1982年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

半導体・トランジスタ研究会
専門委員長 吉村久乗
幹事 生駒俊明・酒井徹志

電子デバイス研究会
専門委員長 小野昭一
幹事 梶山健二・綾木和雄

マイクロ波研究会
専門委員長 宮内一洋
幹事 吉田健一・冠　昇

開催日時・会場

日時　1月21日（木）・22日（金）9:30～16:10
会場　機械振興会館　21日： 6階65号室
　　　　　〃　　　　22日： 地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，地下鉄：日比谷線神谷町駅下車，バス：品川車庫ー四谷片町間，東京タワー下車，多摩川等々力ー東京八重洲間，虎の門5丁目下車
☎〔03〕434-8211）

議題

21日午前

1. Vミゾソース接地形マイクロ波パワーMOSFET
   ◯音羽豊・滝野孝則・西沢和平・橋本浩・粟根克昶（シャープ）
2. K帯高出力GaAs FET-EB直接描画ゲートバイアホールPHS構造-
   ◯竹内幸宏・島崎政彦・平地康剛・小瀬村欣司郎・山下良美・山本純生（富士通）
3. A Waveguide Cavity Multiple Device FET Oscillator
   ◯A. Materka（LODZ Tech. Univ.）・水品静夫（静岡大）
4. 利得制御が可能なGaAs IC広帯域低雑音増幅器
   ◯西馬正博・南部修太郎・萩尾正博・加納剛太（松下電子）
5. 低電力ソース・カップルド・ロジック(LSCL)によるGaAs IC高速分周器
   ◯勝新一・南部修太郎・嶋野彰夫・加納剛太（松下電子）

午後

6. E/D型GaAs DCFLインバータの設計
   ◯金沢克江・豊田信行・北條顕道（東芝）
7. サブfJ GaAs E/D型インバータの解析
   ◯富樫稔・井野正行・平山昌宏（武・通研）
8. 容量結合を用いたノーマリオン形GaAs論理回路
   ◯田中広紀・林剛久・高橋進・小橋隆裕・正木亮（日立）
9. 通信用GaAs FET論理回路(BCML)
   ◯高井厚志・山下喜市・高瀬晶彦・長谷英一・湯本攻・小橋隆裕・前田稔（日立）
10. 低ソース抵抗GaAs MESFETを用いたGaAs IC
    ◯菊地健一・林秀樹・江畑敏樹・飯山道朝・本吉健也・山口剛司（住友電工）
11. GaAs MESFET超高速メモリの検討
    ◯長船一雄・鈴木正雄・須藤常太（武・通研）

22日午前

1. 2"Фウェーハを用いたGaAs ICプロセス
   ◯溝口孝麿・望月正生・寺田俊幸・金沢克江・豊田信行・北條顕道（東芝）
2. E/D型GaAs ICの特性の素子パラメータ依存性
   ◯古塚岐・辻　力・片野史明・小沢敏晴・東坂浅光（日電）
3. ノーマリオフGaAs JFET特性の素子構造依存性
   加藤洋二・道仙政志・笠原二郎・平健一・◯新井道夫・渡部尚三（ソニー）
4. Sn-doped SiO2を用いたセルフアラインGaAsFET
   ◯石井康信・宮澤信太郎（武・通研）
5. Beイオン打込みによるGaAs MESFETのしきい電圧値の制御
   ◯梅本康成・松永信敏・高橋進・中村道治（日立）

午後

6. Si+注入GaAs MESFETのしきい値電圧制御-面チャネリングの影響-
   ◯石村浩・加茂久夫・和泉英明・東浦貢・豊田信行・北条顕道（東芝）
7. セルフアライメント形GaAs MESFET VLSI指向のTiWシリサイドゲート技術
   ◯横山直樹・大西豊和・小谷紘一郎・小野寺裕幸・安部正幸（富士通）
8. 窒化燐ゲート絶縁膜の形成とInP-MISFETへの応用
   ◯広田幸弘・小林猛（武・通研）
9. CVD SiO2膜を用いたエンハンスメント型InP MISFET
   ◯大畑惠一・伊東朋弘・渡辺久夫・水谷隆・高山洋一郎（日電）
10. GaAsサブミクロンN-I-Nダイオードのモンテカルロシミュレーション
    ◯粟野祐二・冨沢一隆（明大）・橋爪信郎・川島光郎（電総研）
11. モノリシックIC化超広帯域増幅器
    ◯加本務・小原護・山内寛紀・首藤晃一・酒井徹志（武・通研）

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