研究会テーマ：「半導体Si及び関連材料・評価」
                                                                     　
開催日時：　2001年 12月20日（木） 9：30-17：50

開催場所：   奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
 　　　　　　大講義室（住所：奈良県生駒市高山町８９１６?５、
 　　　　　　交通手段：近鉄奈良線学園前駅下車バス20分または
 　　　　　　近鉄京都線山田川駅下車バス20分、詳しくは、
 　　　　　　http://nara.aist-nara.ac.jp参照
　　　　　　 TEL:０７４３-７２-６０７０ 冬木隆)

−プログラム−
---------------------------------------------------------------
1. ナノカラム作製のための金属タンパク質の配列制御
　　○ 山崎玄･浦岡行治･冬木隆（奈良先端大) 美濃規央･山下一郎（松下電器）

2. フェリチンタンパク質を用いたナノデバイスの作製
　　○ 彦野太樹夫･浦岡行治･冬木隆（奈良先端）山下 一郎（松下電器）

3.PrOxゲート絶縁膜のＰＬＤ法による作製
     ○北井聡･寒川雅之･神田浩文･金島岳･奥山雅則（阪大）

4. Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造に及ぼすBi組成の影響
　　○ 山口正樹･長友隆男･増田陽一郎（芝浦工業大学）

5. 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散 への応用
　　○ 中林幸雄･ヒルマン･豊永一成･横田香織･松本智（慶大）室田淳一（東北大）和田一実（MIT）阿部孝夫（信越半導体）

6. キンヒドロン/メタノール溶液処理によるシリコン基板の表面パッシベーション
　　○ 高遠秀尚･坂田功･下川隆一（産業技術総合研究所）

7. 熱的な酸窒化およびRPNにより窒化されたシリコン酸化膜の電気的特性と構造
　　○ 荒井雅利･橋爪貴彦･小竹義則･松尾一郎 （松下電器）

8. 水蒸気熱処理による欠陥低減とSiO2/Si界面改質
　　○ 鮫島俊之･渡邊整･安藤伸行（東京農工大）

午後
9. Extension形成プロセスのIn Haloプロファイルへの影響
　　○ 芝原 健太郎･鬼松 大 （広島大学）

10. ジボランとアルシン分子イオン注入によるシリコンへの浅い接合の形成について
　　○ 中瀬周作 横田勝弘 中村和宏（関西大学）丹上正安 松田耕自（日新電機）高野弘道（神奈川高度技術支援財団）

11. SiGe Dynamic Threshold Voltage MOSFET  (DTMOS)の特性
　　○ 井上彰･高木剛･原義博･神澤好彦･川島孝啓･大西照人（松下電器）

12. シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ- サブ0.1um世代を見据えて-
     野崎嵩裕 ○松尾直人･高見義範（山口大） 浜田弘喜（三洋電機）

13. SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
　　○ 小杉肇･平尾太一（京大）矢野裕司(奈良先端大)  木本恒暢･松波　弘之（京大）

14. パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
　　○ 三浦峰生･中村俊一･木本恒暢･須田淳･松波弘之 （京大）

15. ELA法によるポリシリコンの結晶成長について -核形成と水素の関係-
　　○ 河本直哉（山口大）阿部寿（三洋電機）松尾直人･田口亮平（山口大）納田朋幸･浜田弘喜（三洋電機）

16. 多結晶シリコン薄膜の形成技術
　　○ 安藤伸行･金子吉保･鮫島俊之（東京農工大学）

17. 固相成長多結晶シリコン膜の電気的特性の解析
　　○ 渡邊整･鮫島俊之（東京農工大）

18. 多結晶シリコン薄膜トランジスタ解析
　　○ 渡壁創･鎌田耕太郎･鮫島俊之（東京農工大）

19. Gate-Overlapped LDD構造による低温Poly-Si TFTの高信頼化技術
　　○ 豊田善章･糸賀敏彦･田井光春･栗谷川武･後藤康･芝健夫･大倉理（日立製作所）

20. n-チャネル低温poly-Si TFTのホットエレクトロン効果
　　○丹呉浩侑･今井義弘･佐藤利文･ 日下部陽子･山家郁恵（東京工芸大）

21. p-チャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性
　　○ 梅野智和･矢野裕司･畑山智亮･浦岡行治･冬木隆（奈良先端大）

◎18:00より懇親会を企画しています。
 

☆ 研究会今後の予定  〔  〕内発表申込締切日
※ 詳しくはhttp://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlをご覧下さい。
 1月中旬「先端CMOS及びプロセス関連技術」東京（予定）〔11月中旬〕
 1月28日(月) ?30日(水)「量子効果デバイス及び関連技術」北海道大学
　〔11月13日〕電子デバイス研究会共催
【発表申込・問合先】
    武村　久（NEC）
    TEL(042)779?6193，FAX(042)771?0886
    E-mail：h-takemura@bk.jp.nec.com
　　大野守史（MIRAIプロジェクト）
　　TEL(0298)61-5251，FAX(0298)61-5476
    E-mail：morifumi.oono@aist.go.jp

＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊