プログラム
１３：００ 開会のあいさつ
１．１３：０５〜１３：３０
Assessment of optical gain in Si-Ge nanocrystals embedded in SiO2 thin films
○Chitrarekha Chaudhari (1), Osamu Takei (2), Yoshiyuki Tashiro (2), and Osamu Hanaizumi(2)
（群馬大学SVBL(1)、工学部 電気電子工学科(2)）
２．１３：３０〜１３：５５
光位相変調器を用いた光電気発振による周波数コム発生
○坂本高秀、川西哲也、井筒雅之
（情報通信研究機構 基礎先端部門 光情報技術グループ）
３．１３：５５〜１４：２０
コヒーレンス長を超えた領域における光波コヒーレンス関数の合成法による広範囲リ フレクトメトリ
○柏木 正浩、保立 和夫
（東京大学大学院 新領域創成科学研究科、工学系研究科 電子工学専攻）
４．１４：２０〜１４：４５
両極電荷輸送性を有する液晶材料の電界発光挙動
○川本 益揮(1)，池田 富樹(2)
(理研(1)，東工大資源研(2))
休息 １０分
５．１４：５５〜１５：２０
ビスアゾメチン色素を用いたショットキー型光電変換素子
○細貝 拓也(1)，青山 哲也(2)，松本 真哉(3)，小林 隆史(4)，中尾愛子(2)，和田 達夫(2)
(横国大・理研(1)，理研(2)，横国大(3)，阪府大(4))
６．１５：２０〜１５：４５
メソゲン部位を有する棒状低分子ゲル化剤の自己組織化
○間宮 純一(1)，加藤 隆史(2)，池田 富樹(3)
(理研(1)，東大工(2)，東工大資源研(3))
７．１５：４５〜１６：１０
光学用ポリイミド基板を用いた光導波路の作製と特性
川上直美(1)、池田元昭(1)、松浦徹(2)
(NTT-AT(1)、NTT(2))
８．１６：１０〜１６：３５
フェムト秒レーザリソグラフィによる光導波路の形成
柴田慎弥、杉原興浩(1)、戒能俊邦(1)
Haridas E. Pudavar(2), James O'Rielly(2), Paras N. Prasad (2)
(東北大・多元研(1), ILPB State Univ. of NY at Buffalo(2))