(LQE97-18) 低誘電率フッ素化アモルファスカーボンの作製
林亨・天野富大（富山県立大)・増田淳（北陸先端大)・横道治男（富山県立大）

(LQE97-19)ガスソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
牧田紀久夫・渡邊功・辻正芳・林雅子・中田武志・田口剣申（NEC）

(LQE97-20)原子層成長による原子層フラクタル超格子の作製と評価
一色秀夫・棚谷公彦・高橋雅也・木村忠正（電通大)・青柳克信・菅野卓雄（理研フロンティア）

(LQE97-21)InP基板上のZnCdSeの成長
岩田晋・難波江宏一・屋敷健一郎（NEC）

(LQE97-22)GaPN混晶半導体のMOVPEと光学的評価
矢口裕之（東大）

(LQE97-23)昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価
西野克志・倉井聡・鳥取悟・野崎雅章・直井美貴・酒井士郎（徳島大）

(LQE97-24) 原子状水素を用いて表面処理を行ったGaAs(001)基板上への高品質立方晶GaNのMBE成長
永野元・秦志新・勝康夫・賈岸偉・小林正和・加藤嘉則・吉川明彦（千葉大）

(LQE97-25)X線測定による六方晶/立方晶 GaN混合比の推定とHVPE GaN/GaAsの評価
土屋晴稔・砂場健児・米村正吾・末益崇・長谷川文夫（筑波大）

(LQE97-26)MOCVD法によるサファイア基板上のInGaN/AlGaN 発光ダイオードの諸特性
山本健作・石川博康・江川 孝志・神保 孝志・梅野 正義（名工大

(LQE97-27) 化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用
宮本智之・竹内寛爾・小山二三夫・伊賀健一（東工大）

(LQE97-28)High-quality and high speed etching of GaN by VUV-UV multiwavelength laser ablation
Jie Zhang・Koji Sugioka・Satoshi Wada・Hideo Tashiro・Koichi Toyoda (理研）