日時　平成１３年５月２４日（木）　１０：００−１７：１０
　　　平成１３年５月２５日（金）　　９：３０−１５：３０

会場　静岡大学　浜松キャンパス
　　（浜松市城北３−５−１、 JR浜松駅北口よりバス20分、TEL（053）478?1307　田部道晴）

議題　「結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子材料、太陽電池、高耐圧素子等）」

発表時間：1件あたり質疑応答を含めて20分

−プログラム−

５月２４日　午前　（１０：００〜１２：００）
1) エキシマレーザードーピング法によるp-i-n CdTeダイオードの作製
　　○浅野浩司、中村篤志、ニラウラ マダン、青木徹、畑中義式（静岡大学）

2) MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性
　　○富田泰光、増田祐輔、石黒智章、森下浩志、保木一樹、川内康弘、安田和人（名古屋工業大学）

3) MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性
　　○増田祐輔、富田泰光、森下浩志、保木一樹、川内康弘、石黒智章、安田和人（名古屋工業大学）

4) エキシマレーザードーピングによるp型ZnO層の形成
　　○清水克美、青木徹、三宅亜紀、中西洋一郎、畑中義式（静岡大学）

5) CuInSe2薄膜の電子線照射効果の検討
　　○李海錫、海江田理、藤田尚樹、岡田浩、若原昭浩、吉田明（豊橋技術科学大学）

6) CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe2薄膜の作製と評価
　　○菊池仁、天羽広史、江間義則、高橋崇宏（静岡大学）
 

５月２４日　午後　（１３：３０〜１７：１０）
7) InGaAsP/InAlAs超格子APDの暗電流低減化
　　○鈴木朝実良、山田篤志、井戸田健、田中英之、横塚達男（松下電器）

8) MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
　　○小林知存、久留利智穂、浦西泰樹、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰（静岡大学）

9) HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
○長澤仁也、尾勢朋久、石野健英、井上　翼、藤安　洋、石田明広（静岡大学）

10) 長波長赤外線レ?ザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
○王　淑蘭、大橋達也、石野健英、井上　翼、藤安　洋、石田明広（静岡大学）

11) Nd0.33Eu0.33Gd0.33Ba2Cu3Ox酸化物高温超伝導体の相図作成と徐冷法による結晶成長
　　○村井崇志、森徹（静岡大学）
　　　D. K. Aswal（バーハ原子研究センター）
　　　小山忠信、熊川征司、早川泰弘（静岡大学）

[休憩　１５：１０〜１５：３０]

12) エピタキシャルAl2O3中間層を用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
　　○若原昭浩、川村延伸、大石浩司、吉田明（豊橋技術科学大学）

13) Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
　　　来正洋一、○牧野信也（静岡大学）
　　　大塚康二（サンケン電気）
　　　桑原憲弘、角谷正友、高野泰、福家俊郎（静岡大学）

14) 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
　　　以西雅章、河村義彦、○笠井崇史、石野健英、藤安洋（静岡大学）

15) 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質InxGa1-xAsブリッジ成長
　　○K. Balakrishnan、飯田晋、小山忠信、熊川征司、早川泰弘（静岡大学）

16) 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
　　○村上倫章、早川泰弘、K. Balakrishnan、柴田尚弘、小松秀輝、中村徹郎、山田哲生、小山忠信（静岡大学）
　　　小澤哲夫（静岡理工科大学）
　　　岡野泰則、宮澤政文、熊川征司（静岡大学）

研究会終了後に懇親会
 

５月２５日　午前　（９：３０〜１２：１０）
17) 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
　　○以西雅章、島田剛喜、松井才明、藤安洋（静岡大学）

18) シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の形成と評価
　　○松本鋭介、内田実、岡田浩、若原昭浩、吉田明（豊橋技術科学大学）

19) 陽極酸化法による6H-SiCの犠牲酸化とショットキーダイオード特性
　　○加藤正史、市村正也、荒井英輔（名古屋工業大学）

20) アークプラズマガンを用いたSiGeC系半導体のMBE成長
　　○沖仲元毅（奈良先端科学技術大学院大学）
　　　段床亮一（ソニー）
　　　浜名康全、徳田崇、、太田淳、布下正宏（奈良先端科学技術大学院大学）

21) バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi1-x-yGexCy膜のエッチング特性
　　○石田彰一、宮本光雄(森田化学工業)
　　　橋場祥晶、松浦孝、室田淳一(東北大学)

22) 非クリーン環境下におけるＴＥＧを用いたＭＯＳプロセスの検討
　　○冨田陵一、鶴丸厚、川内康弘、池野孝宏、内田秀雄、市村正也、荒井英輔（名古屋工業大学）

23) 大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価
　　○高倉信之、毛野拓治、安田正治、澤田康志（松下電工）
　　　井上吉民（松下電工M&V）
　　　谷口研二（大阪大学）

24) リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
　　○飯田大介、浅井寛、内田秀雄、市村正也、荒井英輔（名古屋工業大学）
 

５月２５日　午後（１３：３０〜１５：３０）
25) シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
　　○藤原聡、高橋庸夫（NTT）

26) 電荷転送技術を用いた高感度化学ポテンシャルセンサデバイス
　　○澤田和明、高尾英邦、石田誠（豊橋技術科学大学）

27) 短チャネル効果抑制を目的としたElevatedとCounterDoping構造のシミュレーションによる比較
　　○山本忠興、柴田和幸、中島圭吾、内田秀雄、市村正也、荒井英輔（名古屋工業大学）

28) SiGeチャネルpMOSFETにおける低周波ノイズ特性とSiGe/Siヘテロ構造品質との対応
　　○土屋敏章（島根大学）
　　　松浦孝、室田淳一（東北大学）

29) 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
　　○堀口誠二、永瀬雅夫（NTT）
　　　白石賢ニ(筑波大学）
　　　影島博之、高橋庸夫（NTT）

30) シリコン量子井戸構造の作製と評価
　　○石原大阿、岩崎正憲（静岡大学）
　　　土屋敏章（島根大学）
　　　石川靖彦、田部道晴（静岡大学）

◎ ５月２４日夕刻、懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。

担当委員
（SDM）田部道晴
e-mail：romtabe@rie.shizuoka.ac.jp
〒432-8011浜松市城北３?５?１
静岡大学　電子工学研究所　
TEL：053-478-1307、FAX：053-478-1348
（ED）田中　昭
e-mail：rdatana@ipc.shizuoka.ac.jp
〒432-8011浜松市城北３?５?１
静岡大学　電子工学研究所　
TEL：053-478-1318、FAX：053-478-1348
（CPM）福家俊郎
e-mail：tesfuke@ipc.shizuoka.ac.jp
〒432-8011浜松市城北３?５?１
静岡大学　工学部電気・電子工学科　
TEL：053-478-1102、FAX：053-478-1102
 

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