第１０回マイクロ波シミュレータワークショップ
実行委員長： 榎木孝知（NTTフォトニクス研究所）
マイクロ波シミュレータ時限研究専門委員会（委員長：柴田随道，NTT先端研）は，
マイクロ波からミリ波，さらには光波帯にわたる電磁波の解析技術やシミュレーション
技術の発展，普及を目指して，産業界と学会との間の緊密な連携のもとに，広範な活動
を展開しております．
さて，第10回目を迎えるワークショップでは，高周波・高速集積回路のシミュレーシ
ョン技術に話題を絞って開催いたします．デバイスのトレンド，シミュレーション手法
等の基本的な考え方に加えて，回路設計事例についても議論される予定です。併せて，
ソフトベンダによる展示と実演も予定しています．
マイクロ波シミュレータに関心をお持ちの研究者や技術者には，更に大学院生諸君に
は、シミュレータ技術に関する理解を深める場，また，率直な意見交換や問題提起の場
として，このワークショップにご参加くださいますようご案内申し上げます．
日時： 平成16年12月3日（金） 9:30〜17:00
テーマ： 高周波・高速集積回路のシミュレーション技術：デバイスから配線，回路設計事例まで
会場： 東京工業大学国際交流会館（東京都目黒区大岡山2-12-1）
http://www.titech.ac.jp/access-and-campusmap/j/o-okayamaI-j.html
（地図中12番，東急大井町線／目黒線大岡山駅より徒歩20分程度かかります）
第１部 基礎・要素技術講演（9：30〜11：30）
１． 化合物半導体デバイスシミュレーションの現状
大野泰夫（徳島大）
２． 物理デバイス・回路統合シミュレータによる高速・高周波デバイスの解析
藤代博記（東京理科大）
３． 超100GHz高周波デバイス・回路のシミュレーション
佐野栄一，稲船浩司（北大）
第２部 設計応用・事例講演（13：30〜15：50）
４． Si RF CMOS回路における電磁界シミュレーションの利用
益一哉（東工大）
５． HEMT IC配線構造シミュレーション技術
増田哲（富士通研）
６． SiGe HBTを用いた超高速通信用IC設計技術
増田徹（日立）
７． RFLSIの設計・実装における諸問題とシミュレーションによる解決方法
伊藤信之（東芝）
第３部 ベンダー展示（13:10〜17:00）
懇親会（17:30−19:30）