電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）は，光エレクトロニクス研究会（OPE），電子部品・材料研究会 (CPM) ，信頼性研究会 (R)，機構デバイス研究会 (EMD) と共催で，8月24日，25日に研究会を東北大学 電気通信研究所で開催致します． LQEとしましては，毎年大変好評のクロスセッション（各招待講演者にご講演頂いた後，パネルディスカッションを行う）を設定， 他研究会からも招待講演を設けております．

【クロスセッション】
テーマ①『短距離・B5G 6G向け大容量光デバイス技術』
高速光トランシーバの最新標準化動向 ～ 800G/1.6T/3.2T実用化へ向けて ～：磯野 秀樹 様（IGSコンサルティング）
高性能光源と光集積デバイス：石井 啓之 様（古河電工）
短距離・大容量光送信デバイス(IMDD/コヒーレント)：鈴木 純一 様（三菱電機）
InP系バットジョイント導波路型受光素子の開発進展：沖本 拓也 様（住友電工）
シリコンフォトニクスCOSA：川村 百合子 様（NTT）
薄膜LN技術による光変調器デバイスの高速化：牧野 俊太郎 様（富士通オプティカルコンポーネンツ）
パネルディスカッション


テーマ②『2030年に向けた光デバイス設計、プロセス、製造技術と開発スキーム 』
NTTグループにおける光デバイス開発の取り組み（仮）:布谷 伸浩 様（NTT）ほか
進化を続けるInP系高速光デバイスの開発状況 ～ Made in Japanの強みと課題 ～：田中 滋久 様（日本ルメンタム）
InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスの進展と今後の展望：八木 英樹 様（PETRA）
集積フォトニクスのエコシステムの状況と展望：堀川 剛 様（東京工業大学）
データ駆動型光導波路デバイスの作製～スマートフォトニクス(R)～：鈴木 賢哉 様（NTT）
パネルディスカッション


【招待講演】
【詳細プログラムはこちら】

研究会詳細

日時：8月24日（木）13:00～17:30，8月25日（金）9:00～15:20
会場：東北大学 電気通信研究所 本館 1F オープンセミナールーム（M153)
参加費：2018年度の研究会には発表参加費，聴講参加費，または年間登録が必要です

協賛
IEEE Photonics Society Kansai Chapter

懇親会

田なか屋本店　仙台駅前店　18:30開始 5000円(予定)
聴講参加者の方で参加ご希望の方は、8/18(金)までにLQE幹事（lqe-ken@mail.ieice.org）にご連絡ください