1983年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

半導体・トランジスタ研究会
専門委員長 吉村久乗
幹事 生駒俊明・酒井徹志

電子デバイス研究会
専門委員長 小野昭一
幹事 綾木和雄・車田克彦

マイクロ波研究会
専門委員長 宮内一洋
幹事 冠　昇・高山洋一郎

開催日時・会場

日時　1月18日（火），19日（水）9:00～17:00
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，国電：浜松町駅下車徒歩約10分，地下鉄日比谷線：神谷町駅下車徒歩約8分，都営三田線：御成門駅下車徒歩約6分，東京タワー北側
☎〔03〕434-8211）

議題

18日午前
  1. 〔特別講演〕超高速GaAs論理回路の最近の動向
    大森正道（武・通研）
  2. 高gm GaAs MESFETを用いたGaAs E/D型IC
    ◯田村彰良・辻井平明・西井勝則・上野山雄・八木田秀樹・柴田淳・小沼毅（松下電器）
  3. 高速GaAsゲートアレー
    ◯寺田俊幸・望月正生・井川康夫・溝口孝麿・豊田信行・北條顕道（東芝）
  4. GaAs 1kbスタティックRAMの試作
    ◯車田克彦・大和田邦樹・鈴木正光・石井康信・宮沢信太郎（武・通研）
  5. GaAs 1kbスタティックRAMの特性
    ◯平山昌宏・井野正行・松岡裕・富樫稔（武・通研）
  6. ノーマリオン型GaAs MSI32ビット加算器の高速化設計の検討
    ◯山本隆一郎・東坂浅光・浅井周二・辻　力・高山洋一郎・矢野政顕（日電）
  7. 超高速GaAs 6×6ビット並列乗算器
    清水治夫・須山勝彦・◯中山吉郎・横川茂・柴富昭洋（富士通研）
午後
  1. GaAs超高速識別回路
    ◯高田透・長船一雄・井田雅夫（武・通研）
  2. ソース・カップルド・FET・ロジック(SCFL)によるGaAsモノシリック1/4高速分周器
    ◯勝新一・嶋野彰夫・南部修太郎（松下電子）
  3. GaAs超高速論理集積回路配線における諸問題
    ◯関昇平・長谷川英機（北大）
  4. 超高速GaAsVLSIを指向したWシリサイド・ゲート・セルフアライメント技術
    ◯大西豊和・横山直樹・小野寺裕幸・篠木徹・鈴木正一・柴富昭洋（富士通研）
  5. Pt-GaAsの固相反応と電気的特性
    ◯原　徹・榎本秀一・渡辺貴・鈴木英徳・平野尚志（法政大）・豊田信行・北條顕道（東芝）
  6. Simple Device Modelと回路解析によるGaAs J-FETの特性
    ◯五ノ井克明・加藤洋二（ソニー）
  7. GaAsバリスティックFETのモンテカルロ・シミュレーション
    ◯粟野祐二・冨澤一隆（明大）・橋爪信郎・川島光郎（電総研）
  8. ヘテロ接合カソードをもつGaAsバリスティック・ダイオードのモンテカルロ・シミュレーション
    ◯冨澤一隆・粟野祐二・鈴木房夫（明大）・橋爪信郎・川島光郎（電総研）
  9. ヘテロ構造InP/InGaAsフォトダイオードの数値解析
    ◯横山清行・富沢雅彰・神戸宏・須藤常太（武・通研）
19日午前
  1. 〔特別講演〕衛星搭載用デバイスの最近の動向
    黒田隆二（日電）
  2. GaAsモノリシック増幅器，電圧制御発振器
    ◯志垣雅文・大洞喜正・武田幸雄・鈴木秀威（富士通研）
  3. イオン注入技術を用いた12GHz帯GaAsモノリシック低雑音増幅器
    ◯伊藤仁・杉浦禎彦・本城和彦・辻　力・小沢敏晴（日電）
  4. 直結形GaAsモノリシック増幅器の基本検討
    ◯今井祐記・伊藤弘・菅田孝之・車田克彦（武・通研）
  5. 新しい負帰還方式による低消費電力，低雑音GaAsモノリシック増幅器
    ◯西島 正博・勝 新一・南部 修太郎・萩尾 正博（松下電子）
  6. 低消費電力RC帰還形GaAsモノリシック増幅器の特性
    ◯田島淳・山尾泰・菅田孝之・平山昌宏（武・通研）
午後
  1. GaAsモノリシックマイクロ波増幅器のγ線照射効果
    ◯門脇好伸・武部朋子・石原理・中谷正昭（三菱）
  2. シリコン・マイクロ波パワートランジスタ
    橋本浩・滝野孝則・音村豊・西沢和平・紀之定俊明・◯吉増敏彦・植田順・三宅隆一郎（シャープ）
  3. 電子ビーム露光によるGaAsセルフアライン(SAINT)MESFET
    ◯加藤直規・山崎王義・浅井和義・大和田邦樹・原田勝征（武・通研）
  4. MBE法による高出力GaAs FET
    園田琢二・◯渡瀬学・野田正一・小引通博・瀬川和明・奈良愛一郎（三菱）
  5. X-Ku帯高効率GaAs FET
    斉藤昭・小島快友・◯相原重信（日電）
  6. UHF帯GaAsデュアルゲートMESFET
    ◯村田英治・加茂久夫・和泉英明・石村浩・東浦貢（東芝）
  7. 保護ダイオードモノリシック化UHF帯用GaAsデュアルゲートMESFET
    ◯萩尾正博・南部修太郎・金沢邦彦（松下電子）
  8. 高出力GaAs FETのパルスの動作特性
    ◯酒寄隆雄・大橋光雄・小引通博・鈴木武・西岡保彦・斎藤日出夫（三菱）
  9. 低雑音HEMT
    ◯常信和清・山下良美・小瀬村欣司郎・新居恵・斉藤淳二・中山範明・三村高志・山本純生・安部正幸（富士通研）
◉ 電気学会；電子デバイス研究会（委員長　片岡照栄）と共催