) 北海道大学
所属機関(英) Hokkaido University
著者(和) 葛西誠也
著者(ヨミ) カサイセイヤ
著者(英) Kasai Seiya
所属機関(和) 北海道大学
所属機関(英) Hokkaido University

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