************************************************
平成１５年１２月　シリコン材料・デバイス研究会プログラム
************************************************

専門委員長 徳光永輔 副委員長 渡辺重佳
幹事 浅野種正・平谷正彦　幹事補佐　西岡泰城

●日時 平成15年12月19日（金）１０：００〜１８：００

●会場 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 大講義室
（奈良県生駒市高山町８９１６−５）
近鉄奈良線学園前駅下車バス20分 または 近鉄京都線山田川駅下車バス20分
※詳細は　http://nara.aist-nara.ac.jp　をご覧下さい。

●テーマ：｢半導体Si及び関連材料・評価｣

―プログラム―

午前（１０：００−１２：１０）
１．【招待講演】
Low Temperature Gate Dielectrics for Thin-Film Transistors on Plastic Substrates
○プラカイペッチ・パンチャイペッチ（ノーステキサス大）

２．Poly-Si TFT特性の酸化膜界面トラップと結晶粒界トラップに対する依存性
○木村 睦（龍谷大学）・井上 聡・下田 達也（セイコーエプソン）

３．多結晶シリコンへイオンドーピングされたドーパントの低温活性化
○鮫島俊之・安藤伸行（東京農工大学）・安東靖典（日新イオン）

４．SPC,ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長
○｛河本直哉（山口大学）・松尾直人（姫路工業大学）・浜田弘喜（三洋電機）・原田泰典（姫路工業大学）

５．水素ラジカルビーム励起と高密度・低ポテンシャルプラズマを用いた低温ポリシリコン成膜技術
○桐村 浩哉・久保田 清・高橋 英治・岸田　茂明（日新電機）・北島　浩司・浦岡行治・冬木隆（奈良先端大）

午後前半（１３：００−１５：０５）
６．Si-NMOSFETのキャリア熱速度の計算
−チャネル不純物濃度、backscattering係数、並びにチャネルSi膜厚依存性−
○宝玉　充（セイコーエプソン）・土屋敏章（島根大学）

７．チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果
○山口正樹（芝浦工業大学）・増田陽一郎（八戸工業大学）

８．強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果
○宮迫毅明・妹尾賢・徳光永輔（東京工業大学）

９．SOI基板を利用したSiGe系"マイクロオリガミ"構造の作製
○坂野佳久・森大輔・徳田崇・太田淳・布下正宏(奈良先端大) ・久保田和芳・Pablo O.Vaccaro・田村修一・Hailong Wang・斎藤信雄(ATR)

１０．SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製
○木本恒暢・小杉肇・神崎庸輔・須田　淳・松波弘之（京都大学）

午後後半（１５：３０−１８：０５）

１１．新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET(SC-MOSFET)の作製
○海藤淳司・須田　淳・木本恒暢・松波弘之（京都大学）
１２．Si界面ナノ制御による光電極動作のシミュレーション
○八木俊樹・浦岡行治・冬木隆（奈良先端大）

１３．シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性
○池田浩也・伊藤　誠・ラトノ・ヌルヤディ・石川靖彦・田部道晴（静岡大学）

１４．Si量子ドットを用いたフローティングゲートメモリー
○猪飼順子・彦野太樹夫・浦岡行治・冬木隆（奈良先端大）

１５．スピンコート法を用いたフェリチンタンパクの２次元結晶化
○川嶋宏之・彦野太樹夫・浦岡行治・冬木隆（奈良先端大）・山下一郎（松下電器）

１６．【招待講演】Ｓｉ量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用
○宮崎誠一（広島大学）