1997年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

★電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 榎本忠儀　副委員長 菅田孝之・大野泰夫
幹事 上田大助・黒田滋　幹事補佐 日向文明

★マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 相川正義
幹事 本城和彦・橋本修　幹事補佐 古神義則

★集積回路波研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 岩田穆　副委員長 笠井良太
幹事 松澤昭・松田吉雄　幹事補佐 増田英司

開催日時・会場

日時　1月22日（水）13:00〜16:30
　　　1月23日（木）10:00〜17:00
　　　1月24日（金）9:30〜16:30
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

議題　ー 特集 化合物半導体LSIおよび超高速・超高周波IC／デバイス ー

22日

1. THz帯用低雑音ショットキーバリアダイオードの製作プロセスと界面評価
   ◯安井孝成・藤島寛智・莅戸立夫（理研）・鈴木哲・荒沢正敏・水野皓司・恒川信（東北大）・山田巧（NTT）
2. 光電気変換素子の電子回路での表現（その1）
   ◯赤池正巳・臼倉隆（東京理科大）
3. 77GHz帯電力増幅器
   ◯栗田直幸・鴨崎恵吾・樋口克彦・内山博幸・近藤博司（日立）・太田博（日立超LSIエンジニアリング）
4. 60GHzプッシュプッシュ発振器
   ◯鴨崎恵吾・栗田直幸・谷本琢磨・近藤博司（日立）・橋本雅・太田博（日立超LSIエンジニアリング）
5. AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
   ◯柏卓夫・加藤隆幸・石田多華生・小島善樹・小丸真喜雄・高木直・三井康郎（三菱電機）
6. アクティブバランを用いた偶高調波リングミクサ
   ◯川上憲司・下沢充弘・伊東健治・笠井信之・飯田明夫（三菱電機）
7. MMIC/Super-MIC/MIC組合せC-Ku帯2Wバランス形増幅器モジュール
   ◯伊藤康之・新居眞敏・竹内紀男・塚原良洋（三菱電機）

23日午前

1. +3V/0V動作・超小型デュアルモード（アンテナ／ローカル）GaAs MESFETスイッチIC
   ◯平井利和・宇田尚典・冨永久昭・野川薫・東野太栄・澤井徹郎（三洋電機）
2. 19GHz帯低損失，高アイソレーションGaAs MMIC SPnTスイッチ
   ◯神田淳・中前優（NTT）
3. 並列ダイオードを用いたマイクロ波簡易リニアライザ
   ◯山内和久・森一富・中山正敏・三井康郎・高木直（三菱電機）
4. 高誘電率基板を用いた90度ハイブリッドカプラの小型化
   ◯田中裕明・佐々木豊・八木芳和・石川容平（村田製作所）

23日午後

5. 〔招待講演〕超高速GaAs MESFETプロセスの光伝送技術への応用
   ◯本島邦明・中川潤一・宮下美代・谷野憲之・北山忠善（三菱電機）
6. 〔招待講演〕超高速IC用の多層配線を用いた0.1μmセルフアラインゲートGaAs MESFET
   ◯徳光雅美・平野真・尾辻泰一・山口聡・山崎王義（NTT）
7. 10Gb/s光通信用HBT-ICチップセットの開発
   ◯井原毅・及川陽一・山本拓司・友藤博朗・濱野宏・大西裕明・渡邊祐（富士通研）
8. ギガヘルツ動作CMOS光通信用IC
   ◯田辺昭・東郷光洋・古川昭雄（NEC）
9. サブフェムトジュール動作0.15μm InGaP/InGaAs/GaAs HEMT DCFL回路
   ◯末広晴彦・志村忠行・島昌司・原直紀（富士通研）
10. ECL互換GaAs HJFET 10Gb/s 8:1MUX/1:8DEMUX
    ◯吉田信秀・藤井正浩・厚母敬生・沼田圭市・浅井周二・河野通久・及川洋一・筒井宏彰・前多正（NEC）

24日午前

1. 19GHzSi 低いずみダウンミキサ回路
   ◯小紫浩史・佐々木なぎさ・佐藤久恭・久保俊次・三木隆博（三菱電機）
2. PHS送信系用1.9GHzシリコンバイポーラ可変減衰器
   ◯大高章二・谷本洋・渡部秀二・前田忠彦（東芝）
3. 3.4Vディジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
   ◯岩田直高・富田正俊・山口佳子・及川洋一・葛原正明（NEC）
4. 低ひずみ高効率GaAs Spike-GateパワーFET
   ◯古川秀利・田中毅・竹中浩・福井武司・上田大助（松下電子）
5. 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
   ◯小野文伸・新宮善蔵・麻埜和則・森川純子・葛原正明・江森文章（NEC）

24日午後

6. 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
   ◯松野典朗・矢野仁之・鈴木康之・井上壽明・戸田鉄・小瀬泰・本城和彦（NEC）
7. 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)の高周波特性
   ◯冨士原明・恩田和彦・中山達峰・分島彰男・水木恵美子・安藤裕二・宮本広信・金森幹夫・葛原正明（NEC）
8. BCB誘電体を用いた低損失ミリ波フリップチップIC
   ◯酒井啓之（松下電子）・吉田隆幸・池田義人（松下電器）・藤田卓・高橋和晃・佐川守一（松下技研）・井上薫（松下電子）
9. GaAs MESFETにおける基板トラップ効果に対する埋め込みp層の影響
   ◯国弘和明・能米雅信・大野泰夫（NEC）
10. GaAs MESFETにおけるゲートラグの2次元数値解析
    ◯山田富子・若林朗・堀尾和重（芝浦工大）
11. 成長中断時AsH₃カバー時間短縮によるInGaP/GaAs界面制御
    ◯深井佳乃・日向文明・入戸野巧・渡辺和夫・菅原裕彦（NTT）
12. MOVPE成長InGaP/GaAsヘテロ界面の評価
    ◯吉川俊英・今西健治・福澤香苗・田中均（富士通研）

【発表申込・問合先】
　本城和彦（NEC光エレクトロニクス研究所）
　　TEL〔0298〕50-1511，FAX〔0298〕50-1108　E-mail: xxx

---