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平成１６年２月　シリコン材料・デバイス研究会プログラム
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専門委員長 徳光永輔 副委員長 渡辺重佳
幹事 浅野種正・平谷正彦　幹事補佐　西岡泰城

●日時：平成16年1月29日（木）14:00〜17:15
　　　　　　　　　　　　　30日（金）10:00〜15:30

●会場：北海道大学百年記念館1階会議室
　　札幌市北区北８条西６丁目
　　JR札幌駅北口から徒歩６分
　　会場 TEL（０１１）７０６−４８９２
　　地図　http://www.hokudai.ac.jp/bureau/keiri/sisetu/map.htm

●議題　「量子効果デバイス及び関連技術」

―プログラム―

1月29日（木）　14：00〜17：15

1．カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 − スピンの量子操作を目指して −
○布施智子、森山悟士（理化学研、東工大）、鈴木正樹（理化学研、科学技術振興機構CREST）、青柳克信（東工大、理化学研）、石橋幸治（理化学研、科学技術振興機構CREST）

2．弾道電子放出顕微鏡によるホットエレクトロン回折実験の数値解析：量子相反性成立の起源
○町田信也、狩野裕之、古屋一仁（東京工大）

3．InAs系メゾ構造における電子波干渉効果
○前元利彦、藤田隆洋、中島貴史、中島洋二、中井正人、佐々誠彦、井上正崇（大阪工大）

4．MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化
○福士　哲夫、木村　健、村中　司、長谷川　英機（北海道大）

5．(111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成
○吉田　崇一、玉井　功、佐藤　威友、長谷川　英機（北海道大）

6．パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製
○山口　雅史、樋口　恭明、西本　宜央、澤木　宣彦（名古屋大）

1月30日（金）　10：00〜15：30

7．［招待講演］共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用
○前澤宏一、川野陽一、小本芳裕、大野雄高、岸本茂、水谷孝（名古屋大）

8．GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価
○朝岡直哉、福光政和、須原理彦、奥村次徳（東京都立大）

9．ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性
○湯元　美樹、田村　隆博、佐藤　威友、長谷川　英機（北海道大）

10．光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析
○大野雄高、岸本茂、水谷孝（名古屋大）

11．Si(100)基板上に形成されたCdF2/CaF2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
○渡辺正裕、金澤徹、自念圭介、浅田雅洋（東京工業大）

12．極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証
○齋藤真澄、平本俊郎（東京大）

13．共鳴トンネル量子化器を用いた連続時間ΔΣ変調器の設計
○地橋　優、江口　慶亮、和保　孝夫（上智大)

14．強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証
○植村哲也、本間　怜、丸亀孝生、山本眞史（北海道大学）

15．MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型２次元フォトニック結晶構造の作製と評価
○稲荷　将、竹田　潤一郎、本久　順一、福井　孝志（北海道大）

◎ 29日の研究会終了後、センター見学会・懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。