1988年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 生駒俊明
幹事 水谷孝・大畑恵一

マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 内藤喜之
幹事 岡部洋一・斉藤俊幸

集積回路研究会（ＩＣＤ）
専門委員長 佐々木元　副委員長 堀口勝治
幹事 中村哲夫・榎本忠儀

開催日時・会場

日時　1月20日（水）9:00〜18:00
　　　1月21日（木）9:00〜17:00
会場　機会振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，JR：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕434-8211）
ICDの資料は20日議題(11)〜(18)のみです．

議題　テーマ：化合物半導体 IC およびマイクロ波・ミリ波デバイスー

20日
  1. GaAs ショットキーダイオードの電気的特性に対する蒸着時の損傷の影響
    ◯石見芳夫・森田嘉彦・奥村次徳（都立大）
  2. RIE(Reactive Ion Etching)によって GaAs に導入される損傷欠陥の評価
    ◯萩原靖彦・生駒俊明（東大）
  3. AuGe/Ni オーミック電極合金の冷却速度の影響
    ◯山根康朗・牧村隆司・浅井和義・平山昌宏（NTT）
  4. 熱波測定による GaAs イオン注入層評価
    ◯内富直隆・三上等（東芝）
  5. ステレオ投影図を用いた GaAs 面チャネリング効果の解析
    ◯三上等・内富直隆（東芝）
  6. 厚膜レジストを用いた高密度バンプ形成技術 - 化合物半導体デバイス実装への応用 -
    ◯森孝夫・小野里陽正・結城文夫・水石賢一（日立）
  7. 極太サイドウォールを用いた 0.5μm ゲート GaAs MESFET プロセス技術
    ◯猪口和之・山本伸介・角谷昌紀・江川孝・佐野芳明（沖電気）
  8. 2次元数値解析によるサブミクロンp層埋込型 MESFET の最適化
    ◯宮野信治・広瀬真由美・松永徳彦・石田賢二（東芝）
  9. イオン注入型 GaAs MESFET の Vth を左右する要因，プロセスおよび基板
    斉藤靖幸（東芝）
  10. GaAs MESFET-IC におけるサイドゲート効果のモデル
    ◯後藤典夫・大野泰夫（日電）
  11. DCFLを用いたフリップフロップの超高速化の検討
    ◯四方誠・田中幸太郎・秋山正博（沖電気）
  12. Au/WSiN ゲート GaAs MESFET を用いた 15GHz 1/4 分周器
    ◯徳光雅美・小野寺清光・首藤啓樹・浅井和義（NTT）
  13. 低電力 BFL を用いた ECL コンパチブル GaAs ゲートアレイ
    ◯杉崎至郎・清水治夫・遠山圭・中野智広・野上雅春・須山勝彦（富士通）
  14. 2Gb/s 帯光通信用 LD 駆動 IC
    ◯山下喜市・新井功・八田康・小寺信夫・高井厚・前田稔・長野克之（日立）
  15. 高速完全セルフアライン AlGaAs/GaAs へテロ接合バイポーラトランジスタ
    ◯羽山信幸・M. マディヒアン・岡本明彦・豊島秀雄・高橋秀樹・本城和彦（日電）
  16. サブミクロン・ゲート HEMT の電気的諸特性
    ◯栗野祐二・小杉真人・三村高志・安部正幸（富士通研）
  17. サブミクロン HEMT LSI 用の素子モデルと回路シミュレーション
    ◯小野雅章・浅田善己・納冨成司・小林直樹・安部正幸（富士通研）
  18. 0.5μm ゲート HEMT を用いた高速 1k×4ビットスタティック RAM
    ◯納冨成司・栗野祐二・小杉真人・小林直樹・石割秀敏・小谷紘一郎・三村高志・安部正幸（富士通研）
21日
  1. MMIC 用多層ゲート構造セルフアライン MESFET
    ◯伊藤和彦・細木健治・加藤隆幸・高野博三・西谷和雄（三菱）
  2. 新ダミーゲートプロセスを用いた MMIC 用 GaAs MESFETの試作と評価
    ◯反保敏治・石川修・八木田秀樹・井上薰・小沼毅（松下電器）
  3. Ka 帯 MMIC 整合形高出力 GaAs FET
    ◯中島秋重・大西正己・関根健治・船木治彦・矢ノ倉栄二（日立）
  4. TV チューナ用 GaAs IC
    ◯長嶋敏夫・水上博之・作田健・品川充久・坂本和道（日立）
  5. 15GHz 帶 GaAs 1段デュアル・ゲート FET アナログ分周器 MMIC
    ◯金沢邦彦・数村勝（松下電子）
  6. 選択ドープ FET 構造における電荷制御
    ◯安藤裕二・伊東朋弘（日電）
  7. 高耐圧 2DEG FET の高性能化
    ◯山根正雄・宇佐川利幸・小林正義・三島友義・高橋進（日立）
  8. N+セルフアライン 2DEGFET における P シートバッファの効果
    ◯鈴木康之・樋田光・岡本明彦（日電）
  9. InGaAs ひずみ層を用いた SD-DH FET
    ◯西井勝則・井上薰・松野年伸・小沼毅（松下電器）
  10. InP MISFET 特性の絶縁膜堆積温度依存性
    ◯広田幸弘・岡村正通・久木智子（NTT）
  11. ミリ波 AlGaAs ヘテロ MIS ゲート InP FET
    ◯麻埜和則・伊東朋弘・笠原健資・小沢敏晴・大畑恵一（日電）
  12. コラムベース InP 横型バイポーラトランジスタ
    ◯田村明博（電総研）・植草新一郎（明大）・大井川欽哉・杉山佳延・鷹野致和（電総研）
  13. GaAs 反転層ベースバイポーラトランジスタ(GaAs IBT)の諸特性
    ◯松本和彦（電総研）・紀ノ定俊明（シャープ）・林　豊・橋爪信郎（電総研）・永田寿幸・吉本智巳（東海大）
  14. InAlAs/InGaAs 系 HBT の作成およびその特性
    ◯古川昭雄・馬場寿夫・太田邦一・水田正志（日電）
  15. GaAs HEMT 抵抗整合型増幅器
    伊藤康之（東京計器）
  16. Ku 帯 AlGaAs/GaAs HBT 発振器
    ◯M. マディヒアン・S. LeSage・羽山信幸・本城和彦（日電）
◉ 電気学会；電子デバイス研究会（委員長 高橋清）と共催．