1989年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 生駒俊明
幹事 大畑恵一・石井康信

マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 内藤喜之
幹事 斉藤俊幸・小林禧夫

集積回路研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 佐々木元　副委員長 堀口勝治
幹事 榎本忠儀・富沢治

開催日時・会場

日時　1月19日（木）9:00〜17:00
　　　1月20日（金）9:00〜17:00
会場　機会振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕434-8211）

議題　ー 化合物半導体 IC およびマイクロ波・ミリ波デバイス ー

19日午前　ＥＤ，ＭＷ共催
  1. マイクロ波電界効果トランジスタの高精度な雑音パラメータ測定法
    ◯西田昌生・沢井徹郎・原田八十雄（三洋電機）
  2. 超低温冷却 HEMT 増幅器
    ◯浜辺剛志・斉藤民雄（富士通研）・大村宗司・耳野裕（富士通）
  3. マイクロ波 IC パターンの CAD
    ◯高殿秀明・長谷川昌昭・功刀賢・西田幸治（三菱電機）
  4. 30GHz 帯高出力 GaAs FET
    ◯森光広・矢ノ倉栄二・比留間健之・高橋進・関根健治・中島秋重（日立）
  5. 28GHz 帯モジュール化高出力 FET 増幅器
    ◯清野清春・高木直・望月満・礒田陽次・小引通博・今井芳彦・浦崎修治（三菱電機）
  6. レーダトランスポンダ製品化の報告
    ◯川上陽一・西田幸治（三菱電機）
19日　午後　ＥＤ，ＭＷ共催
  1. AlGaAs/GaAs セルフアライン HBT を用いた 20-28GHz 帯モノリシック発振器
    ◯M. マディヒアン・嶋脇秀徳・本城和彦（日電）
  2. Ku 帯 GaAs モノリシック発振分周回路
    ◯村口正弘・長船一雄（NTT）
  3. 15GHz ダイナミック型 GaAs プリスケーラの開発
    ◯藤田健二・熊本洋・伊藤仁・山本隆一郎（日電）
  4. 2次元数値解析による In GaAs MODFETの特性比較
    ◯宮野信治・広瀬真由美・石田賢二・内富直隆（東芝）
  5. InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP 2DEGFET の高周波特性
    ◯黒田崇郎・三島友義・中村均・大野智弘・宮崎隆雄・K. Pedrotti（日立）
  6. AlGaSb/GaSb 系 HBT の試作
    ◯古川昭雄・水田正志（日電）
  7. 2DEG-HBT の2次元数値シミュレーション
    Prtrick Rabinzohn・◯宇佐川利幸・水田博・高橋進・山口憲（日立）
  8. pnp 型 2DEG-HBT のノンアロイエミッタ電極の検討
    ◯宇佐川利幸・Patrick Rabinzohn・小林正義・河田雅彦（日立）・山田巧・徳光永輔・小長井誠・高橋清（東工大）
  9. C2H6/H2 RIE により端面形成した 1.5μm 帯 In GaAs P/InP レーザ
    松井輝仁・◯杉本博司・大石敏之・阿部雄次・大塚健一（三菱電機）
20日　午前　ＥＤ，ＭＷ共催
  1. 高温アニールしたふっ化物 - GaAs 界面の特性とその MIS デバイスヘの応用
    ◯金光浩・石原宏・古川静二郎（東工大）
  2. 再成長 n+ -Ge/AlGaAs ヘテロ構造の界面特性とその n+ -Ge ゲート MISFET への応用
    ◯前沢宏一・水谷孝（NTT）
  3. 選択成長 MOCVD n+ 層を有する i-AlGaAs/n-GaAs ヘテロ構造 FET
    ◯高谷信一郎・重田淳二（日立）
  4. 選択 RIE 法を用いた E/D 構成 LDD 構造 DMT
    ◯塚田安利・樋田光・小川裕美・豊島秀美・藤井正浩・芝原健太郎・河野通久・野崎忠敏（日電）
  5. ノンアロイオーミック電極を用いた HEMT LSI プロセス技術
    ◯黒田滋・原田直樹・片上輝彦・三村高志・安部正幸（富士通研）
  6. Si 基板上に形成した GaAs/AlGaAs 電力用ヘテロバイポーラトランジスタ
    ◯上田大助・J. S. Harris（松下電子）
20日　午後　ＥＤ，ＭＷ，ＩＣＤ共催
  1. 半絶縁性基板内の深いトラップを考慮した GaAs MESFET の数値シミュレーション
    ◯浅田和浩・堀尾和重・柳井久義（芝工大）
  2. Sub-0.5μm 高速 GaAs JFET IC テクノロジー
    ◯和田勝・奥洞明彦・高野知明・川崎英俊・飛田幸男・笠原二郎（ソニー）
  3. P埋込み層を有するセルフアラインゲート FET を用いた4Kbit SRAM プロセス
    ◯野田実・細木健治・住谷光一・中野博文・牧野博之・西谷和男・大坪睦之（三菱電機）
  4. 新定電流源・DFET カレントミラー回路
    ◯小寺信夫・山下喜市・北村圭一・香山聡・八田康（日立）
  5. AlGaAs/GaAs-BCT を用いた超高速 ECL 回路
    ◯永田公一・中島長明・山内佳紀・入戸野巧・伊藤弘・石橋忠夫（NTT）
  6. 31GHz GaAs MESFET スタティック分周器
    ◯徳光雅美・小野寺清光・浅井和義（NTT）
  7. 0.5μm WNx ゲート GaAs MESFETを用いた 5GHz MSI
    ◯石田賢二・松永徳彦・宮野信治・脇本啓嗣・内富直隆（東芝）
  8. 超高速 GaAs IC
    ◯大畑正信・萩本和男・加藤直規・平山昌宏（NTT）
  9. 75℃で動作する 7ns/800mW の GaAs 4K ビット RAM
    ◯牧野博之・松江秀一・野田実・谷野憲之・高野聡・西谷和雄・茅野晋平（三菱電機）
◉ 電気学会；電子デバイス研究会（委員長 鶴島稔夫）共催．