1990年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 長谷川文夫
幹事 石井康信・石原理

マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 米山務
幹事 小林禧夫・飯田明夫

集積回路研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 堀口勝治　副委員長 田丸啓吉
幹事 榎本忠儀・富沢治　幹事補佐 笠井良太

開催日時・会場

日時　1月17日（水）13:00〜17:15
　　　1月18日（木）9:00〜17:15
　　　1月19日（金）9:00〜16:15
会場　機会振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，地下鉄都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕434-8211）

議題　テーマ ー 化合物半導体 IC とマイクロ波・ミリ波デバイス ー

17日　ＥＤ，ＭＷ共催

1. 真空 RTA による高均一イオン注入 GaAs 活性層の形成
   ◯河野通久・樋田光・藤井正浩・小川裕美・塚田安利・前多正・大畑恵一（日電）
2. GaAs LSI 用サブミクロンゲート p 層埋込み型 FET の LDD 化による均一性・高速性の改善
   ◯野田実・細木健治・前村公正・加藤隆幸・中島康晴・西谷和雄・大坪睦之（三菱電機）
3. GaAs SAG FET の非対称特性に及ぼすビエゾ効果の影響
   ◯河野康孝・檜垣幸夫・高野博三（三菱電機）
4. Wsi ゲート電極と AuGe/Ni/Au オーミック電極の直接接続プロセスの検討
   ◯今村慶憲・小田浩・宮崎勝・小橋隆裕・柳沢寛（日立）
5. 新リセスゲート構造による短ゲート HEMT IC の高速化
   ◯末広晴彦・鈴木雅久・三谷英三・横山照夫・三村高志・安部正幸（富士通）
6. 新高速信号線路 (LGCL) の検討
   ◯昆野舜夫・吉原邦夫・石田賢二・脇本啓嗣・清水庄一（東芝）
7. 化合物半導体用2次元過渡解析シミュレータ BIUNAP-CT
   ◯矢野仁之・熊代成孝・後藤典夫・大野泰夫（日電）
8. GaAs ディジタル IC 用素子分離の2次元数値解析
   ◯広瀬真由美・石田賢二・内富直隆・豊田信行（東芝）

18日午前　ＥＤ，ＭＷ，ＩＣＤ共催

1. ソフトエラー耐性を改善した 7ns/2.1W GaAs 16Kb SRAM
   ◯松江秀一・牧野博之・野田実・谷野憲之・高野聡・西谷和雄・茅野晋平（三菱電機）
2. 超高速 GaAs 1k SRAM
   ◯頼康彦・中泉一雄・松尾昌彦・田中優次・森川博司・上武一孝・小野寺和正・古塚岐（日電）
3. 電流センス方式を採用した GaAs 4kb SRAM の特性評価
   ◯田中広紀・山下寛樹・今村慶憲・柳沢寛（日立）
4. 0.5μm Wsi ゲート MESFET をもちいた 4Gb/s GaAs ゲートアレイ
   ◯斎藤仁・平山裕光・土屋貴敬・岸一弘・細野泰宏・田中優次・上武一孝・古塚岐（日電）
5. GaAs 32 ビット非同期方式シリアルデータ送信機・受信機
   ◯小川康徳・吉村和則・森春夫・川上康（沖電気）
6. 10-Gbit/s レーザドライバ DMTIC
   ◯鈴木康之・樋田光・洲崎哲行・藤田定男・岡本明彦・前田正・大畑恵一（日電）

18日午後　ＥＤ，ＭＷ，ＩＣＤ共催

7. 超小型低消費電力 GaAs プリスケーラ
   ◯酒井啓之・長谷川克也・手束明稔・田村彰良・南部修太郎（松下電器）
8. AlGaAs/GaAs HBT による超高速分周器 IC
   ◯山内佳紀・中島長明・永田公一・伊藤弘・石橋忠夫（NTT）
9. 8 Gb/s GaAs DCFL 4ビットマルチプレクサ/デマルチプレクサ IC
   ◯四方誠・田中幸太郎・山本伸介・川上康・秋山正博（沖電気）
10. InP 系高速受光 OEIC の試作・評価
    ◯阿河圭吾・矢野浩・亀井英徳・佐々木吾朗・林秀樹（住友電工）

ＥＤ，ＭＷ共催

11. AlGaAs 保護層を有する完全セルフアライン AlGaAs/GaAs HBT
    ◯羽山信幸・本城和彦（日電）
12. ブリッジ形ベース電極構造を用いた極微小エミッタ AlGaAs/GaAs-HBT
    ◯永田公一・中島長明・入戸野巧・山内佳紀・石橋忠夫（NTT）
13. クロライド系有機金属を用いた常圧 MOCVD による AlGaAs の選択エピタキシャル成長
    ◯山口浩一・岡山孝太郎（電通大）
14. CaSrF₂/GaAs ヘテロ界面の電気的特性
    ◯佐伯秀雄（慶大）・和保孝夫（NTT）

19日午前　ＥＤ，ＭＷ共催

1. 0.1μmT 型ゲートプレーナドープ pseudomorphic 低雑音 HEMT
   ◯川崎久夫・生熊良行・安部文一朗・石村浩・徳田博邦（東芝）
2. パルスドープ構造低雑音 GaAs MESFET
   ◯乙部健二・中島茂・桑田展周・松崎賢一郎・志賀信夫・林秀樹（住友電工）
3. 衛星放送用低雑音 MMIC 増幅器
   ◯山根正雄・森光広・高橋進・野田正樹・瓜生健（日立）
4. BS チューナ用低雑音低ひずみ GaAs ミキサー・オシレータ IC
   ◯八木田秀樹・寺尾篤人・恒岡道朗・渡辺厚司・反保敏治・南部修太郎（松下電器）
5. 2次元シミュレーションによる半絶縁性基板上 GaAs MESFET の小信号解析
   ◯伏屋康治・楠木寛之・堀尾和重・柳井久義（芝工大）
6. GaAs MESFET ひずみ特性の要因解析
   ◯長田俊輔・金沢邦彦・西馬正博・萩尾正博（松下電子）

19日午後　ＥＤ，ＭＷ共催

7. GaAs FET ミクサの動作特性
   ◯清水昌彦・大洞喜正（富士通）
8. モジュール構成による超小型・広帯域 MMIC ミクサ
   ◯竹中勉（ATR）・原信二（シャープ）・徳満恒雄（ATR）
9. 橋絡 T 形ローパスフィルタ回路を用いた分布形および抵抗整合形アクティブ電力分配器
   伊藤康之（東京計器）
10. ポリイミドを用いた多層化 MMIC による超小型ハイブリッド回路
    ◯中本博之・平岡孝啓・徳満恒雄（ATR）
11. 平衡変調 LUFET (線路一体化 FET )の構成と特性
    ◯原信二（シャープ）・徳満恒雄（ATR）
12. 集中定数化 L 帯高出力モノリシック増幅器
    ◯望月満・磯田陽次・高木直・安藤直人・浦崎修治（三菱電機）

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