電子情報通信学会 エレクトロニクス ソサイエティ

SDM研究会若手優秀発表賞


シリコン材料・デバイス(SDM)研究専門委員会では、SDM研究会に投稿し、講演を行った若手研究者のうち、特に優秀な発表を行った者に対してSDM研究会若手優秀発表賞を授与しています。
受賞対象となる候補者は以下の項目を満たす若手研究者です。表彰件数は年間2件以内です。
奮ってご発表下さい。
  イ.SDM研究会において発表を行った研究報告の筆頭著者かつ講演者
  ロ.講演時点で33歳未満の者

SDM研究会若手優秀発表賞 受賞者一覧
令和4年度
岡 博史 様(産業技術総合研究所) 岡 博史 様(産業技術総合研究所)
【発表題目】
極低温動作MOSFET のクーロン散乱移動度に対する
バンド端準位の影響
(令和4年8月研究会にて発表)
隅田 圭 様(東京大学) 隅田 圭 様(東京大学)
【発表題目】
表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFET
チャネル材料と面方位の最適設計
(令和4年11月研究会にて発表)
令和3年度
  秋元 瞭 様(東北大学)
【発表題目】
トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向による
RTN挙動の統計的解析
(令和3年10月研究会にて発表)
令和2年度
間脇武蔵 様(東北大学) 間脇 武蔵 様(東北大学)
【発表題目】
IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質
(令和2年10月研究会にて発表)
トープラサートポン・カシディット 様(東京大学) トープラサートポン・カシディット 様(東京大学)
【発表題目】
Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングと
メモリ特性への影響
(令和2年8月研究会にて発表)
令和元年度
  畑山 省吾 様(東北大学)
【発表題目】
低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6 を用いた
相変化メモリ
(平成30年度10月研究会にて発表)
  熊倉 翔 様(東京エレクトロン宮城)
【発表題目】
プラズマを用いた原子層エッチング(ALD)
(令和元年度10月研究会にて発表)
  堀内 勇介 様(東京工業大学)
【発表題目】
多層電荷蓄積層を用いた
Hf 系MONOS 型不揮発性多値メモリに関する検討
(令和元年度10月研究会にて発表)
平成30年度
下井 貴裕 様(ルネサスエレクトロニクス) 下井 貴裕 様(ルネサスエレクトロニクス)
【発表題目】
28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた
高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
(平成29年10月26日発表)
  Shuang Gao 様(東京大学)
【発表題目】
Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
(平成30年8月8日発表)
平成29年度
古川貴一様(東北大学) 古川 貴一 様(東北大学)
【発表題目】
高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対する
Si選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術
(平成28年10月26日発表)
百瀬 駿様(金沢工業大学) 百瀬 駿 様(金沢工業大学)
【発表題目】
急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた
高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの
特性
(平成29年8月2日発表)
平成28年度
前田康貴様(東京工業大学) 前田 康貴 様(東京工業大学)
【発表題目】
HfO2をゲート絶縁膜に用いた
ペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
(平成27年10月30日発表)
平成27年度
槇山秀樹様(ルネサスエレクトロニクス) 槇山 秀樹 様(ルネサスエレクトロニクス)
【発表題目】
超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路の
ダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
(平成26年10月17日発表)
山本芳樹様(ルネサスエレクトロニクス) 山本 芳樹 様(ルネサスエレクトロニクス)
【発表題目】
high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた
超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS
(平成27年8月25日発表)
平成26年度
財津光一郎様(東芝) 財津 光一郎 様(東芝)
【発表題目】
MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による
低消費電力かつ高速な不揮発FPGA
(平成26年8月5日発表)

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