1987年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 藤本正友
幹事 石原宏・水谷孝

半導体・トランジスタ研究会（ＳＳＤ）
専門委員長 大見忠弘
幹事 中村哲夫・黒木幸令

マイクロ波研究会（ＭＷ）
専門委員長 山下栄吉
幹事 三島克彦・岡部洋一

開催日時・会場

日時　1月21日（水）9:30〜17:00
　　　1月22日（木）9:00〜17:20
会場　機械振興会館地下3階研修2号室

（港区芝公園3-5-8，国電：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕434-8211）

議題　ー GaAsIC，マイクロ波半導体デバイス ー

21日
  1. GaAs ホール IC
    ◯板倉啓二郎・浅田浩明・上田大助・高木弘光（松下電子）
  2. GaAs モノリシックオペアンプ IC
    ◯勝新一・西馬正博・萩尾正博・数村勝（松下電子）
  3. Pseudo Push Pull FET ロジックを用いた GaAs 1k ゲートアレー
    ◯田中毅・青木裕光・大槻達男・高木弘光（松下電子）
  4. SLCF 回路を用いた GaAs 6k ゲートアレーの試作
    ◯川久克江・佐々木忠寛・亀山敦・石田賢二・北浦義昭・寺田俊幸・井川康夫（東芝）
  5. GaAs LSI メモリプロセス技術
    ◯野田実・住谷光一・中野博文・伊藤和彦・細木健治・西谷和雄（三菱）
  6. GaAs 4kb スタティック RAM
    ◯牧野博之・高野聡・谷野憲之・茅野晋平（三菱）
午後
  1. MOCVD による GaAs の選択成長
    ◯山口浩一・岡本孝太郎（電通大）
  2. InP 上への AlxGa1-xAs MBE 成長と FET への応用
    ◯笠原健資・伊東朋弘・小沢敏晴・麻埜和則・大畑恵一（日電）
  3. ふっ化物を絶縁膜として用いた GaAs-MIS 構造の特性
    ◯石原宏・金光浩・浅野種正・筒井一生・古川静二郎（東工大）
  4. ふっ化物結晶を用いた SOI 基板上の GaAs-MESFET の特性
    ◯筒井一生・中沢忠雄・石原宏・古川静二郎（東工大）
  5. 微小構造 GaAs MESFET の解析
    ◯佐藤順子・上野山雄・小田中紳二・長谷川克也・小沼毅（松下電器）
  6. 短時間アニールによる GaAs MESFET 高性能化
    ◯杉谷末広・山﨑王義・加藤直規・山崎肇（NTT通研）
  7. ゲート・ドレイン間表面空乏層による GaAs MESFET の長ゲート効果
    ◯水田博・山口憲・森光廣・矢ノ倉栄一・高橋進（日立）
  8. 高性能 Doped-Channel hetero-MISFET(DMT) -試作・2次元素子解析-
    ◯樋田光・鈴木康之・片野史明・豊島秀雄・岡本明彦・古塚岐・熊代成孝（日電）
  9. InGaAlP へテロ界面特性と HEMT の試作
    大場康夫・渡辺美代子・◯川崎久夫・亀井清雄（東芝）
22日
  1. サブミクロン完全セルフアライン AlGaAs/GaAs HBT
    羽山信幸・M. マディヒアン・岡本明彦・町田節子・本城和彦（日電）
  2. AlGaAs/GaAs GB-HBT による高速1/4分周器
    ◯山内佳紀・中島長明・永田公一・伊藤弘・石橋忠夫（NTT通研）
  3. InGaAs/InAlGaAs ホットエレクトロントランジスタ(HET)の試作と電流利得15の達成
    ◯今村健一・武藤俊一・藤井俊夫・横山直樹・冷水佐寿・柴富昭洋（富士通研）
  4. GaAs/AlGaAs RHET の設計と試作(hFE=5)
    森俊彦・大西裕明・今村健一・武藤俊一・◯横山直樹・柴富昭洋（富士通研）
  5. 繰返しポテンシャルにおける共鳴トンネリングの解析
    加藤文夫（富士通研）
  6. AlGaAs/GaAs 共鳴トンネリングバイポーラトランジスタ(RBT)
    二木俊郎・山口泰弘・今村健一・武藤俊一・横山直樹・◯柴富昭洋（富士通研）
  7. 光送信器用 GaAsIC
    ◯内海邦昭・手束明稔・西井勝則・板東克彦・井上薫・市田健成・小沼毅（松下電器）
午後
  1. Gbit/s 光通信用 GaAs 4bit マルチプレクサ，デマルチプレクサセット
    ◯亀山敦・小出修男・兼田直孝・石田賢二・馬場敬・田窪知章・須藤俊夫・吉原邦夫・清水庄一（東芝）
  2. ミリ波帯イメージング用アンテナアレー
    西村宏・◯水野皓司（東北大）
  3. MMIC のためのマイクロコプレーナストリップ線路の提案およびその特性解析法
    山下栄吉・◯李可人・厚木和彦・鈴木洋一（電通大）
  4. GaAs 広帯域アッテネータの開発
    ◯中塚忠良・坂下誠司・尾関浩明・神野一平・南部修太郎（松下電子）
  5. GaAs 広帯域低雑音増幅器の高性能化
    ◯上田昌幸・郷田和秀・山下泰久・南部修太郎（松下電子）
  6. UHF 帯 GaAs MMIC 広帯域増幅器
    ◯西馬正博・大本紀顕・数村勝（松下電子）
  7. 14GHz 帯中出力 GaAs モノリシック増幅器
    中村多恵子・◯中原和彦・小引通博・加藤隆幸（三菱）
  8. 30GHz 帯高出力 MMIC
    ◯佐々木善伸・小引通博・小丸真喜雄（三菱）
  9. 26.5-40GHz 帯広帯域 HEMT 増幅器
    ◯柴田清裕・増田和俊・安部文一朗・堀重和・川崎久夫・亀井清雄（東芝）
  10. InP MISFET のマイクロ波特性 -8GHz〜30GHz-
    ◯徳田博邦・加茂久夫・佐々木文雄・千明俊雄・東浦貢（東芝）
◉ 電気学会；電子デバイス研究会（委員長 高橋清）と共催．
IEEE ED Tokyo Chapter と協賛．