2004年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

★電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 榎木孝知　副委員長 和保孝夫
幹事 中島成・田中毅　幹事補佐 江川孝志

★マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 高山洋一郎　副委員長 荒木純道
幹事 野本俊裕・高須秀樹　幹事補佐 河合正

開催日時・会場

日時　1月19日（月）9:15～18:05
　　　1月20日（火）10:00～15:40
　　　1月21日（水）10:00～12:05
会場　機械振興会館地下3階研修1号館

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，地下鉄都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側．http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm　TEL〔03〕3434-8211）

議題　― 化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス ―

19日午前

1. マイクロストリップライン構造液晶デバイスの過渡応答時間特性
   ◯齊藤勝彦・内藤亮・亀井利久・内海要三（防衛大）
2. A Microstrip Composite Right/Left-Handed Transmission Line without Vias
   ◯Atsushi Sanada・Koichi Murakami・Hiroshi Kubo・Ikuo Awai（Yamaguchi Univ.）
3. 垂直ストリップ装荷NRDガイドの導波モードの解析とLSEモードサプレッサの設計
   ◯黒木太司・木村実人（呉高専）・米山務（東北工大）
4. 〔特別講演〕第33回欧州マイクロ波会議出席報告
   ◯黒木太司（呉高専）・村田浩一（NTT）・上田博民（三菱電機）・中野洋（富士通カンタム）・真田篤志（山口大）・大野貴信・松本好太（青学大）・田中啓貴（ATR）

19日午後

5. 〔招待講演〕AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア輸送と電流コラプス
   水谷孝（名大）
6. 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善
   ◯遠藤聡・山下良美・池田圭司（富士通研）・東脇正高（通信総研）・彦坂康己（富士通研）・松井敏明（通信総研）・冷水佐壽（阪大）・三村高志（富士通研）
7. 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価
   ◯三好実人・坂井正宏（名工大／日本ガイシ）・S. Arulkumaran・石川博康・江川孝志・神保孝志（名工大）・田中光浩・小田修・勝川裕幸（日本ガイシ）
8. AlGaN/GaN HFETsを用いた高出力Tx/RxスイッチIC
   ◯石田秀俊・廣瀬裕・神田敦彦・村田智洋・池田義人・松野年伸・井上薫・上本康裕・田中毅（松下電器）・江川孝志（名工大）・上田大助（松下電器）
9. 〔招待講演〕600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転
   ◯齋藤渉・高田賢治・蔵口雅彦・津田邦男・大村一郎・小倉常雄（東芝）
10. 〔招待講演〕フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET
    ◯中山達峰・安藤裕二・岡本康宏・井上隆・播谷耕二・宮本広信・葛原正明（新機能素子研究開発協会）
11. 〔招待講演〕GaN系電子デバイスにおける表面の影響
    ◯橋詰保（北大）
12. 〔特別講演〕2003年アジア・パシフィックマイクロ波会議出席報告
    ◯西野有（三菱電機）・出口博之（同志社大）・上田博民（三菱電機）・真田篤志（山口大）・和田光司（青学大）・堀田昌志（山口大）・太郎丸真（九産大）・　裵鐘石（名工大）・俵　覚（ATR）

20日午前

1. 10Gbit/s InGaP/GaAs HBTドライバIC
   ◯宮下美代・山本和也・鈴木敏・長明健一郎（三菱電機）・松原司（KDL）・小川喜之・宮脇勝巳（三菱電機）・山田和也（ミヨシ電子）・島田征明・東坂範雄・南原成二（三菱電機）
2. 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化
   ◯後藤清毅・國井徹郎・藤井憲一・細川義弘・佐々木善伸・井上晃・石川高英（三菱電機）
3. 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット
   ◯福田健志・八幡和宏・永井秀一・酒井啓之・田中毅（松下電器）
4. 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC
   ◯澤　卓・澤田宗作・関口剛・渡邉昌崇・福士大地・中島成（住友電工）

20日午後

5. 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器
   ◯山本和也（三菱電機）・平間哲也・若田秀幸・佐野智弘・佐藤久恭（ルネサステクノロジ）・前村公正（三菱電機）
6. コンポジットチャネル構造InP-HEMTの信頼性評価と高利得化
   ◯倉知俊介・野中康紀・二階堂淳一朗（富士通カンタムデバイス）
7. InP DHBTによる150GHz超高速分周器
   ◯綱島聡・村田浩一・井田実・栗島賢二・小杉敏彦・榎木孝知・菅原裕彦（NTT）
8. InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール
   ◯福山裕之・村田浩一・佐野公一・北林博人・山根康朗・榎木孝知・菅原裕彦（NTT）
9. 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
   ◯牧山剛三・高橋剛・鈴木俊秀・澤田憲・多木俊裕・原直紀・滝川正彦（富士通研）
10. 〔招待講演〕SSPSにおけるマイクロ波デバイスと回路への要求
    川崎繁男（東海大）

21日

1. 新しい等化増幅回路を用いた10Gbit/sバーストモード3R受信装置
   ◯木村俊二・岡田顕・遠藤潤・鈴木安弘・松岡茂登（NTT）
2. 完全集中定数化F級増幅回路の提案
   ◯相川清志・本城和彦（電通大）
3. 5GHz高効率・低ひずみInGaP/GaAs HBTパワーアンプMMIC
   ◯藤田耕一郎・白川一彦・高橋直・劉　翊・岡　徹・山下雅治・作野圭一・川村博史・長谷川正智・高秀樹・籠島謙知・貴島洋史・佐藤浩哉（シャープ）
4. GaAs/p-AlGaAs/GaAsヘテロ障壁型バラクタダイオードの試作
   ◯田沼伸久・横倉三郎・鷹野致和（明星大）
5. フルレートクロック動作40-43Gビット16多重・分離LSI
   ◯小山明夫・會田辰洋・渡邊圭紀・山下寛樹・白水信弘・伊藤雅広（日立）・大畠賢一（ルネサステクノロジ）・千葉博之・高橋毅（日立LSIシステムズ）

【発表申込・問合先】
　河合正（姫路工大）TEL&FAX〔0792〕67-4873　E-mail: xxx
◎ 発表申込みは，なるべくE-mailでお願いします．

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