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平成１６年１月（その２）　シリコン材料・デバイス研究会プログラム
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専門委員長 徳光永輔 副委員長 渡辺重佳
幹事 浅野種正・平谷正彦　幹事補佐　西岡泰城

●テーマ：「低誘電率層間膜，配線材料および一般」
(応物シリコンテクノロジー分科会共催)

●日　程： 平成16年2月2日(月) 11:00〜17:00

●場　所： 機械振興会館(東京タワー向かい)地下３階研修1号室
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8

●プログラムは以下のとおり（講演20分，質疑5分）

―プログラム―

１．低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術
芦原洋司，石川憲輔，大島隆文，笹島勝博，野口純司，小西信 博，宇野正一，大田黒　彰，久保真紀，津金　賢，岩崎富生*，齋藤達之（日立デ セ，日立・機械研*）

２．超臨界流体を利用した一貫メタライゼーションプロセスの可能性
近藤英一，志鎌耕一郎，菱川正毅（山梨大・大学院）

３．無電解めっきでのボトムアップ堆積による微細接続孔埋め込み
新宮原　正三，王増林，八重樫道，小畑涼，坂上弘之，高萩隆行（広大・先端物質科学研究科）

４．電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価
石田猛，武田健一，日野出憲治，古澤健志*，田切克 典，中山貴弘，藤田藩（日立・中研，ルネサス*）

５．シングルダマシンＣｕ配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長
横川慎二（NECエレクトロニクス）

６．ビアファースト多層ハードマスクプロセスを用いた高目ずれマージンCuデュアルダマシン形成
大竹浩人，田上政由，有田幸司*，林喜宏（NEC，NECエレクトロニクス*）

７．NCSを用いた多層配線技術
中平順也，三沢信裕，杉浦 　巌*，中田義弘*，杉本文利，西川伸之，射場義久，北田秀樹，長 谷川明弘，大島政男，大場隆之，福山俊一，清水紀嘉，宮嶋基守，松山英也，矢野映*（富士通，富士通研*）

８．Novel Self-Assembled Ultra-Low-k Porous Silica Films with High Mechanical Strength for 45 nm BEOL Technology
奥 良彰， 山田 和弘， 後藤 隆， 清野 豊*， 石川 彰， 尾形 哲郎， 高村 一 夫， 藤井 宣年， 秦 信宏*， 市川 理恵*， 吉野 雄信*， 根来 千絵*， 中野 昭典， 園田 譲， 高田 省三*， 三好 秀典， 大池 俊輔， 田中 博 文， 松尾 尚典， 木下 啓藏， 吉川 公麿*，**（MIRAI-ASET*， MIRAI-AIST** RCNS， Hiroshima Univ）

９．A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers
川原 潤， 中野 昭典， 国見 信 孝，木下 啓藏， 林　喜宏， 石川 彰， 清野 豊*， 尾形 哲 郎， 高橋 秀樹， 園田 譲， 吉野 雄信*， 後藤 隆， 高田省三*， 市川 理恵 *， 三好 秀典， 松尾 尚典， 足立 三郎， 吉川 公麿*，** （MIRAI-ASET* ，MIRAI-AIST** RCNS， Hiroshima Univ）

１０．極薄ポアシールを用いた65nm対応多層配線
多田宗弘，田 村貴 央*，原田恵充，井上尚也，伊藤文則，吉木政行，大竹浩人， 成広充，田上政由，植木誠，肱岡健一郎，阿部真理，竹内常雄，齋藤忍，小野寺 貴 弘，古武直也，新井浩一，藤井清*，林喜宏（NEC，NECエレクト ロニクス*）