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　平成29年11月度SDM研究会
　開催通知と論文募集のご案内
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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長 国清 辰也（ルネサス　エレクトロ二クス）
副委員長 品田 高宏（東北大）
幹事 黒田 理人（東北大）、　山口　直（ルネサス エレクトロ二クス）
幹事補佐　池田　浩也（静岡大）、諸岡 哲 (東芝メモリ)

11月研究会担当幹事
国清 辰也　（ルネサス エレクトロニクス）
安斎 久浩 （ソニーセミコンダクタソリューションズ）
野田 泰史　（パナソニック）

下記要領にて、11月度SDM研究会発表論文を募集いたします。

共催：応用物理学会シリコンテクノロジー分科会

■テーマ：「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」

■日程：2017年11月9日（木）〜10日（金）

■会場：機械振興会館　6F 6-66会議室

■開催プログラム
確定後、以下にアップされます。随時ご確認ください。
https://www.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM

■申込締切：2017年9月4日（月）

■申込方法：
発表申し込みのWebページ
(https://www.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM)より、
発表題目・著者・発表者・所属・論文概要(100文字程度)・連絡先
を記入して申込みお願いします。受付後、「技術研究報告」用原稿
の作成に関するご連絡をさせていただきます。

■論文原稿提出締切：2017年10月17日（火）

■論文頁数：研究会原稿用紙A4版6ページ以内

■スコープ

１．プロセス・デバイス・回路のシミュレーション

・デバイスシミュレーション全般　（MOSFET、FinFET、Ultra Thin Body SOI、グラフェンなどのフロンティアデバイス等）
・フロントエンド・バックエンドプロセスシミュレーション全般　（不純物拡散、配線、シリコン貫通ビア等）
・高周波やノイズモデリングを含む、回路シミュレーション用コンパクトデバイスモデリング

２．シミュレーション設計技術

・0.5V駆動回路に向けたバイスシミュレーションおよび回路シミュレーション
・新規メモリ、MEMSのデバイスシミュレーションおよび回路シミュレーション

３．LSI物理設計、回路設計

・0.5V駆動回路に向けた物理設計
・新規及び微細化メモリの回路設計

４．半導体シミュレーション技術の応用展開

・MEMSシミュレーション設計
・バイオシステムへの半導体シミュレーション技術の応用展開
・有機素子のモデリング、シミュレーション
・Photovoltaic deviceへの応用

■照会先：
〒312-8504　茨城県ひたちなか市堀口751番地
ルネサス エレクトロニクス（株）
国清辰也
TEL(029)-272-3111 内線(3485)
FAX(029)-270-2430
E-mail：tatsuya.kunikiyo.zn[atmark]renesas.com

〒243-0014 神奈川県厚木市旭町４丁目１４−１
ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
安斎久浩
TEL(050)3141-4277(直通）
FAX(046)202-6241
E-mail：Hisahiro.Ansai[atmark]jp.sony.com