1979年01月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

半導体・トランジスタ研究会
専門委員長 豊田博夫
幹事 片岡啓介・多田邦雄

マイクロ波研究会
専門委員長 西田茂穂
幹事 赤池正巳・紅林秀都司

開催日時・会場

日時　1月26日（金）9:00〜17:00
会場　機械振興会館地下3階研修2号室

（港区芝公園3-5-8，地下鉄：日比谷線神谷町駅下車，バス：品川車庫ー四谷片町間，東京タワー下車，多摩川等々力ー東京八重洲間，虎の門5丁目下車
☎〔03〕434-8211）

議題

1. Nb-GaAs ショットキーミキサダイオード
   ◯村田英治・和泉英明・宇田川隆・岡野進・藤本正弘（東芝）
2. 50kWレーダ用ダイオードリミッタ
   ◯白井忠雄・梶村武史（日電）
3. GaAs パルスインパット・ダイオード
   長尾博之・蓮見秀世・藤根信彦・関野俊明（日電）
4. S帯高出力トランジスタ
   ◯内崎一郎・堀重和・小田雄二・冨田直孝・鍔田武（東芝）
5. DC放電法による GaAs のプラズマ陽極酸化
   越賀夫差子・菅野卓雄（東大）
6. プラズマ陽極酸化膜を用いた 40 GHz 絶縁ゲート型 GaAs 電界効果トランジスタ
   菅野卓雄・越賀夫差子・山崎王義（東大）・高橋進（日立）
7. GaAs FETの動作安定性 -高周波パラメータの変化と表面および基板の影響-
   大畑惠一・伊藤仁・長谷川文夫（日電）
8. リセス構造高耐圧出力 GaAs FET
   東坂浅光・古塚岐・本城和彦・髙山洋一郎・長谷川文夫（日電）
9. 12 GHz 4W 全フリップチップ型 GaAs FET
   三井康郎・小引通博・大坪睦之・石井孝・三井茂（三菱）
10. 12 GHz 1W GaAs FET 増幅器
    門脇好伸・中谷正昭・石井孝（三菱）
11. スロットラインを用いた GaAs FET 多数チップの電力合成
    ◯𠮷田彰顕・森田浩二（横・通研）
12. 11及び14 GHz 帯高出力GaAs FET 増幅器
    ◯曽根純一・小川忠幸・高山洋一郎・青野洋一（日電）
13. 6GHz 帯15W内部整合化 GaAs FETおよび20W増幅器
    ◯本城和彦・高山洋一郎・古塚岐・東坂浅光（日電）
14. SHF TV 用12GHz GaAs FET電力増幅器
    松下信哉・鹿山英男・高橋延忠（NHK）・芳賀勲夫・◯相原重信・藤木義矩（日電）
15. 超高速ノーマリオフ形 GaAs MESFET ロジック
    ◯水谷孝・加藤直規・石田暁・浅井和義・榊原裕・小松一彦・大森正道（武・通研）
16. ノーマリオフ形 GaAs MESFETの応答時間の計算
    ◯井野正行・大森正道（武・通研）

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