研究会テーマ：「低誘電率層間膜及び配線技術」
                                                                     　
開催日時：　2001年 11月16日（金） 10：30-15：25

開催場所：   東京都港区芝公園　3-5-8
          　　　 機械振興会館　地下３階　研修２号室
　　　　　

−プログラム−
---------------------------------------------------------------
(午前の部)10:30-11:45
10:30
１．W-CVDの優先成長を利用した全面バリアメタル被覆Cu配線
○齋藤達之・今井俊則・野口純司・久保真紀・伊藤裕子・大森荘平・大橋直史・
田丸剛・山口日出（日立）

10:55
２．シード補強銅めっきを用いた銅配線埋設技術
○細井信基・伊藤信和・有田幸司・宮本秀信・長井瑞樹・奥山修一・君塚亮一・
小林健（NEC）

11:20
３．砥粒フリー研磨剤を用いたCu-CMP技術
○大橋直史・山田洋平・小西信博・丸山裕之・大島隆文・山口日出・佐藤明（日立）

(昼食11:45-12:45)

(午後の部)12:45-15:25
12:45
４．PECVDによる低誘電率層間絶縁膜用a-C:F膜の合成
○羽路伸夫（横浜国立大）・霜垣幸浩・中野義昭（東京大）

13:10
５．プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用
○川原潤・多田宗弘・大竹浩人・原田恵充・田上政由・廣井政幸・木下啓蔵・斎藤忍・
小野寺貴弘・古武直也・林喜宏（NEC）

13:35
６．低誘電率層間絶縁膜の機械強度の評価、解析
○青井信雄・福田琢也・柳沢寛（ASET）

(10分休憩)

14:10
７．MSQ膜を用いたCuダマシン配線プロセスにおける積層剥がれ現象
○下岡義明・佐藤誠一・松永範昭・宮島秀史・柴田英毅（東芝）

14:35
８．CVD SiOC/SiC Low-k 膜とCopperのインテグレーション技術
○有賀美知雄・大和田伸郎・堀岡啓二（アプライドマテリアルズ・ジャパン）

15:00
９．Si ULSI におけるGHzクロック分配回路
○チャンホーワン・対馬朋人・横山佳巧・益一哉（東京工業大）
 
 

☆ 研究会今後の予定  〔  〕内発表申込締切日
※詳しくはhttp://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlをご覧下さい。

12月20日「シリコン関連材料の作製と評価」奈良先端科学技術大学院大学〔10月12日〕
 1月中旬「先端CMOS及びプロセス関連技術」東京機械振興会館（予定）〔11月中旬〕

【発表申込・問合先】
    武村　久（NEC）
    TEL(042)779?6193，FAX(042)771-0886
    E-mail：h-takemura@bk.jp.nec.com
　　大野守史（MIRAIプロジェクト）
　　TEL(0298)61-5251，FAX(0298)61-5476
    E-mail：morifumi.oono@aist.go.jp

＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊