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平成１５年８月　シリコン材料・デバイス研究会プログラム
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専門委員長 徳光永輔 　　副委員長 渡辺重佳
幹事 平谷正彦・浅野種正


●日時　８月２１日（木）　08:30 - 17:20　　　８月２２日（金）　08:30 - 18:05

●会場：札幌　北海道大学 百年記念館 大会議室
連絡先：011-706-3211
地図：http://www.hokudai.ac.jp/bureau/keiri/sisetu/map.htm

●テーマ：「VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低電力)」
オーガナイザー：東京大学　平本俊郎

-プログラム-

８月２１日（木）

08:30
1. 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法
○宝玉 充,土屋 敏章(島根大)

08:55
2. 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大
○筒井 元,南雲 俊治,平本 俊郎(東大)

09:20
3. FD-SOI MOSFETのしきい値電圧のばらつきに関する考察
○清水 由幸,松岡 俊匡,谷口 研二(阪大)

09:45
4. 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET
○南雲 俊治,平本 俊郎(東大)

10:10
5. (110)面高性能ひずみSOI-CMOS技術
○水野 智久,杉山 直治,手塚 勉,守山 佳彦,中払 周,高木 信一(MIRAI)

10:35 - 10:45
休憩(10分)

10:45
6. （特別招待講演）バッテリレス近距離無線システム実現に向けた極低電力SOI回路技術
○道関 隆国,久良木 億(NTT)

11:35
7. 入力容量を低減したスタティックCMOSペア論理ゲート回路
○村谷 恵介(富士通)

12:00 - 13:00
昼食(60分)

13:00
8. フローティングゲートMOS回路技術にキャパシタンス切り離し手法を用いた低消費電力CDMAマッチトフィルタ
○山崎 俊彦,福田 智洋,柴田 直(東大)

13:25
9. 寄生バイポーラトランジスタを用いた1.0-3.6V,200Mbpsプッシュプル型出力バッファ
○島田 岳洋,野谷 宏美,中瀬 泰伸,牧野 博之(ルネサステクノロジ),岩出 秀平(大阪工業大学)

13:50
10. フレキシブルプロセッサ(The Flexible Processor)パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ
○大川 猛,野澤 俊之,藤林 正典,宮本 直人,カルナン レオ,喜多 総一郎,山下 雅房,アミル ヤマック,小谷 光司, 大見 忠弘(東北大)

14:15
11. （特別招待講演）低電力SoCを目指すSTARCの低電力技術開発
○石橋 孝一郎,藤本 徹哉,岡田 博之,山下 高廣(STARC)

15:05 - 15:15
休憩(10分)

15:15
12. フリッカーノイズのプロセス依存性
○大黒 達也,岡山 康則,松澤 一也,松永 健,青木 伸俊,小島 健嗣,百瀬 寿代,石丸 一成(東芝)

15:40
13. CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー
○宇賀神 守,山岸 明洋,小舘 淳一,原田 充,束原 恒夫(NTT)

16:05
14. 全差動型プリスケーラと低オフリークチャージポンプを用いた1V,2.4GHz帯PLLシンセサイザ
○山岸 明洋,宇賀神 守,束原 恒夫(NTT)

16:30
15. 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ
○大中道 崇浩,山川 聡,大森 達夫(三菱電機)

16:55
16. A Complete Single-Chip GPS Receiver with 1.6-V 24-mW Radio in 0.18-um CMOS
○鈴木 仁人,門山 隆英,佐生 登,飯塚 浩(ソニー),永瀬 郁穂,薄窪 秀昭(ソニーセミコンダクタ九州), 片倉 雅幸(ソニー)


８月２２日（金）

08:30
17. SFI-5向け低電力データリカバリー回路方式の開発
○山下 寛樹,斎藤 達也,結城 文夫,馬場 貴成,小山 明夫,曽根原 理仁(日立)

08:55
18. 新しいロック検出器を用いた39-45 Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路

○野坂 秀之(NTT),佐野 栄一(北大),石井 清,井田 実,栗島 賢二(NTT),山幡 章司(ATR),柴田 随道(NTT)

09:20
19. 3GbpsシリアルATAのための自走型位相補間器による5000ppmのスペクトラム拡散送受信回路
○青山 森繁,小笠原 和夫(NECエレクトロニクス),菅原 光俊(NECエレクトロニクスアメリカ),石橋 輝一,石橋 隆,下山 進一(NECマイクロシステム),山口 晃一(NEC),柳田 智則 　　(NECマイクロシステム),野間 敏弘(NECエレクトロニクス)

09:45 - 09:55
休憩(10分)

09:55
20. SOI基板上のDRAM混載メモリセル(FBC:Floating Body Cell)の開発
○南 良博,井納 和美,篠 智彰,山田 浩玲,中島 博臣,山田 敬,大澤 隆(東芝),東 知輝(東芝マイクロエレクトロニクス), 藤田 勝之,池橋 民雄,梶山 健,福住 嘉晃,浜本 毅司,石内 秀美(東芝)

10:20
21. 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ
○大澤 隆(東芝),東 知輝(東芝マイクロエレクトロニクス), 藤田 勝之,池橋 民雄,梶山 健,福住 嘉晃,篠 智彰,山田 浩玲, 中島 博臣,南 良博,山田 敬,井納 和美,浜本 毅司(東芝)

10:45
22. アンブレラセル、~SOC向け高集積・低電圧メモリセルの提案~
○秋山 悟(日立),大平 信裕(日立超LSIシステムズ),石川 剛, 久本 大,渡部 隆夫(日立)

11:10
23. Bitline/Plateline Reference-Level-Precharge Scheme for High-Density ChainFeRAM
○及川 恒平,高島 大三郎,白武 慎一郎,穂谷 克彦(東芝),Joachim Hans-Oliver(Infineon Technologies Japan)

11:35
24. マイクロコントローラ搭載512KB MONOS型フラッシュメモリ 　　モジュール
田中 利広,谷川 博之,○山木 貴志,梅本 由紀子,加藤 章, 品川 裕,平木 充(ルネサステクノロジ)

12:00
25. 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法
○新居 浩二(ルネサステクノロジ),今岡 進(ルネサスデバイスデザイン),吉澤 知晃,塚本 康正,牧野 博之(ルネサステクノロジ),山上 由展,鈴木 利一,柴山 晃徳(松下), 岩出 秀平(大阪工大)

12:25 - 13:25
昼食(60分)

13:25
26. （特別招待講演）微細MOSトランジスタの開発動向と課題
○杉井 寿博,渡部 潔,菅谷 慎二(富士通)

14:15
27. （特別招待講演）Sub-50-nm CMOSデバイス技術
○若林 整,竹内 潔,山本 豊二,最上 徹(NEC)

15:05
28. HfO2膜の熱的安定性:界面層の成長およびシリサイド形成機構
○宮田 典幸,Kundu Manisha,市川 昌和,生田目 俊秀,堀川 剛(MIRAIプロジェクト),鳥海 明(東大)

15:30
29. 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計
○渡辺 健,高柳 万里子,飯島 良介,石丸 一成,綱島 祥隆, 石内 秀美(東芝)

15:55 - 16:05
休憩(10分)

16:05
30. （パネルディスカッション）high-kゲート絶縁膜(仮題)
オーガナイザー　黒田 忠広(慶大),高柳 万里子(東芝)

◎補足
一般講演は、発表18分、質疑7分
特別招待講演は、発表35分、質疑15分