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平成18年11月電子情報通信学会
SDM研究会
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専門委員長 浅野 種正 副委員長 杉井 寿博
幹事 大野 守史， 川中 繁
幹事補佐 松井 裕一
【テーマ】
「半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性」
【開催日】
2006年11月24日(金) 13：00〜16：55
【開催場所】
（社）中央電気倶楽部
大阪市北区堂島浜2-1-25．大阪駅より徒歩12
分，JR北新地駅より徒歩6分．
http://www.chuodenki-
club.or.jp/map/annai.html 06-6345-6351
◆プログラム◆
(1) 13:00 - 13:45
［招待講演］トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定
○真田 克（高知工大）
(2) 13:45 - 14:10
Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製
○國松俊佑・今井章文（京大）・秋山賢輔（）・前田佳均（京大）
(3) 14:10 - 14:35
β-FeSi2のイオンビーム合成：アニールによるSi空孔の変化
○上西隆文・安藤裕一郎・前田佳均（京大）
(4) 14:35 - 15:00
トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性
○澤田睦美・松永慎一郎（富士電機AT）・山路将晴・北村明夫（富士電機デバイステクノロジー）・藤島直人（富士電機AT）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(5) 15:15 - 15:40
InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 〜 (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 〜
○渡邊一世（NICT）・篠原啓介（NICT/Rockwell）・北田貴弘（阪大/徳島大）・下村 哲（阪大/愛媛大）・遠藤 聡・山下良美・三村高志（富士通研）・冷水佐壽（阪大/奈良高専）・松井敏明（NICT）
(6) 15:40 - 16:05
AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
○松島孝典・中嶋正裕・野本一貴・佐藤政孝・中村 徹（法大）
(7) 16:05 - 16:30
ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討
○葛西誠也・Alberto F. Basile・橋詰 保（北大）
(8) 16:30 - 16:55
AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
○上野弘明・村田智洋・石田秀俊・上田哲三・上本康裕・田中 毅（松下電器）
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