1991年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 長谷川文夫　副委員長 長谷川英機
幹事 石原理・高梨良文

マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 米山務
幹事 飯田明夫・相川正義

集積回路研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 堀口勝治　副委員長 田丸啓吉
幹事 榎本忠儀・笠井良太　幹事補佐 中屋雅夫

開催日時・会場

日時　1月16日（水）13:00〜17:00
　　　1月17日（木）9:30〜17:00
　　　1月18日（金）9:30〜17:00
会場　機会振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，地下鉄都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕3434-8211）

議題　ー 化合物半導体 IC とマイクロ波・ミリ波デバイス ー

16日

1. GaAs上にECR-PCVDで堆積したSiO₂膜の界面特性
   ◯杉谷末広・浅井和義（NTT）
2. GaAs MESFETのスケーリングにおける界面準位の効果
   ◯広瀬真由美・内富直隆（東芝）
3. 回路解析用GaAs MESFETの容量モデル
   長谷英一（日立）
4. GaAs MESFETの線形／非線形等価回路モデルの予測
   ◯坂本孝一・當山勝利・福田進・有吉昶（村田製作所）
5. GaAs MESFET特性における基板成分の影響
   浅井周二（日電）
6. パルスドープ構造GaAs MESFETの特性解析
   ◯中島成・乙部健二・桑田展周・志賀信夫・関口剛・松崎賢一郎・林秀樹（住友電工）
7. 薄層チャネルGaAs-MESFET における低温DC特性
   ◯西村一巳・小野寺清光・杉谷末広・浅井和義（NTT）

17日午前

1. 高効率GaAsバイパスゲーティッドパワーFET
   ◯斉藤範嗣・古川秀利・金沢邦彦・萩尾正博・数村勝（松下電工）・池田光・上野伴希（松下電器）
2. 埋込ヒートシンクによるGaAs高出力FETの特性改善
   ◯石川高英・岡庭一浩・小崎克也・小丸真喜雄・野谷信弘・小引通博・三井康郎・折坂伸治・西谷和雄（三菱電機）
3. Be ドープAlGaAs/GaAs HBTのコレクタ電流変動とZn 拡散による変動抑止
   ◯中島長明・伊藤弘・入戸野巧・永田公一・牧村隆司（NTT）
4. f_MAX=117GHzのMOCVD-C ドープAlGaAs/GaAs HBT
   ◯佐藤浩哉・John K. Twynam・紀之定俊明・清水正文・富田孝司（シャープ）
5. 外部ベース選択成長技術によるHBT のベース抵抗低減
   ◯嶋脇秀徳・古畑直規・本城和彦（日電）

17日午後

6. AlGaAs/GaAs HBTモノリシック超広帯域増幅器
   ◯永野暢雄・洲崎哲行・嶋脇秀徳・岡本明彦・本城和彦（日電）
7. GaAs基板上 (InAs)(GaAs) 短周期超格子チャネル2DEGFET
   ◯恩田和彦・豊島秀雄・水木恵美子・佐本典彦・牧野洋一・葛原正明・伊藤朋弘（日電）
8. エアブリッジ配線を用いた多給電ゲートHEMT
   ◯細木健治・加藤隆幸・松岡敬・已浪裕之・小崎克也・長浜弘毅・西谷和雄（三菱電機）
9. MOCVD成長エビ結晶によるn-InGaP/GaAs HEMT
   ◯三谷英三・鈴木雅久・横山照夫・末廣晴彦・武智勝・滝川正彦・三村高志・安部正幸（富士通研）
10. サブ1/4μmゲート InAlAs/InGaAs HEMTの電流利得遮断周波数
    ◯榎木孝知・荒井邦博・石井康信・玉村敏昭（NTT）
11. 低温動作HEMTLSI の高速特性評価
    ◯中舎安宏・日高紀雄・浅田善己・小林直樹・平地康剛（富士通研）
12. X帯ヘリウム冷却低雑音HEMT増幅器
    林友直・横山幸嗣（宇宙科学研）・◯清野清春・長浜弘毅・高木直（三菱電機）

18日午前

1. 30GHz帯高出力InGaAs/AlGaAs pseudomorphic HEMT
   ◯森光廣・矢ノ倉栄二・山根正雄・三島友義・高濱光治・大西正己・関根健治（日立）
2. Hi-LoドーピングHEMTを用いた12GHz低雑音MMICアンプ
   ◯大石芳郎・塚田浩司・金沢邦彦・竹中浩・西馬正博・萩尾正博・数村勝（松下電子）
3. 広帯域中心周波数可変形帯域通過フィルタ
   豊田幸弘・◯里村裕（阪工大）
4. 位相分割回路を用いた広帯域アクティブ電力分配器，ハイブリッド結合器および結合量可変形方向性結合器
   豊田幸弘・◯里村裕（阪工大）
5. 26GHz 帯ユニプレーナ型MMlC直並列分配・合成増幅器
   ◯中津川征士・村口正弘（NTT）

18日午後

6. 電子ビーム直接描画技術を用いたMMICの設計・作製方法
   ◯山田節・西田昌生・野川薫・今岡俊一・澤井徹郎・原田八十雄（三洋電機）
7. 1.5GHz GaAs直交変調器IC
   ◯前村公正・沖和也・紫村輝之・野田実・石田博一・石原理（三菱電機）
8. 3層配線を用いた4.4ns/2W GaAs16KbSRAM
   ◯中野博文・野田実・酒井将行・松江修一・奥友希・牧野博之・高野博三・西谷和雄（三菱電機）
9. GaAs IC用Rh/Au/Rhエアーブリッジ配線技術
   ◯井上智利・富田健一・北浦義昭・寺田俊幸・内富直隆（東芝）
10. TVチューナ用オッシレータ・ミクサIC
    ◯中塚忠良・渡辺厚司・尾関浩明・坂下誠司・南部修太郎（松下電器）
11. 2.4Gb/s 光伝送用GaAsICセット
    ◯高井厚志・北村圭一・纐纈達也・八田康・松田弘成・松平信洋・浜岸孝博・遠藤伸晴（日立）
12. 10Gb/s GaAs MESFET ICファミリ
    ◯富樫稔・村田浩一・大畑正信・金藤英明・鈴木正雄・井野正行（NTT）

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