1978年1月マイクロ波研究会プログラム

幹事団

半導体・トランジスタ研究会
専門委員長 豊田博夫
幹事 片岡啓介・多田邦雄

電子デバイス研究会
専門委員長 柴田幸男
幹事 佐々木昭夫・大森正道

マイクロ波研究会
専門委員長 西田茂穂
幹事 紅林秀都司・関清三

開催日時・会場

日時　1月24日（火）9:30〜16:30
会場　機械振興会館6階65号室

（港区芝公園3-5-8，地下鉄：日比谷線神谷町駅下車，バス：品川車庫ー四谷片町間・新橋ー渋谷間，東京タワー下車，多摩川等々力ー東京八重洲間，飯倉1丁目下車
☎〔03〕434-8211 内線419）

議題

1. GaAs FET のドリフト現象とその発生機構
   ◯和田嘉記・鈴木正光（武・通研）
2. GaAs パワー FETからの発光と破壊特性
   ◯山本隆一郎・東坂浅光・長谷川文夫（日電）
3. 簡単なリセス構造による高耐圧高出力 GaAs FET
   ◯古塚岐・本城和彦・東坂浅光・高山洋一郎・長谷川文夫（日電）
4. 4GHz・15Wパワー GaAs FET
   鈴木秀威・小谷紘一郎・須山勝彦・福田益美（富士通研）
5. 高出力 GaAs FET
   ◯三井康夫・中谷正昭・高宮三郎・三井茂（三菱）
6. 1μm ゲートGaAs MES FET の性能改善
   ◯大坪睦之・門脇好伸・三井茂（三菱）
7. 1.5μm ゲート GaAs MOS トランジスタの試作とマイクロ波特性
   ◯徳田博邦・安達芳夫・生駒俊明（東大）
8. Si SIT の高利得化
   ◯梶原康也・相賀正夫・堀切賢治・行本善則（三菱）
9. 短チャネル技術による高速 CｰMOS IC
   ◯大和田邦樹・江原孝平・大村泰久・道券正延（武・通研）
10. ミキサのイメージ処理条件とバイアス電圧効果
    ◯桝谷直幸・武富大児（三菱）
11. インパット動作における㐧2高調波回路の影響
    ◯進藤洋一・岡村総吾（東大）
12. ガンダイオードアドミタンスの温度依存性の解析 -動作モードの効果-
    牧野俊彦（松下電器）
13. パルス動作ガンダイオードアドミタンスと発振特性
    ◯小木曽弘司・島 巖・武富大児（三菱）
14. GaAs-YIG 結合系における表面静磁波の増幅
    ◯山田省二・張年錫・松尾幸人（阪大）

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