研究会テーマ：「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」
開催日時： 平成１３年６月７（木）、８日（金）
開催場所： アステールプラザ ４F 大会議室A
広島市中区加古町4番17号
TEL (082)244-8000, Fax(082)246-5808
交通： JR広島駅より
＜市内電車＞：宇品行（紙屋町経由）市役所前下車、徒歩8分、
＜市内バス＞:広島バス吉島営業所行、厚生年金会館前下車、徒歩1分
会場の場所、行き方については下記のホームページをご参照下さい。
http://www.jaeic.or.jp/sk-6d-5.htm
http://www.urban.ne.jp/home/hiroanim/Aster/Aster-j.html
−プログラム−
６月７日（木）
1. 13:15-13:40
ＩＳＳＧ膜の構造解析
○永井直人、橋本秀樹、松延剛、村司雄一、大塚祐二 （（株）東レリサーチセンター）
2. 13:40-14:05
p型、ｎ型Si(100)上の極薄SiO2膜のDT電流のWKB近似による検討
○高見 義則、北川 康則、松尾 直人 (山口大学 工学部)
3. 14:05-14:30
極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析
○水林亘、吉田友一、村上秀樹、宮崎誠一、*廣瀬全孝 （広島大学大学院 先端物質科学研究科、*次世代半導体研究センター）
4. 14:30-14:55
シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
○横山新、芝原健太郎、中島安理、吉川公麿、角南英夫、Quazi D.M. Khosru （広島大学 ナノデバイス・システム研究センター）
5. 14:55-15:20
Sub-0.1um nMOSFETにおけるn+poly-Si側壁/SiO2界面の不純物偏析現象の定量評価
○村上秀樹、三原竜善、山下寛樹、宮崎誠一、*廣瀬全孝 （広島大学大学院 先端物質科学研究科、*次世代半導体研究センター）
15:20-15:40 休憩
6. 15:40-16:05
窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
○浦岡行治、笹田浩介、矢野裕司、畑山智亮、冬木隆 （奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科）
7. 16:05-16:30
p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜／SiO2スタックゲート絶縁膜の研究
○吉元隆史、木寺俊郎、Quazi D. M. Khosru、中島安理、横山新 （広島大学 ナノデバイス・システム研究センター）
8. 16:30-16:55
TiO2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学
○平谷正彦，*門島勝，嶋本泰洋，*生田目俊秀，木村紳一郎 （（株）日立製作所 中央研究所，*日立研究所）
9. 16:55-17:20
(Ba,Sr)TiO3高誘電率膜特性の電極金属依存性
○藤原直憲、山田紘士、吉川公麿 （広島大学 ナノデバイス・システム研究センター）
17:30- 懇親会
６月８日（金）
10. 9:15-9:40
高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成に関する研究
○中尾 慎一、中川 宗克、大嶋 一郎、島田 浩行、大見 忠弘 （東北大学大学院 工学研究科）
11. 9:40-10:05
CVD-Ta2O5、ZrO2膜の表面ラフネス低減
○高橋 毅、青山真太郎、神力 博 （東京エレクトロンAT(株)）
12. 10:05-10:30
ジルコニウム酸化膜/シリコン界面の障壁高さ及び欠陥密度評価
○奈良崎 昌宏、小笠原 優、山岡 真左則、村上 秀樹、宮崎 誠一、*廣瀬
全孝 （広島大学大学院 先端物質科学研究科、*次世代半導体研究センター）
10:30-10:45 休憩
13. 10:45-11:10
ZrO2、HfO2およびPrOx高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価
北井聡、寒川雅之、神田浩文、○金島岳、奥山雅則 （大阪大学大学院 基礎工学研究科）
14. 11:10-11:35
パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
○池田浩也、後藤 覚、本多一隆 、坂下満男、酒井 朗、*財満鎭明、安田幸夫 （名古屋大学大学院工学研究科、*名古屋大学先端技術共同研究センター）
15. 11:35-12:00
Hf(NEt2)4 を原料ガスとして用いたHfO2薄膜の堆積
○大下祥雄、*小椋厚志、**星野麻子、**鈴木淑恵、**町田英明 （豊田工業大学、*NEC シリコンシステム研究所、**トリケミカル研究所）
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6月研究会に関するお問い合わせ先：
宮崎誠一(広島大） miyazaki@sxsys.hiroshima-u.ac.jp
西岡泰城（TI) y-nishioka@ti.com
羽路伸夫(横浜国大）nob@dnj.ynu.ac.jp
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