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平成１６年３月　シリコン材料・デバイス研究会プログラム
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専門委員長 徳光永輔 副委員長 渡辺重佳
幹事 浅野種正・平谷正彦　幹事補佐　西岡泰城

●日時：平成1６年3月1７日（水）　9:55〜

●会場：機械振興会館　地下３階２号室
　　〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8

●議題　「新型不揮発性メモリー」

―プログラム―

９：５５-１０：００
（Opening Remark）

１０：００-１０：４０
１．相変化チャンネルを用いたメモリトランジスタの可能性　　（招待講演）
○ 保坂純男、曽根逸人 (群馬大学大学院工学研究科)、尹　友：Yin　You,　(群馬大学　SVBL)

１０：４０-１１：０５
２．多値相変化メモリの書換特性評価回路の設計
○高田雅史（金沢大学工学部情報システム工学）、中山和也（金沢大学医学部保健学科） 　 　北川章夫（金沢大学工学部情報システム工学）

１１：０５-１１：３０
３．0.18μmFeRAM混載システムLSI
○夏目進也、長野能久、伊東豊二、三河巧、久都内知恵、立成利貴、野間淳史、平野博茂 （松下電器産業半導体社　事業本部） 五寶　靖（同　システムLSI開発本部）、十代勇治、藤井英治（同　事業本部）

１１：３０-１１：５５
４．面伝導電流を用いた強誘電体ゲートFETメモリの考案
○廣岡　玄、野田　実、奥山雅則（大阪大学大学院基礎工学研究科）

（−昼食−）

１３：００-１３：２５
５．(Bi, Nd)4Ti3O12/HfO2/Si(100)構造の作製と評価
○田渕 良志明（東工大フロンティア研）、朴 炳垠（素子協）、會澤 康治（東工大精研） 川島 良仁、高橋 憲弘（東工大フロンティア研）、加藤 一実（産総研）、有本 由弘（富士通研） 石原 宏（東工大フロンティア研）

１３：２５-１３：５０
６．MOCVD法によるPbTiO3自己集合島の構造制御
○ 野々村哉、藤沢浩訓、清水　勝、丹生博彦 (姫路工業大学)、本田耕一郎　(株)富士通研究所

１３：５０-１４：１５
７．ゾルゲル法により形成したBi4XLaXTi3O12（BLT）薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御
○朴　成一 (東京工業大学)、徳光永輔 (東北大学/東京工業大学)

１４：１５-１４：４０
８．次世代デバイスに向けたSi基板上のPZTエピタキシャル薄膜の特性
○近藤正雄、山脇秀樹、塚田峰春、丸山研二、栗原和明（富士通研究所）

１４：４０-１５：０５
９．Vortex CVD-A Novel MOCVD System for Deposition of Ferroelectric Thin Films
○Matt Brubaker (Prymaxx Inc)

１５：０５-１５：３０
１０．Atomic Vapor Deposition of SBT and Electrode Materials
Narayan Solayappan*, Carlos Paz de Araujo*, Kurt Laetz*, Larry McMillan*, Marcus Schumacher, Johannes Lindner, ○Christoph Lohe　 (AIXTRON K.K) (* Symetrix Corporation)

（休息）

１５：４０-１６：０５
１１．MRAM (Magnetic Random Access Memory)高温エッチング技術の開発
○小風豊、小澤正則、山本直志、菊地幸男、松浦正道、鄒紅コウ、石川道夫、山川洋幸 （アルバック半導体技術研究所）

１６：０５-１６：４５
１２．ＭＲＡＭ技術の進展と課題　　（招待講演）
○石綿延、田原修一（NEC　システムデバイス研究所） 與田博明、池川純夫（東芝　研究開発センター）

１６：４５-１７：２５
１３．MRAM技術の展望と東北大におけるITプログラム　（招待講演）
○ 栗野浩之、小柳光正　（東北大学大学院））

１７：２５-１７：３０
（Closing Remark）