2003年01月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

★電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 水谷孝　副委員長 榎木孝知
幹事 筒井一生・松尾直人　幹事補佐 中島成・田中毅

★マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 許瑞邦　副委員長 小川博世
幹事 馬庭透・野本俊裕　幹事補佐 真田篤志・河合正

開催日時・会場

日時　1月16日（木）9:20～16:30
　　　1月17日（金）9:00～16:00
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，地下鉄都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側．
TEL〔03〕3434-8211）

議題　ー超高速・超高周波デバイス及び化合物半導体IC／一般ー

16日午前
  1. 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発
    ◯川崎健・山日竜二・小谷謙司・柳沢昌輝・八重樫誠司・矢野浩（住友電工）
  2. 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
    ◯遠藤聡・山下良美（富土通研）・篠原啓介（通信総研）・彦坂康己（富土通研）・松井敏明（通信総研）・冷水佐壽（阪大）・三村高志（富土通研）
  3. InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
    ◯鈴木俊秀・中舎安宏・加納英樹・澤田憲・牧山剛三・高橋剛（富土通研）・西真弘（富士通カンタム）・廣瀬達哉（富土通研）
  4. InP HEMTを用いた100Gbit/s論理IC
    ◯村田浩一・佐野公一・北林博末・杉谷末広・菅原裕彦・榎木孝知（NTT）
  5. 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1マルチプレクサIC
    ◯佐野公一・村田浩一・杉谷末広・菅原裕彦・榎本孝知（NTT）
  6. 40Gb/s光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
    ◯星真一・森口浩伸・伊藤正紀・大島知之・角谷昌紀・市岡俊彦（沖電気）
16日午後
  1. 超100Gbit/s級OEICのためのチップ上光配線(WOW)構造
    ◯明吉智幸・荒武淳・徳光雅美（NTT）
  2. 110GHz超広帯域フリップチップ分布型増幅器
    増田哲（富士通研）
  3. 1.4THz利得帯域積超広帯域プリアンプIC
    ◯佐藤優・重松寿生・井上雄介・廣瀬達哉（富士通研）
  4. 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
    ◯岡本康宏・安藤裕二・井上隆・中山達峰・宮本広信・葛原正明（NEC）
  5. Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
    ◯井上隆・笠原健資・宮本広信・安藤裕二・岡本康宏・中山達峰・葛原正明（NEC）
  6. Power Amplifier Module with Digital Adaptive Predistortion for Cellular Phones
    ◯楠繁雄・山本勝也・初谷匡長・長岡宏明・田上研之（ソニーエリクソン）・冨永尚人（太陽誘電）・大沢完至・田辺顕・桜井賢・飯田哲也（東芝）
  7. GSM/EDGEデユアルモード，900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
    ◯山本和也・浅田智之・鈴木敏・三浦猛・井上晃・宮國晋一・大辻順・服部亮・宮崎行雄・紫村輝之（三菱電機）
  8. 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET
    ◯中田健・増山竜二・中島成（住友電工）
17日午前
  1. 5GHz帯無線LAN用23/3dB利得切替低雑音増幅器
    ◯青木雄一・羽山信幸・藤井正浩・樋田光（NEC）
  2. Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
    ◯牧本俊樹・熊倉一英・小林直樹（NTT）
  3. GaAs FETにおける基板及び表面に起因したキンク現象の数値解析
    ◯風見祐介・三谷恭隆・若林明・堀尾和重（芝浦工大）
  4. 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
    ◯横山雄司・川野陽一・大野雄高・岸本茂・前澤宏一・水谷孝（名大）
  5. 利得ばらつきを抑えたAPAA用自己バイアス低雑音MMIC増幅器
    ◯山中宏治・森一富・池松寛・佐々木善伸・中山正敏（三菱電機）
  6. K帯MMICドライバ増幅器
    ◯小野直子・小野寺賢・新井一弘・山口恵一・井関裕二（東芝）
  7. Q帯注入同期発振器
    ◯岸本條也・丸橋建一・伊東正治・大畑恵一（NEC）
17日午後
  1. 小形マイクロストリップスパイラルフィルタの設計
    ◯東出祐樹・馬哲旺・小林禧夫（埼玉大）
  2. NRDガイドープリント線路変換器とその応用
    ◯黒木太司・木村実人（呉高専）・米山務（東北工大）
  3. 各種マイクロストリップMIC素子の放射特性の比較検討
    ◯大野捷人・森田長吉（千葉工大）
  4. VIAホール列による平行平板モード抑圧量の簡易評価式
    ◯湯浅健・西野有・大橋英征（三菱電機）
  5. 〔特別講演〕第32回欧州マイクロ波会議出席報告
    ◯小林禧夫（埼玉大学）・穴田哲夫（神奈川大）・黒木太司（呉高専）・佐薙稔（岡山大）・河合正（姫路工大）・宮口賢一（三菱電機）
◆ IEEE MTT-S Japan Chapter共催
☆ MＷ研究会今後の予定　〔　〕内発表申込締切日
2月　休会
3月5日（水）～7日（金）　「移動体通信ワークショップ」　YRPホール　〔締切済〕
4月23日（水）　「マイクロ波超伝導／一般」　機会振興会館〔2月14日（金）〕
なお，最新のプログラムはMW研究会ホームページhttp://www.ieice.org/es/mw/jpn/を
御覧下さい。
【発表申込・問合先】
　河合正（姫路工大）　TEL&FAX〔0792〕67-4873，E-mail: xxx
◎ 発表申込みは，なるべくE-mailでお願いします．