共催： 電子情報通信学会 ＶＬＳＩ設計研究集会（ＶＬＤ）
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
研究会テーマ：「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」
開催日時： 2001年 9月27日13時30〜16時50分
9月28日10時〜16時35分
開催場所： 東京都港区芝公園 3-5-8
機械振興会館 地下３階 研修２号室
−プログラム−
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９月２７日午後
ESD回路シミュレーションのための保護素子の等価回路モデル（13:30-13:55）
富士通研 安西浩美・戸板義春・鈴木邦広・野村俊雄・佐藤成生・岡秀樹
微細MOSFETのオーバーラップキャパシタンスモデルの開発（13:55-14:20）
広島大 大城誠和・三浦道子
サブストレートカップリングのシミュレーション方法の検討（14:20-14:45）
東芝 木村智寿
MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性（15:00-15:25）
三菱電機 園田賢一郎・谷沢元昭・永久克巳・石川清志・熊本敏夫・河野浩之・犬石昌秀
MOSFET高周波等価回路についての検証（15:25-15:50）
広島大 河野博昭・西澤学・上野弘明・大城誠和・三浦道子
【招待講演】STARCにおける物理設計技術の研究開発について（15:50-16:50）
STARC 増田弘生・原浩幸・南文裕・丸山貴司・藤本愼一
９月２８日午前
シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討（10:00−10:25）
関大 南條健史・小谷泰実・大村泰久
遺伝的アルゴリズムを用いたモデルパラメータ抽出の検討（10:25-10:50）
東芝 和田哲典・金村貴永
CMPモデルベースのダミーパターン設計システム（10:50-11:15）
半導体先端テクノロジーズ 太田敏行
三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発（11:15-11:40）
半導体先端テクノロジーズ 内田哲也・鈴木腕・竹中正浩・伊藤早苗・佃栄次・天川博隆・西謙二
９月２８日午後
Flashのデバイス・シミュレーション技術（13:00-13:25）
東芝 松沢一也・石原貴光・間博顕
簡易逆短チャネル効果モデル---実デバイスへの適用---（13:25-13：50）
沖電気 林洋一・三浦規之・小松原弘毅・望月麻理恵・福田浩一
電界による干渉効果を取り入れた量子輸送理論（13:50-14:15）
阪大 森藤正人・小野峰和
量子補正力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーション（14:15-14:40）
神戸大、University of Illinois* 土屋英昭 Brian Winstead* Umberto Ravaioli*
（休憩）
SOI MOSFETにおける２次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション（14:55-15:20）
阪大 竹田裕・森伸也・浜口智尋
歪みSiのバンド構造の経験的擬ポテンシャル法による解析（15:20-15:45）
阪大 中辻広志・鎌倉良成・谷口研二
不純物に起因する長距離ポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響（15:45-16:10）
STARC 来栖貴史・佐野伸行（筑波大）・松沢一也・広木彰・中山範明
極薄酸化膜の直接トンネリング電流計算における複素バンド構造モデルの重要性（16:10-16:35）
阪大 酒井敦・鎌倉良成・森藤正人・谷口研二
☆SDM研究会今後の予定 〔 〕内発表申込締切日
※詳しくはhttp://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlをご覧下さい。
2001年10月15日（月）、16日（火） 東北大学（仙台）［８月中旬］
「プロセスクリーン化と新プロセス技術」
【SDM発表申込・問合先】
武村 久 （ＮＥＣ）
Tel: 042-779-6193, Fax: 042-771-0886,
e-mail：takemura@mel.cl.nec.co.jp
大野守史 （沖）
Tel: 0426-62-6104, Fax: 0426-67-8367, e-mail：ohno@hac.oki.co.jp
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