開催日時： 平成１３年４月１９日(木)、２０日(金)
開催場所： 福岡県飯塚研究開発センター・大研修室
（九州工業大学飯塚キャンパスに隣接）
〒820-0067 飯塚市川津 TEL: 0948-29-1150
[福岡空港よりバス利用の場合]
空港から「飯塚・田川」方面行き急行バスで約60分。
「二瀬支所（ふたせししょ）」下車。徒歩3分。
[JR利用の場合]
(空港から地下鉄でJR博多駅へ(所用約5分))
JR博多駅より篠栗(ささぐり)線で「新飯塚」下車(急行で約
40分)。タクシーで約10分。
議題 --- 低温ポリSi TFTと有機EL技術 ---
（プログラム）
４月１９日（木）
１３：３０−１４：２０
１．低エネルギコスト電子デバイスとしての多結晶シリコン薄膜トランジスタの可能性(招待講演）
○ 山内規義（NTTサービスインテグレーション基盤研究所）
１４：２０−１５：１０
２．金属インプリント法による擬似単結晶poly-Si TFT
○牧平憲治、吉井栄仁、浅野種正（九州工業大学 マイクロ化総合技術センター）
１５：１０−１５：２０ 休憩
１５：２０−１５：５０
３．SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
○ 田口 亮平、阿部 寿＊、河本 直哉、松尾 直人、納田 朋幸＊、浜田 弘喜
（山口大学工学部、＊三洋電機?マイクロエレクトロニクス研究所）
１５：５０−１６：２０
４．触媒ＣＶＤ法による高移動度ｐｏｌｙ?ＳｉTFTの作製
○ 河西 弘人、久須本 典熙、山中 英雄、矢元 久良、谷口武志＊、石田丈繁＊、国井
泰夫＊
（ソニー（株）ＳＮＣ ＬＳＩテクノロジー開発、＊日立国際電気 電子
機械事業部）
１６：２０−１６：５０
５．Cat-CVD法によるTFT作製
○ 坂井全弘、堤 隆之、増田 淳、松村英樹（北陸先端科学技術大学院大学）
１６：５０−１７：２０
６．ダイナミックストレスに対するｐ型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
○長野奈津代 、梅野智和 、畑山 智亮 、浦岡行治 、冬木 隆
（奈良先端科学技術大学院大学）
１７：４０−
懇親会
４月２０日（金）
９：００−９：５０
７．有機ＥＬ素子による光集積回路回路の構築（招待講演）
○大森裕 （大阪大学 先端科学技術共同センター）
９：５０−１０：２０
８．電流指定型ポリシリコンTFTアクティブマトリックス駆動有機LEDディスプレイの回路シミュレーション
○服部励治、三宅和則、小笠原亮、黒木幸令（九州大学大学院、システム情報科学研究院）
１０：２０−１０：３０ 休憩
１０：３０−１１：００
９．SiO2基板上の非晶質Ｓｉ／Ｇｅ積層構造におけるＧｅ拡散と結晶化過程
○朴 成 基、山口 伸也、杉井 信之、波多野睦子（日立製作所・中央研究所）
１１：００−１１：３０
10．DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジス
タ特性
○原 明人、吉野 健一、竹内 文代、佐々木 伸夫（富士通研究所）
１１：３０-１２：００
11．薄膜トランジスタの高性能化と課題
○ 野口 隆（前ソニー）
１２：００-１２：３０
12．ショットキー・ソース/ドレインMOSによるキンク電流の抑制
○浅野 種正、中川 豪、牧平 憲治（九州工業大学マイクロ化総合技術センター）
（終了後、ご希望の方は九州工業大学マイクロ化総合技術センターの見学ができ
ます。）
担当委員
（SDM側） 野口 隆(前ソニー)、浅野 種正（九州工業大学） 黒木幸令（九州大）
（ED側） 古川昌司（九州工業大学）、中島安理 （広島大学）、田上知紀（日立）
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野口 隆
E-mail: HQP01175@nifty.ne.jp）
東京都稲城市 Tel&FAX: 042-378-2288
浅野 種正
E-mail: asano@cms.kyutech.ac.jp
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
Tel: 0948-29-7582, FAX: 0948-29-7586
黒木幸令 E-mail: kuroki@ed.kyushu-u.ac.jp
九州大学大学院システム情報科学研究科
Tel: 092-642-3953, FAX: 092-642-3975
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