1999年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

★電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 大野泰夫　副委員長 上田大助
幹事 日向文明・葛原正明　幹事補佐 田上知紀

★マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 粟井郁雄
幹事 伊藤康之・川﨑繁男　幹事補佐 古神義則

★集積回路波研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 笠井良太　副委員長 佐々木勝朗
幹事 増田英司・四柳道夫　幹事補佐 道山淳児

開催日時・会場

日時　1月20日（水）9:00〜17:00
　　　1月21日（木）9:00〜17:00
　　　1月22日（金）9:00〜12:20
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

議題　ー 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス ー

20日午前　超高速デバイス

1. 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
   ◯岡　徹・平田宏治・大内潔・内山博幸・谷口隆文・望月和浩（日立）・中村徹（法政大）
2. MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
   ◯山幡章司・栗島賢二・中島裕樹・渡邊則之・石井康信（NTT）
3. 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
   ◯末光哲也・石井哲好・横山春喜・楳田洋太郎・榎木孝知・石井康信・玉村敏昭（NTT）
4. GaAs MESFETのターンオン特性に与える基板内トラップの影響の解析
   ◯若林朗・三谷恭隆・堀尾和重（芝浦工大）
5. イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
   ◯柳沢昌輝・中島成・櫻田隆・木山誠・澤田真一・中井龍資（住友電工）
6. 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
   ◯国弘和明・高橋裕之・大野泰夫（NEC）

20日午後　超高速IC

7. 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
   ◯木村俊二・今井祐記・菊池博行（NTT）
8. GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
   ◯太田彰・矢嶋孝太郎・東坂範雄・平間哲也・日坂隆行・谷野憲之（三菱電機）
9. SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響
   ◯大鹿克志・黒田淳・柳沢寛（日立）
10. 大規模LSI用集積化伝送線路の電磁界解析と光配線との比較
    ◯土居武司・岩田穆（広島大）
11. CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
    ◯森藤英治・大黒達也・吉富崇・森本豊太・百瀬寿代・勝又康弘・岩井洋（東芝）
12. Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μmBiCMOSプロセス技術
    ◯橋本尚・菊池俊之・大橋直史・斎藤達之・和田真一郎・近藤将夫・本間善夫・島明生・渡辺邦彦（日立）
13. 0.1μmDouble-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作256/258可変分周器ICの開発
    ◯和田茂己・前多正・徳島正敏・山崎仁・石川昌興・藤井正浩（NEC）
14. 低電圧低電流5GHz帯GaAsMMICプリスケーラ
    ◯大平孝・鈴木義規（NTT）
15. 超高速極限的低電力MOS回路における熱容量雑音と動作安定性
    ◯林政昌・藤橋忠悟（東京工芸大）

21日午前　マイクロ波デバイス

1. 大信号FETモデリングに関する寄生素子パラメータの影響
   ◯塩見英久・小林淳・川崎繁男（東海大）
2. マイクロマシン技術を応用した感光性プラスチックサブミリ波帯回路素子の試作
   ◯浜野哲子・ヴィクタ ルベッキ・水野皓司（東北大）
3. ウイスパリングギャラリモード誘電体共振器の共振特性の近似計算
   ◯古神義則・松村和仁（宇都宮大）
4. Analysis of Coplanar Waveguide Resonators by Use of the Finite Difference Time Domain Method
   ◯Xiangying Wu・Ikuo Awai・Kouji Wada・Hiroyoshi Tagi・Takeshi Moriyoshi・Kentaro Kisaka（山口大）
5. A Half-Wavelength Resonator Bandpass Filter with Multiple Attenuation Poles
   ◯Kouji Wada・Ikuo Awai（山口大）
6. 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
   ◯松野典朗・矢野仁之・鈴木康之・椿茂樹・戸田鉄・本城和彦（NEC）

21日午後　マイクロ波・ミリ波IC

7. ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
   ◯檜枝護重・中島健介・末松憲治・谷口英司・塚原良洋・坂本三平・宮脇勝巳・久田雅章・伊山義忠・高木直（三菱電機）
8. ETC用 MMIC送信部
   ◯文忠民・片柳哲夫・新井ゆかり・藤代博記・関昇平・木村有（沖電気）
9. 3V単一電源動作5.8GHz帯電力増幅器
   ◯池田佳子・長岡正見・脇本啓嗣・瀬下敏樹・三原正勝・吉村操・田辺芳一・北浦義昭・内富直隆（東芝）
10. 2逓倍手法を用いた5GHz帯リング発振器内蔵直交変調器
    ◯松岡裕人・束原恒夫・小中信典（NTT）
11. 非共振型FETスイッチを用いたKa帯移相器MMIC
    ◯丸橋建一・水谷浩・大畑恵一（NEC）
12. ミリ波帯広帯域偶高調波イメージリジェクションミクサ
    ◯川上憲司・下沢充弘・池松寛・伊東健治・礒田陽次（三菱電機）
13. 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
    ◯山口恵一・栗山保彦・高木映児・昆野舜夫（東芝）
14. AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
    中川敦・◯渡辺健一・出口忠義・小池誠二・木村親夫（新日本無線）
15. BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
    ◯小野直子・渕田裕美・小野村純子・天野実・栗山保彦・高木映児・吉原邦夫・昆野舜夫（東芝）

22日午前　高出力デバイス・IC

1. EモードHJFETを用いたAMPS向けIC
   ◯吉田貞義・若林良昌（NEC）
2. 高V_f EモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
   ◯原直紀・中舎安宏・長原正樹・常信和清・渡邊祐・滝川正彦（富士通研）
3. コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
   ◯加藤武彦・尾藤康則・岩田直高（NEC）
4. 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
   ◯塚原良洋・佐々木善伸・国井徹郎・小崎克也・細木健治・奥田康典・川埜肇・石川高英・三井康郎（三菱電機）
5. 携帯端末基地局用100W出力HFET
   ◯後藤清毅・藤井憲一・國井徹郎・鈴木敏・吉田直人・阪本進・藤岡孝司・谷野憲之（三菱電機）
6. 35V動作高出力FPFET
   ◯麻埜和則・三好陽介・石倉幸治・梨本泰信・葛原正明・水田正志（NEC）
7. デバイス反転型シリコンウェハ直接貼り合せ法により作製したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
   ◯松本聡・石山俊彦・平岡靖史・酒井達郎・谷内利明・上綱秀樹・村口正弘（NTT）

【問合先】
　古神義則（宇都宮大）
　　TEL&FAX〔028〕689-6118　E-mail: xxx

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