日時
2月17日（火）13:00〜17:00
会場 機械振興会館
議題 −光インターコネクション用デバイス、面型光デバイス、一般−
(LQE97-144~LQE97-153)
1) 13:00-13:35 1.3um帯InP系歪MQWレーザにおけるn型変調ドープ構造の特性 (招待講演)○中原宏治、魚見和久、芳賀 徹、谷渡 剛、豊中隆司 (日立中研)2) 13:35-14:00 光励起MQW面型光増幅器○土岐和啓、瀬高隆裕、花泉 修、川上彰二郎 (東北大通研）3) 14:00-14:25並列光インタコネクションにおける伝送方式と所要デバイス性能に関する一検討○長堀 剛、畠山意知郎、三好一徳（NEC 光・超高研)4) 14:25-14:50 外部光注入による633nm He-Neレーザの偏光スイッチング機構○久保田宗親、小出ひろみ、中埜直人、大田建久、一ノ瀬琢美（同志社大）5) 14:50-15:15 ショートアーク形放電ランプを用いた多点露光光造形システム紙谷 卓之，○沼田 祐助，丸谷 洋二 (大阪産業大)休憩(5分)6) 15:20-15:45 MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ○水谷章成、羽鳥伸明、西山伸彦，小山二三夫，伊賀健一 (東工大精研)7) 15:45-16:10 ＧａＮナノコラムの作製と量子ディスク構造への応用○吉澤正樹、菊池昭彦、岸野克巳 (上智大)8) 16:10-16:35 GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用○赤坂哲也、安藤精後、小林康之、熊谷雅美、小林直樹 (NTT 基礎研)9) 16:35-17:00 ＧａＮレーザにおけるオーバーフロー電流の構造依存性○笹沼克信、波多腰玄一 (東芝研開センター)