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 平成18年1月電子情報通信学会SDM研究会
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シリコン材料・デバイス研究専門委員会
専門委員長 堀口文男 副委員長 浅野種正 幹事    大野守史,高柳万里子 幹事補佐  松井裕一
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「量子効果デバイス及び関連技術」
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日時 2006年 1月26日(木) 13:30 - 17:00
   2006年 1月27日(金) 09:00 - 12:10

会場 北海道大学 百年記念会館 大会議室
(〒060-0809 札幌市北区北9条西6丁 目.JR札幌駅より徒歩5分
http://www.hokudai.ac.jp/bureau/keiri/sisetu/map.htm
TEL:011-706-3211

◆プログラム◆
1月26日(木) 午後 多重量子ドットと機能性
13:30 - 15:10

(1) 13:30 - 13:55
人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス
○石川靖彦・山本智寛・田部道晴(静大)

(2) 13:55 - 14:20
多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動
○大倉健作(広島大)・北出哲也(ローム)・中島安理(広島大)

(3) 14:20 - 14:45
量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション
○開澤拓弥・有田正志・高橋庸夫(北大)

(4) 14:45 - 15:10
高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作
○大倉健作(広島大)・北出哲也(ローム)・中島安理(広島大)

−−− 休憩 ( 20分 ) −−−

1月26日(木)午後 : 単電子/単光子検出とマニピュレーション
15:30 - 17:00

(5) 15:30 - 16:10
[招待講演]MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用
○西口克彦・藤原 聡・小野行徳・猪川 洋(NTT基礎研)・高橋庸夫(北大)

(6) 16:10 - 16:35
カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs-AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化
○石橋幸治・森山悟士・内田剛生(理研)

(7) 16:35 - 17:00
Si多重ドット構造における単一フォトン誘起誘起ランダム・テレグラフ・シグナル
○ラトノ ヌルヤディ・石川靖彦・田部道晴(静大電研)

1月27日(金)午前 : 光・電子ナノデバイス
09:00 - 10:15

(8) 09:00 - 09:25
Si微小電子源とスミスパーセル放射光応用
○根尾陽一郎(静大電子研)・嶋脇秀隆(八戸工大)・三村秀典(静大電子研)

(9) 09:25 - 09:50
Si基板上(CdF2/CaF2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性
○自念圭輔・菊池 毅・小平新志・内田 薫・渡辺正裕・浅田雅洋(東工大)

(10) 09:50 - 10:15
ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード
○金澤 徹・諸澤篤史・藤井 諒・和田宇史・渡辺正裕・浅田雅洋(東工大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

1月27日(金)午前 : 量子ナノデバイスと回路応用
10:30 - 12:10
(11) 10:30 - 10:55
低消費電力量子ナノ集積論理回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線 および単電子トランジスタのスイッチング特性解析
○葛西誠也・湯元美樹・長谷川英機(北大)

(12) 10:55 - 11:20
ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討
○阿部裕二・中村達也・田村隆博・葛西誠也・橋詰 保・長谷川英機(北大)

(13) 11:20 - 11:45
共鳴トンネル差動MOBILEの動作解析
○中川伸平・江口慶亮・和保孝夫(上智大)

(14) 11:45 - 12:10
高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器
○前澤宏一・松原 渉・古川幸喜・水谷 孝(名大)

☆SDM研究会
【問合先】
西岡泰城(日本大学理工学部 精密機械工学科)
TEL047-469-6482,FAX047-467-9504
E-mail:nishioka@eme.cst.nihon-u.ac.jp,asano@cms.kyutech.ac.jp

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