1995年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

開催日時・会場

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，地下鉄都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕3434-8211）

議題

1. イオン注入層とundoped GaAs表面層を備えた埋め込みチャネルWNxゲートGaAsMESFETプロセス
   ◯西堀一弥・北浦義昭・長岡正見・田辺芳一・三原正勝・吉村操・広瀬真由美・内富直隆（東芝）
2. ダミーゲート法を用いたLDD構造GaAs MESFETの生産技術
   ◯中島成・石井学・斉藤吉広・桑田展周・福沢健・小池賢一・志賀信夫・西沢秀明（住友電工）
3. 非対称LDD構造イオン注入チャネルInGaP/GaAs HMESFET
   ◯小野寺清光・西村一巳・井上考・徳光雅美・日向文明・山崎王義（NTT）
4. 0.1 μm耐熱ゲートInGaP/InGaAs/GaAs HMESFET
   ◯山根康朗・杉谷末広・入戸野巧・山崎肇・西村一巳・山崎王義（NTT）
5. 高Gm GaAs基板上歪緩和InAlAs/InGaAs HEMT
   ◯樋口克彦・森光廣・工藤真・三島友義（日立）
6. 光照射によるGaAa MESFETのgate-lag機構評価
   ◯佐々木肇・松林弘人・河野康孝・石原理（三菱電機）

7. GaAs MESFETにおけるキンクに関連したバックゲート効果の解析
   ◯宇佐見一起・堀尾和重（芝浦工大）
8. 新しいセルフアライメント技術を用いた超高速ALE/MOCVD成長InP/InGaAs HBT
   ◯重松寿生・岩井大介・松宮康夫・大西裕明・上田修・藤井俊夫（富士通）
9. カーボンドープGaAsコレクタアップ形HBTの特性と回路応用
   ◯山幡章司・松岡裕（NTT）
10. AlGaAs/GaAs HBT 20Gb/s光通信用IC
    ◯永野暢雄・早田征明・手塚宏・洲崎哲行・本城和彦（NEC）
11. 40Gbps光通信用AlGaAs/GaAs HBT IC
    ◯栗山保彦・赤木順子・杉山亨・本郷禎人・津田邦男・飯塚紀夫・小原正生（東芝）
12. InGaP/GaAs HBTを用いた光変調器駆動用高出力IC
    ◯山内佳紀・永田公一・牧村隆司・中島長明・伊藤弘・石橋忠夫（NTT）
13. 16dB DC-50GHz損失補償型分布ベースバンド増幅器IC
    ◯木村俊二・今井祐記・楳田洋太郎・榎木孝知（NTT）
14. 10Gb/s光通信用位相検出器付き識別回路
    ◯四方誠・西野章・重政良治・藤代博記・西清次・牛窪孝（沖電気）
15. 新しい高速ラッチ動作フリップフロップ回路（HLO-FF）と0.2μm GaAs MESFETを用いた19Gbit/s識別回路への応用
    ◯村田浩一・尾辻康一・大畑正信・富樫稔・佐野栄一・鈴木正雄（NTT）

1. 10Gb/s動作1.3V電源低消費電力n-AlGaAs/i-InGaAs HJFETSCFL回路
   ◯藤井正浩・前多正・大野泰夫・徳島正敏・石川昌興・深石宗生・樋田光（NEC）
2. GaAsスタンダードセルを用いた高速・低消費電力光通信用LSI
   ◯小川康徳・池村国一・関昇平（沖電気）
3. 超高速LSI用0.3μm-Siバイポーラ・プロセス技術
   ◯橋本尚・玉置洋一・佐藤小百合・八木清美・芝健夫（日立）
4. Si基板上のHEMTプリスケーラIC
   ◯志村忠幸・末廣晴彦・大堀達哉・中舎安宏・渡邊祐・黒田滋・滝川正彦（富士通）
5. 新しいTフリップフロップを用いた超高速Siバイポーラスタティック分周期
   ◯石井清・市野晴彦・富樫稔・小林由治・山口力（NTT）
6. 13KゲートGaAs HJFETゲートアレイ
   ◯栗栖正和・金子信・前多正・松野典朗（NEC）

7. フリップチップ実装を用いた新しいミリ波IC -MFIC-
   ◯酒井啓之・吉田隆幸・井上薫・藤田卓・高橋和晃・佐川守一（松下電器）
8. 利得可変MMICに適したモノリシック負電圧発生ICの開発
   ◯西田昌生・澤井徹郎・村井成行・東野太栄・原田八十雄（三洋電機）
9. 低電圧駆動(VDD≦2V) 送信用L帯MMIC用プレーナ型TMTの開発
   ◯澤田稔・藤井栄美・松下重治・寺田聡・井上大二朗・中本博之・原田八十雄（三洋電機）
10. 2V動作効率62%高効率歪チャネルHEMT
    ◯小野秀行・梅本康成・市川博一・森光廣・工藤真・今村慶憲・加賀谷修（日立）
11. 低歪3V動作高出力HJFET
    ◯猪砂佳子・岩田直高・葛原正明（NEC）
12. 11WKu帯WSi/Au T型埋め込みゲートHeterostructure FET
    ◯宇土元純一・小丸真喜雄・國井徹郎・河野康孝・後藤慶・後藤清穀・井上晃・谷野慶之・石原理（三菱電機）
13. 〔特別講演〕移動体通信用携帯端末の小型省電力化技術の動向
    ◯佐川守一・牧本三夫（松下電器）
14. 〔特別講演〕ミリ波応用システムの開発・実用化動向
    ◯瀧本幸男（ミリウェイブ）

1. 14GHz帯20W GaAs電力FET
   ◯斎藤泰伸・葛原徹・大森智仁・甲斐健一郎・石村浩・徳田博邦（東芝）
2. 再成長外部ベース層を有するマイクロ波ミリ波帯バワーHBT
   天宮泰・金昌佑・後藤典夫・田中慎一・古畑直規・間々田正行・嶋脇秀徳・本城和彦（NEC）
3. TABテープを用いたUHF帯マルチチップ高出力増幅器
   ◯野谷佳弘・中島康晴・太田行雄・高木直・三井康郎・石原理（三菱電機）
4. 高出力増幅器における1/2倍波ループ発振の非線形解析
   ◯望月満・中山正敏・垂井幸宣・伊藤康之・辻聖一・高木直（三菱電機）
5. フィードバック素子を装荷したGaAsFETによる簡易型リニアライザ
   ◯森一富・中山正敏・山内和久・伊藤康之・高木直（三菱電機）
6. 回路シミュレーション用非線形HEMTモデルの検討
   廣瀬達哉（富士通）

7. 集中定数型C帯低雑音増幅器
   ◯塚原良洋・佐々木善伸・安藤直人・松林弘人・中原和彦・谷野憲之（三菱電機）
8. W帯低雑音MMIC増幅器
   ◯吉永治之・河崎久夫・安部文一郎・柴田清裕・徳田博邦（東芝）
9. InAlAs/InGaAs/InP HFETを用いた50GHz帯低雑音増幅器のゲートリセス深さに対する感度解析
   ◯楳田洋太郎・榎木孝知・石井康信（NTT）
10. ミリ波帯MMIC誘電体共振発振器
    ◯船橋政弘・大畑恵一・井上隆（ミリウェイブ）・細谷健一・丸橋健一・葛原正明（NEC）・金川潔・小林禧夫（埼玉大）
11. 電磁界シミュレーションによる移動体通信MMIC用プラスチックパッケージの高アイソレーション化の検討
    ◯宇田尚典・澤井徹郎・原田八十雄（三洋電機）
12. ストライプグラウンドを持つ伝送線路の高周波特性とそのモデル化
    ◯高木亜矢子・渕田裕美・羽成淳・松本一宏・吉原邦夫・宮城武史・斎藤雅之・昆野舜夫（東芝）
13. 〔特別講演〕1994年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
    野島俊雄（NTT DoCoMo）・赤池正己（東理大）・安藤真（東工大）・本城和彦（NEC）・服部準（村田製作所）・堀川浩二（NTT）