平成12年9月 VLSI 設計技術研究会プログラム
9月研究会プログラム
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VLSI設計技術研究会(VLD)
専門委員長 小野寺秀俊 副委員長 三橋隆
幹事 若林一敏・石浦菜岐佐
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 最上徹 副委員長 徳光永輔
幹事 木本恒暢・堀川貢弘 幹事補佐 野口隆
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会モデリング研究委員会
委員長 小谷教彦 庶務幹事 和田哲典
日時 平成12年9月21日(木) 12:30 〜 17:00
22日(金) 10:00 〜 17:00
会場 機械振興会館地下3階研修1号室
議題 −プロセス・デバイス・回路シミュレーション
(統計モデリングも含む)−
21日午後
1.SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
○竹村佳昭・長田健一・柳生正義・
山口憲・牛尾二郎・丸泉琢也(日立)
2.クロストークノイズによる配線遅延の変動とノイズ波形のモデ
ル化に関する検討 ○佐藤高史(日立)
3.VLSI配線におけるインダクタンス抽出方法の提案とそれを用い
た回路評価 ○中島祐介・池田誠・浅田邦博(東大)
4.シュリンク設計向けクロック木生成
○井上浩明・枝廣正人(NEC)
5.A more accurate skew model for well-balanced H-tree
clock distribution network
○Xiaohong Jiang, Susumu Horiguchi (JAIST)
6.統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システ
ムの構築 ○木寺真琴・谷沢元昭・園田賢一郎・
石川清志・小谷教彦・犬石昌秀 (三菱電機)
7.プロセス変動に起因した回路特性変動のワーストケース解析手
法 ○山口哲哉(東芝)
8.Parametric BSGを用いたデザイン再利用
○呉中林・坂主圭史・梶谷洋司(東京工業大)
9.境界線法を応用したコード表現による遺伝的フロアプラン手法
○高橋仁・金杉昭徳・大嶋健司(埼玉大)
22日午前
1.微細MOSFETのスケーリング理論 ○鈴木邦広(富士通研)
2.MOSFET開発におけるTCAD適用手法
○小松原弘毅・三浦規之・林洋一・福田浩一・谷島 司・
吉田匡宏(沖電気)・若山恵一(宮城沖電気)・
西谷明人(沖電気)・長友良樹(宮城沖電気)
3.TCADを用いた統計的手法による0.12μCMOSデバイスの設計
○福田智之(日立)
4.'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
○船越七郎・寺内衛・寺田和夫(広島市立大)
5.advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の
向上 ○田中克彦・野津明男・羽根正巳(NEC)
22日午後
6.[招待講演] 100nmに向けたModeling & Simulationの挑戦
○小谷教彦(三菱電機)
7.濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーシ
ョン ○松沢一也・高木信一・高柳万里子・谷本弘吉(東芝)
8.量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイス・シミュレー
ション ○花尻達郎・新里昌弘・鳥谷部達・
菅野卓雄(東洋大)・斉藤晶・赤木与志郎(シャープ)
9.Sub-100nm MOSFETにおけるソース/ドレイン電荷分配に対する
弾道輸送キャリアの寄与
○岡垣健・田中聖康・上野弘明・三浦道子(広島大)
10.ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィン
グがゲートからのトンネル電流に与える影響
○渡辺浩志・高木信一(東芝)
11.酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーショ
ンシミュレーション
○江崎達也・山本豊二・中里博紀・羽根正巳(NEC)
12.ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュ
レーションによるメカニズムの検討
○小宮健治・大村泰久(関西大)
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