1977年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

半導体・トランジスタ研究会
専門委員長 菅野卓雄
幹事 片岡啓介・鳳紘一郎

電子デバイス研究会
専門委員長 藤沢和男
幹事 三杉隆彦・大森正道

マイクロ波研究会
専門委員長 野田健一
幹事 関清三・山本錠彦

開催日時・会場

日時　1月25日（火）9:00〜17:00
　　　課題(8)〜午後
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，地下鉄：日比谷線神谷町駅下車，バス：品川車庫ー四谷片町間・新橋ー渋谷間，東京タワー下車，多摩川等々力ー東京八重洲間，飯倉1丁目下車
☎〔03〕434-8211内線419）

議題

1. GaAs FETの雑音特性 -負性異動度を考慮した解析-
   ◯田島祐介・柴田清裕（東芝）
2. GaAs FETの3次混変調歪の解析
   ◯神野勉・新井陽一・古溝秀光（富士通）
3. T形ショットキ ゲート GaAs FETの高周波特性
   ◯井田雅夫・浅井和義（武・通研）
4. GaAs 高出力FETの2次破壊
   ◯三村高志・伊藤正規・須山勝彦・福田益美・石川元（富士通研）
5. プラズマエッチングによる GaAs FET のサブミクロンゲート形成
   ◯高橋進・村井二三夫・古寺博（日立）
6. 6GHz GaAs FET安定化発振器
   ◯阿部浩之・高山洋一郎（日電）
7. GaAs ショットキダイオード
   ◯近藤久雄・奈良愛一郎・池川秀彰（三菱）
8. 〔特別解説講演〕6th European Microwave Conference 報告
   ◯西沢潤一（東北大）・○久保庄二（電電公社）
9. Si縦形J-FETの高周波特性
   ◯相賀正夫・加賀真理・桧垣幸夫・中村源四郎・𠮷田晶弘・白幡潔・行本義則・梶原康也・堀切賢治（三菱）
10. DDR Si IMPATT ダイオードのパルス特性
    ◯小谷三千男・小引通博・高宮三郎・三井茂（三菱）
11. アクティブ･フェーズド･アレイ･レーダ用位相同期SiDDRインパット発振器
    山岸文夫・西本真𠮷・喜田雅男（防衛庁）・伴和紘・○寺田実（三菱）
12. MIC簡易型ドップラ・レーダ
    南部修太郎（松下電子）
13. 内部整合比 2GHz, 4GHz 高出力トランジスタおよび4GHz 10W出力増幅器
    酒井徹志・◯井形正登・都築直文・櫛山寿夫・斎藤善輝・芳賀勲夫（日電）
14. ミリ波帯インパットダイオードのインピーダンス測定に関する考察
    山本和紀・◯萩原英二・赤池正己（横・通研）
15. リッジ導波管固体素子マウントの解析
    ◯桑原伸夫・水品静夫（静岡大）
16. リッジ導波管発振器マウントとダイオードパッケージの効果
    ◯近藤博司・水品静夫（静岡大）
17. 狭ストライプ プレナ形レーザの特性
    ◯小林猛・河口仁司（武・通研）

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