(LQE98-15)レーザーアブレーション法による光機能性材料の作製
○ 岡田龍雄・中田芳樹・前田三男（九大）

(LQE98-16)PLD法による導波路型Cr4+:YAG と Yb3+:YAG レーザー結晶薄膜の作製
○櫨川　哲・足立恭一・深谷幸代・小原實（慶大）・熊谷　寛・緑川克美（理研）

(LQE98-17)レーザーアブレーションによる鉄および鉄シリサイド薄膜の作製
○大越 昌幸・劉 正新・ 英 貢 （豊橋技科大）

(LQE98-18)オプトエレクトロニクス材料へのレーザープロセシング
○杉岡幸次・Jie Zhang・和田智之・田代英夫・緑川克美（理研）

(LQE98-19)原子層制御による『水の窓』域軟X線多層膜ミラーの開発
○熊谷　寛（理研）・松山浩子（慶大）・飯村康紘（理研）・緑川克美（理研）・小原　實（慶大）

(LQE98-20)新機能ラマン結晶の作成とラマン過程の制御
○浦田佳治・和田智之・田代英夫（理研）・福田承生（東北大）

(LQE98-21)フォトリフラクティブ結晶を用いた散乱光ノイズの除去と光計測への応用
○白鳥 明・間 竜二・小原 實（慶大）

(LQE98-22)陽極酸化による規則性ナノチャンネルアレー構造の形成とその応用
益田秀樹（都立大）

(LQE98-23)MOVPE選択成長の原理と定量的解析
○藤井卓也・江川 満（富士通研）

(LQE98-24) MOVPEにおけるAs/P置換のその場エリプソ信号とその表面状態
○栗原 香・阿南隆由・西 研一・菅生繁男（NEC)

(LQE98-25)III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
○松倉文礼・秋葉教充・大宮忠志・大野裕三・大野英男（東北大）

(LQE98-26)The Stark effect on the luminescence properties of InGaN/GaN/AlGaN pn junction structure
○T. Wang・T.Sugahara・S.Sakai （徳島大）

(LQE98-27) 立方晶ナイトライドのMOVPE成長と評価
○矢口裕之・呉軍・尾鍋研太郎（東大）

(LQE98-28)RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸の成長
○影山健生・竹内完爾・宮本智之・小山二三夫・伊賀健一（東工大）