1985年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

半導体・トランジスタ研究会（ＳＳＤ）
専門委員長 多田邦雄
幹事 酒井徹志・奥戸雄二

電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長 佐々木昭夫
幹事 太宰浩一・菅田孝之

マイクロ波研究会（ＭＷ） 専門委員長 大越孝敬
幹事 清水康敬・厚木和彦

開催日時・会場

日時　1月22日（火），23日（水）9:00～17:00
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，国電：浜松町駅下車徒歩約10分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕434-8211）

議題

22日
  1. 高誘電体を用いた移相器
    定塚孝・松原茂樹・渡辺弘（新日本無線）
  2. マイクロストリップ結合伝送線路の近似解析法
    高木直・池田幸夫・清野清春・武田文雄（三菱）
  3. GaAs論理素子の配線間クロストーク低減方法
    吉原邦夫・宮城武史・飯田敦子・須藤俊夫・斎藤民雄（東芝）
  4. 民生用GaAs広帯域低雑音増幅IC
    高井厚志・坂本和道・神林和夫・前田稔（日立）
  5. 衛星通信用高速モノリシックミクサの設計と特性
    梅比良正弘・菊池博行・小中信典・加藤修三・河原田邦康（横・通研）
  6. 広帯域モノリシックアナログスイッチの設計と特性
    菊池博行・梅比良正弘・小中信典・河原田邦康（厚木通研）
  7. 28GHz帯高出力モノリシック電力合成FET増幅器
    清野清春・高木直・池田幸夫・三井康郎・小引通博・佐伯昭夫・武田丈雄（三菱）
  8. 30GHz帯電力合成型GaAs FETの高出力化
    小引通博・三井康郎・清野清春・高木直・佐々木善伸・池田幸夫・大坪睦之・佐伯昭夫（三菱）
午後
  1. 超高速LSI/VLSIとその基本素子特性に関する一考察
    長谷川英機・関昇平（北大）
  2. GaAs JFET LSI
    五ノ井克明・和田勝・本堀勲・加藤洋二（ソニー）
  3. 側壁アシスト短電極間FET技術を用いたGaAs 12×12ビット拡張型並列乗算器LSI
    古塚岐・高橋一清・石川昌興・矢野政顕・東坂浅光（日電）
  4. GaAs高Gm FETによる超高速ロジック
    佐野芳明・江川孝志・中村浩・石田俊正・上西勝三（沖電気）
  5. 1GHz低消費電力GaAs可変分周器
    市岡俊彦・田中幸太郎・角谷昌紀・松浦元・川上康・石田俊正（沖電気）
  6. GaAs LSCFL 7.5GHz分周器
    高田透・富樫稔・井田雅夫・山崎王義・千川圭吾（厚木通研）
  7. 5mA 1GHz GaAs 128/129 プリスケーラ
    斉藤茂樹（横・通研）・高田透・加藤直規・井田雅夫（厚木通研）
  8. 超高速GaAs BFL分周器
    長船一雄・大和田邦樹・加藤直規（厚木通研）
  9. ペアFETを用いたX帯モノリシックFET移相器
    松永誠・伊山義忠・武田文雄・青木浩・石原理（三菱）
  10. 送信GaAs OEIC用駆動回路の設計と試作
    中野博行・高井厚志・田中捷樹・平尾元尚・前田稔（日立）
23日
  1. MOCVDによるGaAs選択エピタキシャル成長
    山口浩一・岡本孝太郎（電通大）・今井哲二（静岡大）
  2. 側壁アシストMOCVD選択成長を用いた高gm GaAs MESFETの製作と特性
    上武一孝・神谷政宏・三崎敏幸・片野史明・東坂浅光（日電）
  3. アモルファスSi-Ge-Bを用いた高障壁GaAsショットキー接合
    村瀬克実・雨宮好仁（厚木通研）
  4. GaAs/AlGaAsホットエレクトロントランジスタ(HET)の試作と特性解析
    横山直樹・今村健一・大西裕明・大島利雄・武藤俊一（富士通研）
  5. 浅いチャネルを有するGaAs MESFETの性能とその計算機シミュレーション
    上柳喜一・荒木信子・香山聡・大石喜久・小寺信夫（日立）
  6. GaAs MESFET集積回路における表面電圧破壊とサイドゲーティング
    北川俊彦・長谷川英機・大野英男（北大）
  7. GaAs MESFET特性における不均一要因の分析
    石田賢二・広瀬真由美・寺田俊幸・豊田信行・北條顕道（東芝）
  8. GaAs MESFETの1/fノイズの解析
    鈴木輝彦・箱守克彦（富士通）
午後
  1. GaAs 4KSRAMの設計
    前多正・高橋一清・東坂浅光（日電）
  2. GaAs 16Kb SRAMの設計と評価
    富樫稔・井野正行・井田雅夫（厚木通研）
  3. GaAs 16Kbスタティックメモリの製作技術
    平山昌宏・鈴木正光・加藤直規・松岡裕・川崎康弘（厚木通研）
  4. GaAs 4bit A/D・D/Aコンバータの検討
    山野井康友・高橋一清（日電）
  5. パターン反転製法N+セルフアラインGaAs FET製造方法とFET特性
    浅井周二・古塚岐・東坂浅光（日電）
  6. 耐熱ゲートを用いた低雑音セルフアラインGaAs MESFET
    太田一成・浜名哲也・萩尾正博・数村勝（松下電子）
  7. アモルファスSi電極を用いたサブミクロンゲートセルフアラインSi-MESFET
    坂上正裕・村瀬克実・荻野俊郎・雨宮好仁（厚木通研）
  8. 窒化タングステン(WNx)・セルフアライン型ゲート技術とGaAs ICへの応用
    北浦義昭・内富直隆・溝口孝麿・豊田信行・北條顕道（東芝）
  9. 高出力ダブルヘテロ接合HEMT
    彦坂康己・平地康剛・安部正幸（富士通）
  10. HEMT 4Kbit SRAMの試作と動特性
    納冨成司・小林直樹・黒田滋・西内紘一・三村高志・安部正幸（富士通）
◉ 電気学会；電子デバイス研究会（委員長　片岡照栄）と共催