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平成２３年６月度研究会（今回は７月初旬開催）
シリコン材料デバイス研究会　開催の御案内
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シリコン材料・デバイス研究会
研究専門委員長　遠藤哲郎

拝啓 皆様には、研究開発にご精励のこととご推察申し上げます。

　平素より電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会にご関心をお持ち頂きありがとうございます。
例年6月度に開催しておりました研究会「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」は、
本年は、７月４日(月）にて開催致します。
この度も、過去９回の研究会と同様に、応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会、
表面・界面・シリコン材料研究委員会が企画する研究集会
「ゲートスタック技術の進展―半導体機能界面の特性評価を中心に」
と合同開催する運びとなりました。
尚、会場は、名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 3階 ベンチャーホールです。
昨年とは会場が異なりますのでご注意下さい。

　皆様、奮ってご参加を頂きますようお願い致します。
尚、ご関連の方々にもご回覧下さいますようお願いします。

敬具

********************テーマ*********************************************************
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術
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【開催日程】
２０１１年７月４日(月）

【開催場所】
名古屋大学　ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー３階　ベンチャーホール
〒464-8603 愛知県名古屋市千種区不老町
アクセス：
http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html

【プログラム】
http://www.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM

【問い合わせ】
宮崎誠一（名古屋大学 工学研究科）
E-mail: miyazaki[atmark]nuee.nagoya-u.ac.jp
Phone:052-789-3588，Fax:052-789-3168