2000年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

★電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 上田大助　副委員長 水谷孝
幹事 葛原正明・田上知紀　幹事補佐 山幡章司・筒井一生

★マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 水野皓司　副委員長 小川博世
幹事 川﨑繁男・長谷川誠　幹事補佐 真田篤志

★集積回路波研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 笠井良太　副委員長 佐々木勝朗・喜多川儀久
幹事 四柳道夫・道山淳児　幹事補佐 川嶋将一郎

開催日時・会場

日時　1月19日（水）13:00〜18:30
　　　1月20日（木）9:15〜18:00
　　　1月21日（金）9:15〜16:45
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

議題　ー 化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス ー

19日
  1. 超格子透過電子波の物性パラメータによる波形制御
    ◯廣瀬秀行・左貝潤一（立命館大）
  2. リセスゲート及び埋込みゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグの解析
    若林朗・◯三谷恭隆・堀尾和重（芝浦工大）
  3. GaAs MESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
    ◯蓮見由美子・古寺博（千葉工大）
  4. 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
    ◯井田実・山幡章司・中島裕樹・渡邉則之（NTT）
  5. 高感度 10Gb/s DCFL リミティングアンプ
    ◯村山英久・山田浩幸・角谷昌紀・市岡俊彦・木村有（沖電気）
  6. 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合Dフリップフロップ回路
    ◯佐野公一・村田浩一（NTT）・尾辻泰一（九工大）・明吉智幸・清水直文・佐野栄一（NTT）
  7. モノリシック集積のためのクロック抽出回路
    ◯村田浩一（NTT）・尾辻泰一（九工大）
  8. 800MHz帯GSMと1.8GHz帯PCNデュアルバンド端末用SAW分波器
    ◯疋田光孝（日立）・松浦尚樹（日立メディア）・柴垣信彦（日立）・崎山和之（日立メディア）
  9. グレーティングモード型SAW共振器の製作法と電圧制御発振器への応用
    ◯浅井健吾・疋田光孝・礒部敦（日立）・住岡淳司（日立電子）・多田剛（日立デバイス）
  10. コスタスループ同期方式によるSAWコンボルバを用いた高速スペクトル拡散信号の復調の検討
    ◯田窪千咲紀・疋田光孝・浅井健吾（日立）
20日午前
  1. GaAs SW-BANK MMIC及びL，Cチップを用いたL帯5ビット移相器モジュール
    ◯中島健介（三菱電機）・辛坊俊行（三菱電機エンジニアリング）・谷口英司・竹田英次・佐々木善伸・末松憲治・高木直（三菱電機）
  2. 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
    ◯山中宏治・菅谷和則・堀家淑恵・山口哲郎・棚橋直樹・伊藤康之（三菱電機）
  3. 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
    ◯宮口賢一・檜枝護重・中原和彦・久留須整・新居眞敏・高木直（三菱電機）
  4. 薄膜多層電極を用いた誘電体共振器とその低温特性
    ◯松井則文・日高青路・中野充・服部準（村田製作所）
  5. 線状アンテナのウェーブレット解析とシミュレータ解析の比較
    ◯清田春信・安岡芳久・川﨑繁男（東海大）
20日午後
  1. 形状変化部間の影響を考慮した誘電体ロッド導波路における放射パターン合成
    久保洋・◯福岡泰彦・粟井郁雄（山口大）
  2. ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
    ◯野坂秀之・山口陽（NTT）・村口正弘（NTTエレクトロニクス）
  3. 76GHz帯MMIC車載レーダシステム
    ◯栗田直幸・永石英幸・永作俊幸・篠田博史・長岡和洋・関根健治・高谷信一郎・近藤博司（日立）
  4. 低損失フィルタを内蔵したミリ波フリップチップIC
    ◯高橋和晃・藤田卓・浦部丈晴・小倉洋・矢吹博幸（松下技研）
  5. SiO2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
    ◯分島彰男・牧野洋一・山之口勝己・佐本典彦（NEC）
  6. 〔パネル討論〕
21日午前
  1. ウェハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
    ◯児玉聡・古田知史・伊藤弘・渡邉則之・神田敦（NTT）・村口正弘（NTTエレクロトニクス）・石橋忠夫（NTT）
  2. グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
    ◯中田健・坂本良二・橋長達也・桑田展周・乙部健二・中島成（住友電工）
  3. AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
    ◯国弘和明・笠原健資・高橋裕之・羽山信幸・大野泰夫・中山達峰・宮本広信・松永高治・安藤裕二・葛原正明（NEC）
  4. W-CDMA基地局用高出力GaAs MODFET
    ◯石田秀俊・横山隆弘・古川秀利・田中毅・森本滋・前田昌宏・太田順道・上田大助（松下電子）
  5. E-mode型，150W出力W-CDMA基地局用GaAs FET
    ◯舘野泰範・高橋英徳（富士通カンタムデバイス）・中舎安宏（富士通研）・長原正樹・五十嵐武士（富士通カンタムデバイス）・常信和清・滝川正彦（富士通研）・深谷潤（富士通カンタムデバイス）
21日午後
  1. 〔招待講演〕次世代移動通信方式W-CDMAの無線伝送技術
    上林真司（NTT DoCoMo）
  2. W-CDMA 0.2cc高効率パワーアンプモジュール
    ◯宮澤直行・伊藤秀和（富士通カンタムデバイス）・岩井大介・中舎安宏・宮下工・小原史郎・常信和清（富士通研）
  3. A Linearized heterojunction FET-based power amplifier with high efficiency over wide output power range for wide-band CDMA handsets
    ◯Gary Hau・西村武史・岩田直高（NEC）
  4. 埋め込みpゲートを持つディジタル無線通信用ヘテロFETの開発
    ◯中村光宏・和田伸一・阿部雅美・長谷伊知郎（ソニー）
  5. GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT MMIC電力増幅器
    ◯山本和也・紫村輝之・浅田智之・奥田敏雄・森一富・長明健一郎・鈴木敏・三浦猛・藤本慎一・服部亮・中野博之・細木健治・大辻順・井上晃・矢島孝太郎・尾形敏雄・宮崎行雄・山内眞英（三菱電機）
  6. 拡張ロードプル法を用いた広負荷インピーダンス・高効率・低ひずみGaAs電力増幅器MMICの設計
    ◯石田薫（松下電器）・池田光（松下通信）・小杉裕昭（松下電器）・西嶋将明（松下電子）・上野伴希（松下電器）
☆ MW研究会今後の予定　〔　〕内発表申込締切日
2月17日(木)〜19日(土)　「移動通信システム，回路，アンテナ／一般」YRP
　〔締切済〕（AP, RCS, SST各研究会共催）
3月，4月　休会
5月26日(金)　「マイクロ波評価技術／一般」阪大　〔3月15日(水)〕
なお，最新のプログラムは http://www.ieice.or.jp/es/mw/jpn/を御覧下さい．
【発表申込・問合先】
　真田篤志（山口大）
　　TEL〔0836〕22-9729，FAX〔0836〕35-9449，E-mail: xxx
◎ 発表申込みは，なるべくE-mailでお願いします．