1992年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

開催日時・会場

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，地下鉄都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕3434-8211）

議題　ー 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス ー

1. 〔招待講演〕MMICの高集積化に向けた回路小型化技術の動向
   ◯徳満恒雄・相川正義（NTT）
2. 半絶縁性基板上pバッファ層付きGaAs MESFET の計算機解析
   ◯奥村尚久・伏屋康治・堀尾和重（芝浦工大）
3. ホトルミネセンスによる化合物半導体集積回路プロセスの定量的評価法
   ◯沼田圭市・斎藤俊也・沢田孝幸・長谷川英機（北大）
4. 表面準位を考慮したGaAs MESFET ゲートラグのシミュレーション
   ◯西澤博・矢野仁之・後藤典夫・大野泰夫（日電）
5. GaAs MESFET サイドゲート効果の時間応答測定
   ◯後藤典夫・矢野仁之・大野泰夫（日電）
6. GaAs MESFET におけるサイドゲート効果と低周波発振の関係
   ◯矢野仁之・後藤典夫・大野泰夫（日電）

7. 一定電流条件下におけるGaAs FETの低ひずみ化
   ◯小泉治彦・長田俊輔・萩尾正博・数村勝（松下電子）
8. InGaP 薄膜によるGaAs表面安定化
   ◯日向文明・青木達雄・杉谷末広・浅井和義・今村義宏（NTT）
9. Au/WSiN ゲートGaAs-MESFET の低雑音特性
   ◯小野寺清光・西村一巳・杉谷末広・浅井和義（NTT）
10. エンハンスメントモードInGaAs/AlGaAs 逆構造HEMTの雑音特性
    ◯大室和彦・藤代博記・伊東昌章・中村浩・猪口和之・西清次（沖電気）
11. 低雑音InAlAs/InGaAs HEMT
    ◯楳田洋太郎・榎木孝知・荒井邦博・石井康信（NTT）
12. 低電流動作用InGaAsチャネル HEMT
    ◯谷本琢磨・工藤真・三島友義・森光廣・山根正雄（日立）
13. U帯200mW 電力 HEMT
    ◯荒井重光・小島治夫・大塚薫・川野充郎・渡辺茂・石村浩・徳田博邦（東芝）
14. チャネル表面にi層を配した高出力 GaAs MESFET
    ◯岩田直高・水谷浩・平山裕光・望月晃（日電）
15. ステップドープ・埋込みゲート構造高出力MESFET
    ◯高橋英匡・麻埜和則・松永高治・岩田直高・望月晃・平山裕光（日電）

1. ミリ波帯モノリシック低雑音増幅器
   ◯柏卓夫・中原和彦・細木健治・加藤隆幸・小崎克也・巳浪裕之・長浜弘毅・三井康郎（三菱電機）
2. ミリ波帯FETセル直結型高出力モノリシック増幅器
   ◯高木直・豊嶋元・堀家淑恵・清野清春（三菱電機）
3. Ku帯コンバータ
   ◯宮龍也・吉田貞義・田原和弘・上村和義（日電）
4. GaAs MMIC 用小形受動素子
   ◯平野真・今井祐記・浅井和義（NTT）
5. 広帯域増幅回路モジュール
   ◯細谷正風・石塚文則・熊木みつ江・高知尾昇・小野寺清光（NTT）
6. InP/InGaAs HBTのコレクタ電子輸送特性
   ◯栗島賢二・中島裕樹・深井佳乃・松岡裕・石橋忠夫（NTT）
7. 酸素イオン注入によるコレクタアップ形 AlGaAs/GaAs HBTの製作
   ◯山幡章司・松岡裕・石橋忠夫（NTT）

8. 〔基調講演〕化合物電子デバイスの問題点と将来
   長谷川英機（北大）
9. 10Gbit/s IC用 GaAs HBTデバイス，プロセスの開発
   ◯増田宏・望月和浩・石川洋輔・河田雅彦・宮崎勝・草野忠四郎（日立）
10. 高安定，高性能，微小 AlGaAs/GaAs HBTIC製作技術
    ◯入戸野巧・永田公一・山内佳紀・牧村隆司・伊藤弘・中島長明（NTT）
11. Beドープ AlGaAs/GaAs HBTの信頼性
    ◯野津哲郎・津田邦男・浅香正行・小林虎吉・小原正生（東芝）
12. 結合量子井戸ベース共鳴トンネルトランジスタ
    ◯和保孝夫・前沢宏一・水谷孝（NTT）
13. パネル討論
    MMICの今後の技術展望　-高性能化・高機能化・小形化-
    オーガナイザ／座長：赤池正巳（ATR）
    
    パネリスト：厚木和彦（電通大）・大畑恵一（ミリウェーブ）・小川博世（ATR）・
    高木直（三菱電機）・徳満恒雄（NTT）・渡辺茂（東芝）

1. 〔招待講演〕HEMT LSIの開発の現状
   滝川正彦（富士通研）
2. AlGaAs/GaAs BCT のICへの適用
   ◯松岡裕・山幡章司・市野晴彦・佐野英一・石橋忠夫（NTT）
3. 15GHz AlGaAs/GaAs HBT低位相偏差リミッタ増幅器IC
   ◯中村誠・今井祐記・佐野栄一・山内佳紀・中島長明（NTT）
4. AlGaAs/GaAs HBT を用いた20 Gbit/s SSI ファミリ
   ◯市野晴彦・山内佳紀・中島長明・永田公一・入戸野巧（NTT）
5. AlGaAs/GaAs HBT を用いた超高速可変分周器
   ◯山内佳紀・中島長明・永田公一・入戸野巧・牧村隆司・山崎肇・伊藤弘（NTT）
6. AlGaAs/GaAs HBT によるオペアンプIC
   ◯樋山智・橋本英喜・櫻井伸弘・武部克彦（本田技研）

7. 高負荷駆動能力・低消費電力GaAs論理回路方式
   ◯川田篤美・田中広紀・以頭搏之・永井謙治・松永信敏・吉原和弘（日立）
8. GaAs FETを用いた新しい定電流回路の評価とカスコード形回路の提案
   ◯小寺信夫・上野達也・平野徹・中島健一郎・堀田学（九工大）・山下喜市（日立）
9. 移動通信用低消費電力GaAs IC
   ◯酒井啓之・手束明稔・森義一・佐川守一・加藤敏明・伊藤順治・藤本和久（松下電器）
10. ソース入力型0.5μm GaAs MESFET 10GHz T-FF/D-FF IC
    ◯吉原邦夫・梅田俊之・井上智利・石田賢二・北浦義昭・昆野舜夫（東芝）
11. InGaAs/AlGaAs 逆構造 HEMT による20Gb/s DCFL 回路
    ◯藤代博記・辻弘美・四方誠・田中幸太郎・西清次（沖電気）
12. InGaP/InGaAs/GaAs HEMTのIC化の検討
    ◯滝川正彦・末広晴彦・宮田忠幸・黒田滋・大堀辰也（富士通研）
13. 1 GHz 50μW SIMOX/SOI 1/2分周器
    ◯藤島実・山下雅樹・池田誠・浅田邦博（東大）・大林泰久・泉勝俊・酒井徹志（NTT）・菅野卓雄（東大）
14. Auエアブリッジ配線構造によるGaAs LSIの高速化検討
    野田実・松岡敬・東坂範雄・◯島田征明・牧野博之・三井康郎（三菱電機）
15. STM 16用低消費電力 16:1 MUX/DMUX DMT LSI
    ◯藤井正浩・徳島正敏・石川昌興・前多正・樋田光・大野泰夫・高野勇（日電）
16. 1 Gbit/s GaAs 8×8 自己ルーチングスイッチ LSI
    ◯山田浩幸・関昇平・角谷昌紀・佐野芳明・川上康・秋山正博（沖電気）