1994年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

電子デバイス研究会(ED)
専門委員長 冷水佐壽 副委員長 古屋一仁
幹事 和保孝夫・草野忠四郎

マイクロ波研究会(MW)
専門委員長 小林禧夫
幹事 北澤敏秀・平井克己

集積回路研究会(ICD)
専門委員長 榎本忠儀 副委員長 藤田実
幹事 小野寺秀俊・宇佐美光雄 幹事補佐 市野晴彦

開催日時・会場

日時 1月19日(水)10:30〜17:00
   1月20日(木)10:00〜17:00
   1月21日(金)10:00〜17:00
会場 機械振興会館地下3階研修1号室

(港区芝公園3-5-8,JR:浜松町駅下車徒歩約15分,地下鉄日比谷線:神谷町駅下車徒歩約8分,地下鉄都営三田線:御成門駅下車徒歩約6分,東京タワー北側
☎〔03〕3434-8211)

議題

19日午前
  1. リンドープポリSiエミッタを用いた超高速Siバイポーラトランジスタ
    ◯内野俊・芝健夫・菊池俊之・玉置洋一・渡辺篤雄・清田幸弘・本多光晴(日立)
  2. 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いた論理回路
    ◯前澤宏一・明吉智幸・水谷孝(NTT)
  3. 広帯域低電圧GaAs演算増幅器
    ◯長井崇・榎本忠儀(中大)
19日午後
  1. 25KゲートGaAsゲートアレー
    小柳まや・金子良明・永田幸平・清水治夫・岡本正明・清水聡(富士通)
  2. 3GHz GaAs PLLクロック発生器
    ◯奥山俊幸・榎本忠儀(中大)
  3. 超低電圧駆動高速フリップフロップ TD-FF
    ◯沼田圭市・前多正・徳島正敏・石川昌興・深石宗生・樋田光・大野泰夫(NEC)
  4. 2.5Gb/sGaAs 8×8自己ルーチングスイッチLSI
    ◯山田浩幸・角谷昌紀・兼山文康・関昇平(沖電気)
  5. 10Gb/s GaAs DCFL 8:1マルチプレクサ1:8デマルチプレクサ
    ◯市岡俊彦・山本伸介・四方誠・関昇平(沖電気)
  6. 10Gbps 対応LSI パッケージ
    ◯島田征明・加藤隆幸・野谷佳弘・東坂範雄・谷野憲之・三井康郎(三菱電機)
20日午前
  1. 2 × 2 散乱行列を用いたHBTキャリア輸送のモデリング
    ◯田中慎一・Mark Londstrom(NEC)
  2. 絶縁膜埋め込み型AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
    ◯望月和浩・中村徹・田上知紀・増田宏・堀内勝忠(日立)
  3. HBTの高電力付加効率動作についての検討
    ◯小丸真喜雄・井上晃・紫村輝之・酒井将行・宇土元純一・倉垣丈志・谷野憲之・三井茂(三菱電気)
  4. InP/InGaAs HBTプロセスに完全整合した集積化受光回路
    ◯佐野栄一・米山幹夫・中島裕樹・松岡裕(NTT)
20日午後
  1. 〔特別講演〕ミリ波応用システムを実現するための化合物半導体への期待
    ◯瀧本幸男・井上明彦・大畑惠一(ミリウエイブ)
  2. サブミリアンペア動作超高速InP/InGaAs HBT
    ◯中島裕樹・栗島賢二・山幡章司・小林孝・松岡裕(NTT)
  3. 移動通信用HEMT低雑音増幅器
    ◯清水敏彦・藤岡徹・長谷英一・谷本琢磨・森光廣・山根正雄(日立)
  4. ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
    ◯船橋政弘・大畑恵一・恩田和彦(ミリウエイブ)・井上隆・細谷健一・丸橋建一・葛原正明(NEC)
  5. 低温スパッタリング法による高誘電体SrTiO3薄膜容量素子のGaAs-ICプロセスへの適用
    ◯西辻充・田村彰良・國久武人・八幡和宏・澁谷宗裕・北川雅俊・平尾孝(松下電器)
  6. スパイラルインダクタの低損失化
    ◯茶木伸・青野眞司・安藤直人・佐々木善伸・谷野憲之(三菱電機)
  7. バンプヒートシンク技術
    長谷川正智・佐藤浩哉・宮宇地真人・◯作野圭一・赤木政則・J. K. Twynam・山村圭司・富田孝司(シャープ)
21日午前
  1. FETの直流特性より大信号特性を求める計算法
    ◯森一富・中山正敏・伊藤康之・高木直(三菱電機)
  2. 耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
    ◯塩島謙次・西村一巳・日向文明(NTT)
  3. UHF帯低電圧動作高効率高出力FET増幅器
    ◯中山正敏・森一富・伊藤康之・村上哲・中島康晴・前村公正・関博昭・高木直(三菱電機)
  4. InAlAs/InGaAs HEMT雑音特性のデバイスパラメータ感度解析
    ◯楳田洋太郎・榎木孝知・石井康信(NTT)
21日午後
  1. 進行波形電力分配・合成FETを用いた超広帯域モノリシック高出力増幅器
    ◯伊藤康之・新居眞敏・河野康孝・望月満・高木直(三菱電機)
  2. InAlAs層にAlAs層を挿入した金属/InAlAs/AlAs/n-InAlAs構造のダイオード特性
    ◯宮本広信・中山達峰・大石恵美・佐本典彦(NEC)
  3. InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
    ◯恩田和彦・富士原明・水木恵美子・中山達峰・宮本広信・佐本典彦・葛原正明(NEC)
  4. 新ヘテロ接合FET:TMT( 2モードチャネルFET)
    ◯澤田稔・松村浩二・井上大二朗・中本博之・原田八十雄(三洋電機)
  5. 〔特別講演〕1993年GaAsICシンポジウム出席報告
    山根康郎・中津川征士(NTT)・前多正(NEC)・宇田尚典(三洋電機)
  6. 〔特別講演〕1993年ヨーロッパマイクロ波会議の出席報告
    常信和清(富士通研)・都竹愛一郎(通信総研)・平塚敏朗(ATR)・松村和仁(宇都宮大)・志垣雅文(富士通)
◆ IEEE MTT-S Tokyo Chapter共催
☆ MW研究会今後の予定 〔 〕内発表申込締切日
2月17日(木),18日(金) 機械振興会館 「移動通信システム,回路,
 アンテナ」(RCS,A•P研究会共催)〔12月15日〕
【問合先】下記の幹事まで
 北澤敏秀 〒316 日立市中成沢町4-12-1,茨城大学工学部電気電子工学科
  ☎〔0294〕35-6101 内線256,FAX〔0294〕37-2809
 平井克己 〒191 日野市旭が丘3-1-1,東芝通信技術研究所
  ☎〔0425〕85-3048,FAX〔0425〕85-3035