1996年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

★電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 榎本忠儀　副委員長 菅田孝之
幹事 上田大助・山﨑王義

★マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 相川正義
幹事 小川博世・本城和彦　幹事補佐 古神義則

★集積回路波研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 岩田穆　副委員長 後藤源助
幹事 市野晴彦・松澤昭　幹事補佐 松田吉雄

開催日時・会場

日時　1月17日（水）10:00〜16:30
　　　1月18日（木）9:30〜17:00
　　　1月19日（金）10:00〜15:30
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，地下鉄都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側　電話〔03〕3434-8211）

議題 ー 特集：化合物半導体LSIおよび超高速・超高周波IC／デバイス ー

17日
  1. 1.5V-operation GaAs Spike-Gate Power FET with 65% Power-Added Efficiency
    ◯田中毅・古川秀利・竹中浩・上田哲三・福井武司・立岡一樹・上田大助（松下電器）
  2. 移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET
    ◯山口佳子・岩田直高・葛原正明（NEC）
  3. 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTのベースコンタクトの検討
    ◯天宮泰・嶋脇秀徳・金昌佑・田中慎一・村上誠一・古畑直規・間々田正行・後藤典夫・本城和彦（NEC）
  4. 低電圧動作LバンドInGaP/GaAsパワーHBT
    ◯小原史朗・山田浩・岩井大介・常信和清（富士通研）
  5. 〔特別招待講演〕ミリ波デバイスの展望と課題
    東坂浅光（NEC）
  6. 〔パネル討論〕題目「ミリ波応用の展開と課題」
    司会：赤池正巳（東京理科大）
    パネラー：瀧本幸男（ミリウェイブ）「ミリ波応用と問題」
    福井良太郎（沖電気）「道路・自動車関連の応用」
    西秀敏（富士通）「ミリ波通信技術」
    徳満恒雄（NTT）「ミリ波線路，3次元MMIC」
    徳田博邦（東芝）「MMIC/MIC, MSL/CPW」
    高木直（三菱電機）「InP HEMT / GaAs HEMT」
18日
  1. WSiサイドウォールゲートを用いた新しいサブクォータミクロンGaAsMESFETプロセス
    ◯宇田智哉・西辻充・西井勝則・藤本和久・田村彰良（松下電器）
  2. 耐熱性に優れたチャネルを有するプレーナ型TMT
    ◯松下重治・藤井栄美・井上大二郎・馬場清一・松村浩二・澤田稔・原田八十雄（三洋電機）
  3. ホールトラップ型基板におけるHJFETドレインラグ現象の解析
    ◯能米雅信・国弘和明・大野泰夫（NEC）
  4. GaAsP組成傾斜型ベースHBTの開発
    ◯池田成明・大久保典雄・野村剛彦・塩島健至・二宮隆夫（古河電工）
  5. 六角形エミッタ形状超高速 InP/InGaAs DHBT
    ◯山幡章司・栗島賢二・重川直輝・伊藤弘・松岡裕（NTT）
  6. L帯小型・超低雑音MMIC増幅器
    ◯澤井徹郎・西田昌生・山口勤・村井成行・平井利和・原田八十雄（三洋電機）
  7. GaAs広帯域低歪増幅器
    角田雄二・◯深澤善亮・若林良昌・白川泰弘（NEC）
  8. 1.9GHz低電圧動作GaAsMMIC電力増幅器
    ◯中島秋重・藤岡徹・長谷英一・新井功（日立）
  9. 線路間結合を考慮したX帯小型増幅器MMICの設計
    ◯茶木伸・塚原良洋・松林弘人・安藤直人・佐々木善伸・高木直（三菱電機）
  10. CDMA方式携帯電話用GaAs AGCアンプ
    ◯笠島正明・田中幸太郎・中村浩・Hefeng Wang・勝山力（沖電気）
  11. 時間領域解析による 10GHz HBT VCOのノイズ解析
    ◯崎田康一・渡邊祐（富士通研）
  12. 偶高調波形ミクサを用いたダイレクトコンバータのダイナミックレンジ
    ◯下沢充弘・川上憲司・伊東健治・飯田明夫（三菱電機）
  13. 1.9GHzダイレクトコンバージョン方式による可変減衰器付き直交変調器
    ◯佐々木忠寛・大高章二・前田忠彦・梅田俊之・西堀一弥・亀山敦・広瀬真由美・北浦義昭・内富直隆（東芝）
  14. HJ-FETを用いた3.4V, 1.5GHz帯デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
    ◯長谷川安昭・小形幸範・山口佳子・岩田直高・金森幹夫・伊東朋弘（NEC）
19日
  1. プラスチックパッケージを用いたGaAs SPDTスイッチICの超小型・高アイソレーション化
    ◯宇田尚典・平井利和・富永久昭・野川薫・澤井徹郎・東野太栄・原田八十雄（三洋電機）
  2. pnレベルシフトダイオードを有する超高速InAlAs/InGaAs HEMT IC
    ◯榎木孝知・楳田洋太郎・長船一雄・伊藤弘・石井康信（NTT）
  3. 超低消費電力2.4Gbps 8:1 MUX/1:8DEMUX
    ◯吉田信秀・沼田圭市・藤井正浩・徳島正敏・和田茂己・深石宗生・石川昌興・前多正（NEC）
  4. ディジタル可変遅延回路マクロセル搭載可能GaAs 10K ゲートGate Array
    ◯太田彰・東坂範雄・島田征明・平間哲也・細木健治・大村隆司・高木直（三菱電機）
  5. 〔特別招待講演〕ヨーロッパマイクロ波会議(EuMC' 95) 出席報告
    広田哲夫（NTT）・粟井郁雄（山口大）・川村博史（ATR）・楳田洋太郎（NTT）
  6. モード整合法とポート反射係数法による導波管H面マイタードベンドの設計
    ◯山根卓・馬哲旺・山下榮吉（電通大）
  7. 多層基板上のツインスロットアンテナの複素共振特性解析
    ◯Pasomphone Hemthavy・銭永喜・山下榮吉（電通大）
  8. 全平面型ミリ波帯イメージングアレーの設計（III）-6素子アレーによるイメージング実験-
    ◯銭永喜・岡田寛正・山下榮吉（電通大）
☆ MW研究会今後の予定　〔　〕内発表申込締切日
2月26日，27日，28日　移動通信用回路・デバイス／一般　RCS研，AP研共催
　機械振興会館〔12月15日(金)〕
3月　休会
4月は「1996 China-Japan Joint Meeting on Microwave（CJMW’ 96）」とし，中国科学技術大学（中国合肥市）で25日(木)，26日(金) に開催します．〔締切済〕
【発表申込・問合先】
　小川博世（NTTワイヤレスシステム研究所）
　　TEL〔0468〕59-8576，FAX〔0468〕59-3351　E-mail: xxx
　本城和彦（NECマイクロエレクトロニクス研究所）
　　TEL〔0298〕50-1511，FAX〔0298〕50-1108　E-mail: xxx