1980年1月マイクロ波研究会プログラム




幹事団

半導体・トランジスタ研究会
専門委員長 吉村久乗
幹事 多田邦雄・井川彪

電子デバイス研究会
専門委員長 古川静二郎
幹事 平山昌宏・松村正清

マイクロ波研究会
専門委員長 熊谷信昭
幹事 倉薗貞夫・赤池正巳

開催日時・会場

日時　1月22日（火）9:30～17:30
　　　1月23日（水）10:30～16:30
　　　議題22日分，23日1.～3.は3研究会の技術研究報告
　　　23日4.～9.は電子デバイス，マイクロ波技術研究報告
会場　機械振興会館地下3階研修1号室

（港区芝公園3-5-8，地下鉄：日比谷線神谷町駅下車，バス：品川車庫ー四谷片町間，東京タワー下車，多摩川等々力ー東京八重洲間，虎の門5丁目下車
☎〔03〕434-8211）

議題

22日午前
  1. Ku帯超低雑音GaAs FET
    門脇好伸・◯鈴木武・伊藤道弘・石井孝（三菱）
  2. Deep Recess構造超低雑音GaAs MESFET
    ◯大畑惠一・伊藤仁・長谷川文夫・藤木義矩（日電）
  3. 低雑音GaAs MESFETの信頼性改善
    ◯奈良愛一郎・嶋ノ江琢二・畠山博伸・住吉政夫・石井孝（三菱）
  4. UHF帯民生機器への応用を目的とした低雑音デュアルゲートGaAs MESFET
    ◯萩尾正博・南部修太郎・長島厚・加納剛太（松下電子）
  5. GaAs FETの故障解析
    ◯渡瀬学・鈴木武・大坪睦之・石井孝（三菱）
午後
  1. <特別解説講演>
    ①Status of microwave solid state devices and analog circuits in the United States
    ②Reliability assessment of microwave power GaAs FETs
    E.D.Cohen（Naval Research Lab., USA）
  2. マイクロ波高出力GaAs FET-6GHz 25W出力-
    ◯東坂浅光・高山洋一郎・長谷川文夫（日電）
  3. 内部整合技術によるマイクロ波GaAs FETの高出力・広帯域化
    ◯本城和彦・高山洋一郎・東坂浅光（日電）
  4. フリップチップ型X帯高出力GaAs FET
    ◯三井康郎・小引通博・渡瀬学・瀬川和明・大坪睦之・石井孝（三菱）
  5. 20GHz帯モノリシックGaAs FET増幅器
    東坂浅光・◯水田高之・福田祐郎（日電）
  6. GaAs FET発振器のマイクロ波センサ応用
    ◯石原理・森哲郎・沢野寛・中谷正昭・石井孝（三菱）
  7. 電子ビーム露光によるGaAs MESFETサブミクロンゲート形成
    ◯加藤直規・水谷孝・石田暁・大森正道（武・通研）
23日午前
  1. SHF衛星放送受信用ビームリードGaAsミキサダイオード
    ◯原田八十雄・福田恒（三洋電機）
  2. 200V 30A低損失pinダイオード
    ◯中川明夫・倉田衛・歌川忠・塚越恒男（東芝）
  3. 自己中和型マイクロ波静電誘導形トランジスタ
    ◯相賀正夫・桧垣幸夫・加藤真理・梶原康也（三菱）
午後
  1. 光デジタルリンク用アレイ化素子の開発とその実用化検討
    ◯佐久田昌明・浅井滋夫（沖電気）
  2. SAW共振器を用いた可変周波数発振器
    ◯羽深龍二・卜部周二・結城主央巳（横・通研）
  3. 注入同期増幅器の広帯域化に関する一考察
    角尾貞之（NHK）
  4. 12GHz帯TWTにおける速度テーパの検討
    佐々木誠（NHK）
  5. 12方向電力分配合成器の一考察
    ◯永井信夫・渡辺裕・小野幸次郎・羽鳥孝三（北大）
  6. 分布定数回路の時間域解析について
    ◯鈴木正敏・坂上岩太・三木信弘・永井信夫（北大）
◉ IEEE MTT Tokyo Chapter（Chairman　末武国弘）と共催