1986年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

半導体・トランジスタ研究会（SSD）
専門委員長 大見忠弘
幹事 中村哲夫・黒木幸令

電子デバイス研究会（ED）
専門委員長 藤本正友
幹事 菅田孝之・石原宏

マイクロ波研究会（MW）
専門委員長 山下栄吉
幹事 厚木和彦・三島克彦

開催日時・会場

日時　1月21日（火）9:00〜17:45
　　　1月22日（水）9:00〜17:20
　　　マイクロ波研究会は，21日のみ共催
会場　機械振興会館地下３階研修１号室

（港区芝公園3-5-8，国電：浜松町駅下車徒歩約15分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕434-8211）

議題　ー GaAs ICとマイクロ波半導体デバイス ー

21日
  1. MOCVDによる GaAsの 選択エピタキシャル成長
    山口浩一・岡本孝太郎（電通大）
  2. 共鳴トンネリングホットエレクトロントランジスタ（RHET）
    今村健一・武藤俊一・冷水佐寿・横山直樹（富士通）
  3. マイクロ波 AlGaAs/GaAs ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
    羽山信幸・本城和彦・M. マディヒアン・豊島秀雄・草飼良江（日電）
  4. Ge/GaAs および Si/GaP HBTの基本構造
    杉岡幸次・篠村勝美・石塚史成・伊藤紏次（早大）
  5. GaAs ダブルバランスド FET ミクサ IC の開発
    山下泰久・上田昌幸・郷田和秀・中塚忠良・南部修太郎（松下電子）
  6. UHF TV チューナ用 GaAs RF アンプ ICの開発
    中塚忠良・郷田和秀・坂下誠司・山下泰久・南部修太郎（松下電子）
  7. GaAs モノリシックフロントエンド lC の試作
    志垣雅文・中村隆治・横川茂・高野健（富士通研）
午後
  1. 12 GHz 帯 GaAs シングルゲート FET MMIC ミキサ
    金沢邦彦・萩尾正博・数村勝（松下電子）
  2. 13 GHz GaAs ダイナミック分周器
    長船一雄・大和田邦樹（NTT通研）
  3. サブミリ波帯 GaAs ショットキダイオードミクサ -その製作および特性の測定について-
    水野晧司・鈴木哲・今荘義弘（東北大）
  4. GaAs ADVANCED SAINT-FET を用いた 20GHz 帯モノリシック低雑音増幅器
    村口正弘・榎木孝知・山崎王義・大和田邦樹（NTT通研）
  5. 20GHz 帯低雑音 HEMT 増幅器
    柴田清裕・大坪正男・中山久美子・堀重和・川崎久夫・亀井清雄（東芝）
  6. 低雑音 HEMT の諸特性
    常信和清・浅井亨・粟野祐二・平地康剛（富士通研）
  7. 低雑音表面アンドープ構造 2DEGFET
    樋田光・大畑恵一・鈴木康之・豊島秀雄・小川正毅（日電）
  8. 高 gm AlInAs/GaInAs 2DEGFET
    大畑惠一・広瀬和之・伊東朋弘・水谷隆・小川正毅（日電）
  9. p チャネル AlGaAs/GaAs MIS形ヘテロ構造 FETの高 gm 化
    平野真・尾江邦重・柳川文彦（NTT通研）
  10. AlGaAs/GaAs ヘテロ構造 MISFET コンプリメンタリ回路
    水谷孝・藤田修一・柳川文彦（NTT通研）
  11. 相補型 GaAs SISFET
    松本和彦・小倉睦郎・和田敏美・八百隆文・林　豊・橋爪信郎（電総研）・加藤尚範（三菱化成）・福原昇（住友化学）・宮下敏之（東海大）・平島浩文（明大）
22日
  1. GaAs n-i-n 構造の計算機解析 -IC用基板の絶縁効果について-
    堀尾和重（芝工大）・生駒俊明（東大）・柳井久義（芝工大）
  2. GaAs IC 用各種基板のミクロな均一性評価
    松浦元・江川孝志・中村浩・佐野芳明・石田俊正・上西勝三（沖電気）
  3. GaAs LSI 用低抵抗 W/WSix ゲート電極技術
    金森幹夫・永井慶次・野崎忠敏・東坂浅光（日電）
  4. LDD 構造パターン反転製法 N+GaAs FET
    浅井周二・古塚岐・中尾俊二（日電）
  5. 短チャネル効果の少ない高相互コンタクタンス GaAs MES FET
    上野和良・古塚岐・金森幹夫・豊島秀雄・東坂浅光（日電）
  6. GaAs A-D・D-A コンバータ
    山野井康友（安藤電気）・前多正（日電）
  7. GaAs DCFL 16多重時間スイッチ LSI
    富樫稔・高田透・加藤直規・島津佳弘・井田雅夫（NTT通研）
午後
  1. GaAs DCFL ディジタル IC の温度特性の検討
    市岡俊彦・川上康・秋山正博・上西勝三（沖電気）
  2. 低電力 1/128, 129 2モジュラス GaAs プリスケーラ
    内富直隆・石田賢二・西堀一弥・釜谷幸男・清水庄一（東芝）
  3. 低消費電流 GaAs SCFL プリスケーラ
    長谷川克也・上野山雄・西井勝則・長野数利・小沼毅（松下電器）
  4. 1GHz 3.8 mA SCFL Two Modulus GaAs プリスケーラ IC
    浅沢博・山本隆一郎・植田和良・長尾博之（日電）
  5. 1GHz 帯低消費電流 GaAs プリスケーラ IC
    前村公正・高橋徹也・井上真典・三井康郎・折坂伸治・石原理・大坪睦之（三菱）
  6. GaAs 標準ロジック IC
    大槻達男・田中毅・仲矢修治・嶋野彰夫・高木弘光（松下電子）
  7. GaAs レーザドライバ IC
    浅田浩明・大槻達男・上田大助・田村光夫・嶋野彰夫・高木弘光（松下電子）
  8. 光伝送用 GaAs IC
    手束明稔・長谷川克也・田村彰良・西井勝則・反保敏治・板東克彦・長野数利・小沼毅（松下電器）
  9. GaAs IC プロセス TEG 評価システム
    谷野憲之・中島康晴・山野剛・三井康郎・石原理（三菱）
  10. GaAs SRAM におけるチップ内アクセス時間ばらつきの検討
    土井俊雄・田中広紀・山下寛樹・林剛久・益田昇・正木亮・橋本哲一（日立）
◉ 電気学会；電子デバイス研究会（委員長 高橋清）と共催．IEEE ED Tokyo Chapter と
協賛．