研究会テーマ：「半導体加工技術とプロセスクリーン化」
                                                                                                             　
開催日時：　平成13年10月15日（月）　午前10時30分〜17時45分
　　　　　　　　　　　　　 10月16日（火）　午前 9時30分〜16時40分

開催場所：   東北大学工学部青葉記念会館3階大研修室
　　　　　　　（仙台市青葉区荒巻字青葉，タクシー：仙台駅より約15分，
　　　　　　　　バス：仙台駅西口バスプール9番のりばより乗車（工学部経由宮教大，工学部経由青葉台，工学部経由青葉城址循環）「工学部前」にて下車，徒歩2分，TEL〔022〕217-7124，〔022〕217-5564 小谷光司）

−プログラム−
---------------------------------------------------------------------------------------
10月15日午前
１．〔特別招待講演〕300mm時代の新しい生産技術コンセプト
　　　　　○小池淳義（トレセンティテクノロジーズ）

10月15日午後
２．〔特別講演討論会〕日本半導体産業復活のシナリオ
　座長：最上徹（日本電気）
　講演者・パネラー：泉谷渉（半導体産業新聞），
　中島一郎（産業技術総研），廣瀬全孝（産業技術総研），
　大見忠弘（東北大），飯塚哲也（ザインエレクトロニクス），
　西沢昭夫（東北大），加藤郁之進（宝酒造）

10月15日18:00　　
　懇親会

10月16日午前
１．0.10ミクロンDRAM用MIM/Ta2O5キャパシタプロセスの開発
　　　　○浅野勇・中村吉孝（エルピーダメモリ）・平谷正彦・生田目俊秀（日立）・飯島晋平（エルピーダメモリ）・佐伯智則（日立）・二瀬卓也（日立超LSIシステムズ）・山本智志・齋藤達之（日立）・関口敏宏（エルピーダメモリ）

２．その場PドープされたSiガスソースMBEの成長・ドーピング機構
　　　　○末光眞希・築舘厳和（東北大）

３．真空装置内での有機物汚染挙動
　　　　○林輝幸・鈴木要・斉藤美佐子（東京エレクトロン）・大見忠弘（東北大）

４．超純水中に残存する痕跡不純物のシリコンウェハへの付着挙動
　　　　○木暮雅彦・米原崇広・櫻井稔久・大見忠弘（東北大）

５．シリコンウェハ汚染に関する計算化学的検討
　　　　　　　○横須賀俊之・瀬田秀行・高見誠一・久保百司・宮本明（東北大）・高塚威（新日本空調）

10月16日午後
６．電気透析法を用いた使用済み現像液の再生・再利用技術
　　　　○菅原広（東北大）・田嶋義宣（オルガノ）・大見忠弘（東北大）

７．硫酸/オゾン(SOM)プロセスによるレジスト剥離技術
　　　　○冨田寛・佐藤基之・灘原壮一（東芝）・斎藤孝行（荏原製作所）・小路丸友則・村岡祐介（大日本スクリーン製造）

８．FPD用ガラス基板のエッチャントに関する研究
　　　　○藪根辰弘・櫻井稔久（東北大）・二井啓一・伊藤周徳（ステラケミファ）・大見忠弘（東北大）

９．CMP過程に関する計算化学的検討
　　　○横須賀俊之・篠田克己・黒川仁・高見誠一・久保百司・宮本明（東北大）・今村詮（広島国際学院大）

10．高速化量子分子動力学法の開発とシリコン系材料への応用
　　　　○高見誠一・横須賀俊之・黒川仁・草谷友規・鈴木研・久保百司・宮本明（東北大）・今村詮（広島国際学院大）

11．高速化量子分子動力学法によるシリコンプラズマ酸化過程の検討　　　　
　　　　○黒川仁・篠田克巳・横須賀俊之・鈴木研・高見誠一・久保百司・宮本明（東北大）・今村詮（広島国際学院大）

12．高速化量子分子動力学法による塩素プラズマエッチング過程の解析　　　
　　　　○篠田克己・横須賀俊之・黒川仁・高見誠一・久保百司・宮本明（東北大）・今村詮（広島国際学院大）

13．エレクトロニクス材料の結晶成長シミュレーション
　　　　○久保百司・横須賀俊之・黒川仁・草谷友規・鈴木研・高見誠一・宮本明（東北大）・今村詮（広島国際学院大）

◎15日午後の特別講演討論会は，30歳以上の参加者は有料（\3,000）とさせていただきます。詳しくは，
　http://www.sse.ecei.tohoku.ac.jp/~kotani/SDM/index.html
　をご参照下さい。
◎15日18:00より，懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。
 

☆SDM研究会今後の予定　　  [　] 内は発表申込締切日
※詳しくはhttp://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlをご覧下
　さい。
　11月16日（金） 「低誘電率膜層間膜および配線材料」機械振興会館[９月18日（火）]
　12月中旬 「シリコン関連材料の作製と評価」奈良 [10月中旬]
【SDM発表申込・問合先】
    武村　久（NEC）
    TEL(042)779-6193，FAX(042)771-0886
    E-mail：h-takemura@bk.jp.nec.com
　　大野守史（沖電気）
　　TEL(0426)62-6104，FAX(0426)67-8367
    E-mail：ohno@hac.oki.co.jp

＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊