【議題】 ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術

【日時】 ２００７年６月７日（木）〜８日（金）

【会場】 広島大学 東広島キャンパス 学士会館２階ホール

◆プログラム◆

6月7日(木) 午後 （13：30〜17：45）

(1) 13:30 - 13:55
MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析
○石田　猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大）

(2) 13:55 - 14:20
Si3N4/SRN/Si3N4積層膜の電子捕獲特性
○峰　利之・石田　猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立）

(3) 14:20 - 14:45
窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用
○片山弘造・石川清志（ルネサス）

−−−　休憩　（ 15分 ）　−−−

(4) 15:00 - 15:25
プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測
○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広大）・鴻野真之・
西田辰夫・中西敏雄（東エレ）

(5) 15:25 - 15:50
SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案
○高田幸宏・白石賢二（筑波大）

(6) 15:50 - 16:15
大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価
○熊谷勇喜・須川成利・諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘（東北大）

−−−　休憩　（ 15分 ）　−−−

(7) 16:30 - 16:55
Metal-Ferroelectric [Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7]-Insulator (SiON)-Si Deviceの強誘
電体メモリ特性とrfスパッタリングによる(Ba1-x,Srx)TiO3 (BST)絶縁膜の形成
○高橋一郎・諏訪智之・白井泰雪・平山昌樹・寺本章伸・須川成利・大見忠弘
（東北大）

(8) 16:55 - 17:20
B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調
○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広大）

(9) 17:20 - 17:45
高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性
○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）

−−−　休憩　（ 15分 ）　−−−

−−−　懇親会　（ 18:00-19:30 ）　−−−

6月8日(金) 午前 （09：00〜15：55）

(10) 09:00 - 09:25
プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、電子帯構造
○寺本章伸・荒谷　崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（JASRI）・野平博司
（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大）

(11) 09:25 - 09:50
窒素濃度依存性を考慮したNBTI機構のモデリング
○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・伊藤早苗・谷本弘吉・豊島義明（東芝）

(12) 09:50 - 10:15
HfSiOxの閾値変動に対する窒素添加効果
○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（Selete）・蓮沼　隆・
山部紀久夫（筑波大）

−−−　休憩　（ 15分 ）　−−−

(13) 10:30 - 10:55
LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証
○高島　章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・
山口　豪・小山正人・福島　伸（東芝研開セ）

(14) 10:55 - 11:20
ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果
○佐藤創志・舘　喜一・宋　在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一
生・杉井信之・服部健雄・岩井　洋（東工大）

(15) 11:20 - 11:45
熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数
評価
○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝研開セ）

−−−　昼食　（ 60分 ）　−−−

(16) 12:45 - 13:10
スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価
○西岡　浩・菊地　真・木村　勲・神保武人・鄒　紅コウ（アルバック半技研）

(17) 13:10 - 13:35
極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注
入の効果
○寺井真之・藤枝信次（ＮＥＣ）

(18) 13:35 - 14:00
Ge/High-k絶縁膜の界面反応に着目した電気特性の制御
○喜多浩之・能村英幸・鈴木　翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海　明（東大）

−−−　休憩　（ 15分 ）　−−−

(19) 14:15 - 14:40
光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価
○大田晃生・中川　博・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）

(20) 14:40 - 15:05
ゲルマニウム窒化膜の形成と評価
○朽木克博・岡本　学・志村考功・安武　潔・渡部平司（阪大）

(21) 15:05 - 15:30
Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge-MIS構造の特性
○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（MIRAI-産総研）・高木信一（MIRAI-産総研
東大院新領域）

(22) 15:30 - 15:55
Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価
○坂下満男・鬼頭伸幸・酒井　朗・小川正毅・財満鎭明（名大）

---------------------------------------------------------------------
６月研究会担当
宮崎誠一(広島大）: semiya @ hiroshima-u.ac.jp
羽路伸夫(横浜国大): nob @ ynu.ac.jp
松井裕一（日立）：y-matsui @ crl.hitachi.co.jp

応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会担当オーガナイザー：
金田千穂子（富士通研究所): kaneta.chioko @ jp.fujitsu.com
野平博司(武蔵工大）: nohira @ ee.musashi-tech.ac.jp
---------------------------------------------------------------------
6月研究会に関する問い合わせ先
宮崎誠一(広島大）
Tel: 082-424-7656, Fax: 082-422-7038
E-mail: semiya @ hiroshima-u.ac.jp

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日
6月25日(月)〜27日(水)　Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国　
[4月12日(木)]
テーマ：第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジ ア・太平洋ワークショップ

2007年 8月23日(木)〜24日(金)　北見工大
[2007年 6月18日(月)]
テーマ：VLSI回路、デバイス技術（高速,低電圧、低消費電力）