1981年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

半導体・トランジスタ研究会
専門委員長 吉村久乗
幹事 多田邦雄・井川彪

電子デバイス研究会
専門委員長 古川静二郎
幹事 松村正清・梶山健二

マイクロ波研究会
専門委員長 熊谷信昭
幹事 倉薗貞夫・吉田健一

開催日時・会場

日時　1月22日（木）10:00～16:40
　　　1月23日（金）10:30～15:30
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，地下鉄：日比谷線神谷町駅下車，バス：品川車庫ー四谷片町間，東京タワー下車，多摩川等々力ー東京八重洲間，虎の門5丁目下車
☎〔03〕434-8211）

議題

22日午前

1. GaAs MESFETの構造と閾値特性
   ◯井野正行・車田克彦（武・通研）
2. Pt埋め込みゲートGaAs MESFET
   ◯豊田信行・望月正生・溝口孝麿・北保顕道（東芝）
3. ノーマリオフ型GaAs論理素子
   ◯三井康郎・大坪睦之・中谷正昭（三菱）
4. 二次元解析によるGaAs MESFETのデバイスパラメータの検討
   ◯横山清行・富沢雅彰・古井彰・須藤常太（武・通研）

午後

5. GaAs IC用MESFET回路モデルと基本論理回路の検討
   ◯高田透・平山昌宏・須藤常太（武・通研）
6. GaAs論理回路の回路シミュレーション
   ◯田中広紀・高橋進・中村道治（日立）
7. ショットキー金属上の電子蓄積を断間結合に利用したノーマリオンGaAs FET論理回路
   ◯橋爪信郎・山田秀夫・小島猛（電総研）・矢口裕司・冨澤一隆（明大）
8. 超高速ノーマリオン型GaAsロジックIC
   ◯嶋野彰夫・高木弘光・加納剛太（松下電子）
9. プレーナ型ノーマリオフGaAs IC
   ◯望月正生・豊田信行・溝口孝麿・北条顕道（東芝）
10. GaAs 4ビットALUの特性
    ◯須山勝彦・草川博次・山本裕之・山村栄志（富士通）
11. InGaAsP nチャネル反転形MISFETの試作と特性
    篠田幸信・小林猛（武・通研）

23日午前

1. 900MHz帯MIC化スイッチ
   ◯高橋誠一・佐野芳明・上西勝三（沖電気）
2. 30GHz帯GaAs FET
   ◯門脇好伸・石原理・中谷正昭（三菱）
3. UHF帯用GaAsパワーMESFET
   ◯萩尾正博・南部修太郎・郷田和秀・加納剛太（松下電子）

午後

4. 〔特別解説講演〕マイクロ波IC，能動素子の研究開発動向
   赤池正巳（横・通研）
5. GaAsモノリシックIC超広帯域低雑音増幅器
   ◯西馬正博・南部修太郎・萩尾正博・長島厚・加納剛太（松下電子）
6. ストリップライン型セラミックパッケージに封入された超小型GaAs FET増幅器
   ◯山村栄志・志垣雅文・日高紀雄・赤沼収・島隆雄（富士通）
7. 4GHz帯偏向変調形EBS増幅器のターゲット出力回路
   三冨修（武・通研）

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