2002年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

★電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 水谷孝　副委員長 葛原正明
幹事 山幡章司・筒井一生　幹事補佐 亀山敦・松尾直人

★マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 許瑞邦　副委員長 小川博世
幹事 村口正弘・馬庭透　幹事補佐 真田篤志

★集積回路研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 岩村淳　副委員長 亀山充隆
幹事 川嶋将一郎・北村美宏　幹事補佐 堂阪勝己・張山昌論

開催日時・会場

日時　1月16日（水）9:45〜16:30
　　　1月17日（木）9:00〜17:00
　　　1月18日（金）9:00〜16:00
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，地下鉄都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側．
TEL〔03〕3434-8211）

議題　ー化合物半導体IC及び超高速・高周波デバイスー

16日午前

1. AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
   ◯佐野芳明・見田充郎・山田朋幸・槙田毅彦・海部勝晶（沖電気）・石川博康・江川孝志・神保孝志（名工大）
2. 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
   ◯安藤裕二・岡本康宏・宮本広信・羽山信幸・中山達峰・笠原健資・葛原正明（NEC）
3. 熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
   ◯井上薫・池田義人・正戸宏幸・松野年伸・西井勝則（松下電器）
4. GaN HEMTの電流コラプス
   ◯大野雄高・岸本茂・前澤宏一・水谷孝（名大）
5. 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
   ◯分島彰男・大田一樹・松永高治・Walter Contrata・葛原正明（NEC）

16日午後

6. 40Gb/s光通信用分布型増幅器
   ◯小川康徳・小杉真・角谷昌紀・関昇平・木村有（沖電気）
7. InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
   ◯高橋剛・牧山剛三・今西健治（富士通）・西真弘（富士通カンタムデバイス）・重松寿生・鈴木俊秀・原直紀（富士通）
8. 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
   ◯菅原裕彦・木村俊二・村田浩一（NTT）・富山裕之（NTT-AT）・佐野栄一（NTT）
9. アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
   ◯井田実・栗島賢二・石井清・佐野栄一・野坂秀之・渡邊則之・榎木孝知（NTT）
10. 高性能 InP/InGaAs DHBT作製技術
    ◯栗島賢二・井田実・渡邊則之・佐野栄一・石井清・榎木孝知（NTT）
11. 高速電子走行コレクタ構造を有するInP/InGaAsダブルヘテロ接合HBT
    ◯冨士原明・池永佳史・高橋秀樹・川中雅史・田中愼一（NEC）
12. 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響ー非対称リセス構造の作製と特性評価ー
    ◯篠原啓介・松井敏明（通信総研）・山下良美・遠藤聡・彦坂康己・三村高志（富士通）・冷水佐壽（阪大）
13. リセスゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグとブレークダウン特性との相関の解析
    三谷恭隆・◯河西大輔・若林朗・堀尾和重（芝浦工大）

17日午前

1. 表面バイアホールによるアイソレーション技術を用いたETC用1チップ送受信一体型MMICの開発
   ◯高木恒洋・山本真司・諏訪敦・反保敏治・北沢貴博・多良勝司・萩尾正博（松下電器）
2. 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
   ◯尹　榮・福田健志・国久武人・田中毅・石川修（松下電器）
3. インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
   ◯増田哲・廣瀬達哉（富士通）・横川茂・西眞弘（富士通カンタムデバイス）・小野克二・飯島真也・渡邊祐（富士通）
4. MMIC用三次元配線の耐湿性改善
   ◯杉谷末広・石井隆生・徳光雅美（NTT）
5. SiGe-BiCMOSワイドダイナミックレンジ利得切替LNA
   ◯渡邉大祐・中谷俊文・伊藤順治・今西郁夫・西井勝則・石川修（松下電器）
6. マイクロ波時間波形測定によるAlGaAs HBTの最大動作領域解析
   ◯井上晃（三菱電機）・中塚茂典（ミヨシ電子）・鈴木敏・山本和也・紫村輝之・服部亮・三井康郎（三菱電機）

17日午後

7. 7GHz CMOS低雑音増幅器
   ◯藤本竜一・小島健嗣・大高章二（東芝）
8. 1200MHz共振器内蔵電圧制御発振器
   ◯伊藤信之・石塚慎一郎（東芝）
9. 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
   ◯小舘淳一・宇賀神守・束原恒夫（NTT）
10. FET温特・バイアスモデルを用いた低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
    ◯山中宏治・山内和久・森一富・池田幸夫・池松寛・棚橋直樹・高木直（三菱電機）
11. W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおけるひずみ相殺を用いた効率向上手法
    ◯平山知央・松野典朗・藤井正浩・樋田光（NEC）
12. 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
    ◯大植栄司・小田克矢・速水礼子・鷲尾勝由（日立）・島本裕己（日立デバイスエンジニアリング）
13. 高Q三次元MMICインダクタ
    ◯西川健二郎（NTT）・Belinda Piernas（Fujitsu Compound Semiconductor）・鴨川健司（NTTドコモ）・中川匡夫・荒木克彦（NTT）
14. ウェーハレベルCSP内蔵型インダクタ
    ◯青木由隆（カシオ）・上芳夫（電通大）
15. 60GHz帯NRDガイドにおける低誘電率LSMガイドと高誘電率LSEガイドとの接続とその応用
    ◯黒木太司・坂本渉・宮前旭（呉高専）・米山務（東北工大）

18日午前

1. 超小型3GHz帯1W級MMIC電力増幅器
   ◯千住智博・浅野隆史・石村浩（東芝）
2. 5GHz帯無線通信用MMIC送受信モジュール
   ◯小川貴史・近藤博司・丘維禮・高谷信一郎（日立）
3. 表面実装パッケージを用いた26GHz帯送受信機
   ◯石田正明・五味宏一郎・松井紀夫・柴田清裕（東芝）
4. InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
   ◯石井清・野坂秀之・中島裕樹・栗島賢二・井田実・渡邉則之・山根康朗・佐野栄一・榎木孝知（NTT）
5. 2モード位相比較器を用いたデータパターン無依存CDR回路
   ◯野坂秀之・石井清・榎木孝知・柴田随道（NTT）
6. 低損失GaAs PINダイオードを用いた広帯域SPSTスイッチ
   ◯高須英樹・佐々木文雄（東芝）

18日午後

7. 高集積化ビーム形成回路のRF伝達関数モデルの構築と実験的検証
   ◯鈴木義規・今泉豊・川上用一・荒木克彦（NTT）
8. 原型レトロディレクティブアクティブ集積アンテナの試作
   ◯吉田雄輝・寺田則幸・青山洋光・川崎繁男（東海大）・田中孝治・佐々木進（宇宙科研）
9. 94GHzミリ波用薄膜アンテナ結合検波器の製作
   ◯鈴木賢志・阿部康彦・安岡義純（防衛大）
10. 同軸線路中心導体ギャップ構造におけるフリンジング容量の近似計算式
    ◯大和田哲・大橋英征・宮崎守泰（三菱電機）
11. 60GHz帯誘電体導波管型フィルタの開発とそのフリップチップ実装検討
    ◯伊東正治・丸橋建一・生稲一洋・橋口毅哉（NEC）・岩永俊一（NEC関西）・大畑惠一（NEC）
12. 26GHz帯TM_11δ^□モード誘電体共振器フィルタ
    ◯榎原晃（松下電器）・難波英樹・中村俊昭（松下日東電器）・石崎俊雄（松下電器）

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